SiC市场竞争格局及价格区间
一、竞争格局:海外主导器件市场,国内衬底加速突破
SiC市场呈现“海外厂商垄断器件环节,国内企业在衬底领域快速追赶”的格局,产业链各环节竞争分化明显:
- 器件市场:海外三强占据超6成份额
全球SiC器件市场集中度极高,意法半导体(ST)以约40%的市占率位居第一,Wolfspeed(CREE)和罗姆(Rohm)紧随其后,市占率分别约15%、14%,前三名合计占据超60%份额 【2】 。这些海外厂商凭借技术积累(如8英寸SiC产品研发)、车规级认证优势及与特斯拉、比亚迪等头部车企的深度合作,牢牢把控新能源汽车等核心应用市场 【11】 。
- 衬底环节:国内厂商成本优势凸显,加速进入国际供应链
SiC衬底是产业链成本占比最高、技术门槛最高的环节,国内企业通过产能扩张和价格战快速抢占市场。山东天岳、天科蓝科、三安光电等一线供应商已进入英飞凌、博世等国际IDM厂商的供应链,但国际IDM对新供应商仍较谨慎,优先考虑供应链稳定性 【5】 。目前国内6英寸SiC衬底价格较国际供应商低30%左右,成本控制和产能优势显著 【5】 。
二、价格区间:供应过剩引发价格暴跌,国内厂商逼近成本线
SiC价格受供需关系、技术迭代及地域竞争影响显著,2023年以来呈现“全球降价、国内跌幅更猛”的特点:
- 6英寸衬底:国内价格腰斩至成本线,国际维持高位
2023年第四季度,国内主流6英寸SiC衬底价格暴跌至400450美元/片,较此前水平近乎腰斩,已接近500美元的生产成本线 【5】 ;2024年国内价格进一步下探,6英寸SiC MOS衬底降至2500-2800元人民币/片(约350-390美元,按汇率7计算),全年降幅超40% 【6】 。而国际供应商报价仍维持在750800美元/片,与国内价差扩大至30% 【5】 。
- 价格驱动因素:供应过剩+国内价格战
2024年SiC晶圆衬底供应过剩,叠加国内厂商为抢占市场份额发起激烈价格战,中小制造商跟风降价,导致市场价格大幅波动 【4】 【5】 。这一趋势可能提前行业整合潮至2025年中期,具备技术和资金优势的企业将主导市场 【5】 。
注:以上价格为6英寸主流产品区间,8英寸衬底因技术壁垒高,价格仍处高位;器件价格受下游应用(如新能源汽车、光伏)需求影响,长期随衬底降价有望逐步下探 【2】 【8】 。