算力芯片复杂度提升推动单卡价值增长,存储扩产与HBM发展增加测试需求。AI芯片接触点增加,叠加大电流、高速及多温测试要求,推动探针卡性能升级。强一MEMS探针卡平均针数由2021年的3,179支增至2025H1的13,297支,同期均价由23.2万元增至81.8万元。存储领域,海外成熟DRAM探针卡已支持单次接触超过3,000个Site。HBM堆叠提高缺陷损失,强化KGD筛选,并在堆叠后及KGS验证中形成新增应用。
探针卡行业正经历AI算力与存储技术驱动的深度升级。算力芯片复杂度提升推动单卡价值增长,存储扩产与HBM发展增加测试需求。AI芯片接触点增加,叠加大电流、高速及多温测试要求,推动探针卡性能升级。强一MEMS探针卡平均针数由2021年的3,179支增至2025H1的13,297支,同期均价由23.2万元增至81.8万元。存储领域,海外成熟DRAM探针卡已支持单次接触超过3,000个Site。HBM堆叠提高缺陷损失,强化KGD筛选,并在堆叠后及KGS验证中形成新增应用。国产替代进入加速阶段,市场潜力巨大。
本报告重点分析了AI算力芯片对探针卡性能升级的推动作用,以及存储扩产与HBM发展带来的测试需求变化。AI芯片接触点增加,叠加大电流、高速及多温测试要求,推动探针卡性能升级。强一MEMS探针卡平均针数由2021年的3,179支增至2025H1的13,297支,同期均价由23.2万元增至81.8万元。存储领域,海外成熟DRAM探针卡已支持单次接触超过3,000个Site。HBM堆叠提高缺陷损失,强化KGD筛选,并在堆叠后及KGS验证中形成新增应用。同时关注国产替代进程。
当前探针卡市场正经历AI算力与存储技术驱动的深度升级。算力芯片复杂度提升推动单卡价值增长,存储扩产与HBM发展增加测试需求。AI芯片接触点增加,叠加大电流、高速及多温测试要求,推动探针卡性能升级。强一MEMS探针卡平均针数由2021年的3,179支增至2025H1的13,297支,同期均价由23.2万元增至81.8万元。存储领域,海外成熟DRAM探针卡已支持单次接触超过3,000个Site。HBM堆叠提高缺陷损失,强化KGD筛选,并在堆叠后及KGS验证中形成新增应用。国产替代进入加速阶段,市场潜力巨大。
本报告提示的风险包括:下游需求及扩产不及预期,可能导致市场增长放缓;新产品研发与客户验证不及预期,影响技术路线落地;技术路线及测试方案变化风险,可能带来市场格局调整。此外,国产替代进程中的供应链稳定性、技术壁垒突破等也是需关注的风险点。