美国目前的芯片管制措施呈现多维度、精细化的特点，主要包括以下几方面：
1. 分级管控框架
2026年1月，美国将全球国家和地区分为三级实施差异化技术管控：
- 第一级：美国及其18个盟国及地区（含中国台湾地区、日本、韩国等）可不受限制获取美国企业开发的先进技术；
- 第二级：东欧、中东、拉美等多数国家采购先进技术时面临运算性能限制；
- 第三级：中国、俄罗斯、伊朗等被完全禁止取得美国提供的先进技术。 【4】
2. 制程与逻辑芯片管制
2025年1月，美国扩大制程技术管制范围，将16nm及以下制程纳入限制，覆盖采用“16nm/14nm节点”及以下工艺或非平面晶体管架构的逻辑集成电路。同时加强对台积电等代工厂的尽职调查责任，仅满足特定条件（如晶体管数量低于300亿个且不含HBM等）的芯片流片可豁免限制。 【5】
3. 存储芯片（DRAM）定义修订
2025年1月，美国修改DRAM“高级节点集成电路”定义：
- 存储单元面积从“小于0.0019μm²”调整为“小于0.0026μm²”；
- 存储密度从“大于0.288千兆位/平方毫米”修订为“大于0.20千兆位/平方毫米”；
- 新增“每个管芯超过3000个硅通孔”参数，取代原18nm半间距标准限制。 【8】
4. 性能阈值禁令
2026年3月，美国对性能超标的芯片实施销售禁令：
- 单核并行处理器性能达300万亿次/秒及以上，或互联速度达600GB/秒及以上的芯片，向中国企业销售需申请出口许可证，且许可证申请被视为“拒绝推定”，实质禁止此类芯片对华出口。 【11】
5. 关键设备与企业定向管控
2026年4月，美国众议院提出的MATCH法案草案明确将深紫外浸没式光刻设备（全球仅ASML、Nikon能生产，用于7nm至28nm制程）列为关键管控对象，并收紧对长鑫存储、华为、中芯国际等中国芯片企业及其子公司的限制。 【12】
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