新洁能：21年业绩高增，市场&产品升级把握新能源浪潮

3月21日公司发布年报：21年实现营收14.98亿元，同比+57%，归母净利4.1亿元，同比+195%，扣非归母净利4.02亿元，同比+198%——三项业绩均与此前业绩快报公布的数据一致。经测算，公司21Q4实现营收4.0亿元，环比-5.6%，同比+38%，该季归母净利为1亿元，环比-27%，同比+160%，对应扣非归母净利为0.97亿元，环比-28%，同比+166%。 公司业绩大幅增长，行业高景气依旧 1）20 H2 以来半导体行业景气高昂，国产替代深度演绎。公司把握机遇，21年实现收入高两位数增长，归母/扣非归母净利均实现近2倍增长——对应的归母净利率，从20年的14. 6%升至21年的27.4%，提升近13pct，其背后是公司竭力优化市场/客户/产品结构，实现盈利能力显著提升。2）21Q4归母净利同比增161%，增长迅猛。环比看，营收、归母净利环比下降，主要系产品交付节奏、年末各项费用结算、年终奖计提等因素，剔除此类因素公司经营环比稳健，显现行业高景气良好持续性。 市场升级：IGBT光伏领域放量，MOSFET打开新能源车市场 光伏/储能：1）2021年12寸IGBT产品已稳定量产，8寸在光伏典型客户大批应用，IGBT全年创收8051万元，同比增529%；2）展望22年，光储IGBT仍将供不应求，公司将积极开发/维护供应链资源，争取更多产能支持，有望实现更大规模的业务放量。新能源车：1）2021年公司SGT MOS即在汽车领域实现批量销售，并在5G、工业电源、植物照明等领域实现出货。SGT MOS年度创收5.8亿元，YoY+93%。2022年，公司主要代工厂12寸SGT MOS产能有望进一步扩张，将有力支撑公司汽车MOS业务的快速成长。2）公司还推进布局第三代半导体和功率模块：公司1200V车用SiC MOS和650V PD电源用GaN HEMT流片验证完成； 21M11 ,设子公司金兰半导体，致力功率模块的研发、设计、生产，并拓展各领域下游销售。 产品升级：中高压功率器件营收贡献持续提升 IGBT：1）IGBT模块21年已进入小批量生产；2）使用载流子存储技术的650V高密度沟槽栅IGBT产品已初步开发完成，器件饱和压降进一步降低，寄生参数和开关特性得到优化。 MOSFET：1）第四代超结MOS已形成500V～700V完整的产品系列，第五代超结MOS已有样品产出；2）中压P型SGT MOS量产，低压二代SGT MOS料号增至18款，低压快恢复SGT MOS成功流片；3）沟槽产品上，完成大功率中压P型MOS的开发，12寸线上多个N型中低压工艺平台同步开发。第三代半导体：1200V新能源汽车用SiCMOS平台开发进行顺利，12 00VSiCMOSFET首次流片验证完成，650VE-ModeGaNHEMT首次流片验证完成，同时多款车用功率器件产品正进行基于AEC-Q101标准的认证。 投资建议 我们预计2022/23/24年公司归母净利为5.2/6.3/8.3亿元，对应PE为51/42/32倍，参考当前申万半导体105倍PE（ TTM ），考虑到公司作为国内IGBT/MOSFET领军企业之一，国产替代加速叠加上游产能放量下增长可期，维持“买入”评级。 风险提示 行业景气不及预期，研发进展不及预期，代工厂产能爬坡不及预期。 盈利预测表