从目前公开的行业研究资料来看,无助焊剂热压键合虽然解决了传统TCB的助焊剂残留痛点,但本身也存在几方面待解决的现实问题:
- 工艺控制要求严苛,早期吞吐量偏低
无助焊剂TCB需要在键合前额外增加氧化物清洁步骤,整体工艺控制精度要求远高于传统TCB,早期技术方案下甚至会出现吞吐量不如传统工艺的情况,需要厂商通过设备架构优化才能补足产能短板 【10】 。
- 清洁技术路线仍存在成熟度风险
目前主流的两种无焊剂清洁方案各有短板:基于甲酸蒸汽的方案需要额外设置甲酸清洗流程,处理后还存在铜垫再氧化的隐患;等离子体方案虽然吞吐量表现更优,但整体技术成熟度不如行业已经长期验证的甲酸路线,落地过程中需要投入更多验证成本 【8】 。
- 技术迭代带来供应链扰动风险
从HBM4代际产品开始,行业出于良率考量必须大规模切换到无助焊剂TCB技术,这会直接打破原有HBM键合供应链的分散格局,存储厂商需要重新梳理供应商体系,部分自研进度滞后的厂商(比如三星目前公开的无助焊剂技术布局信息极少)可能会出现技术落地节奏落后于竞争对手的情况 【4】 【5】 。
- 技术落地仍存在场景适配限制
即便完成技术优化,无助焊剂TCB基于焊料互连的方案,最终也只能把互连节距下探到10-20μm,后续面对20层以上的超高堆叠HBM产品时,其互连密度上限还是比不上混合键合,无法满足极致性能的高端HBM产品需求 【3】 【9】 。