键合设备-AI算力芯片性能底座龙头beta与alpha共振20260914 导读

核心观点与关键数据

2.5D与3D封装技术重要性及市场趋势

• 2.5D和3D封装技术在AI算力建设中至关重要，全球市场关注度提升。
• 华、英达等厂商大幅增加本支投资，设备采购周期需重点关注。
• 会议分享2.5D和3D封装市场规模、采购节奏及后续关注点。

中道建合工艺技术演进趋势

• 最新技术演进聚焦C to W及HBIHBF带to环带节间隔工艺迭代。
• 压间隔与混合间隔主流，混合间隔工艺在功耗、延、热导密度上优势显著。
• 预测逻辑与存储场景下迭代度存在差异，逻辑侧迭代更快。

无焊剂技术在HBN4芯片堆叠中的应用

• 无助焊版本TCB技术通过原位去氧化机制取消助焊剂使用。
• 支持更小互联间距，提升IO密度和互联速度，满足裸片间距要求。
• 相比传统满传助焊技术具有显著优势。

HBN生产技术：液体与气体方案对比

• 液体方案（甲酸去除助焊）与气体方案（氩氢气还原氧化）对比。
• 气体方案在减少表面残留、避免材料附着引发互联失效方面更优。
• SMBD和派克智能引领L2方案，甲酸方案由美国法和国普信等厂商成熟应用。
• HBN5混合件将全面替代TCB技术，实现无焊料直接连接。

混合间隔迭代技术应用挑战

• HBN4E生产中混合间隔迭代技术面临低良率和高昂设备成本问题。
• 放宽总高度产线以适应工艺，未来可能将混合间隔迭代点推至HBN5。

存储厂商混合件合工艺导入态度

• 海力士优化HBN4和HBN4E品阻位，维持TCB工艺优势。
• 三星积极推动混合件合，已完成12层HB4和HHB4E混合件合工艺量产验证。
• 混合件合导入点延后至2029年后，倾向于延长TCB工艺生命周期。

未来三年HBN与逻辑侧TCB设备需求预测

• 存储侧每年需求约500-700台，逻辑侧逐年递增，2028年台电全面入积CoWoS将增加需求。
• 2028年TCB设备出货额预计达16亿美金，行业趋势向好，混合设备替代加速。

存储设备市场分析与ASMT公司前景

• ASMT公司2025年市占率预计27%-28%，逻辑设备先，与台电、英特尔等有深厚绑定。
• 存储方面通过海力士供应链扩展，获得二供地位，逐步入三星供，看好市场份额提升。

混合间隔设备市场现状与未来趋势

• 混合间隔设备在CMP环的技术差距及市场主流情况，EVG合作第二代设备验证。
• 海力士等厂商设备采购延后，存储领域混合间隔导入周期长，但高速高模块产品出量显著增长。

科技公司订单增长与盈利预测

• 光模块相关订单将持高增，半体设备业务高速增长，公司整体毛利率和利润将提升。
• 未来三年利润复合增速超导净润过五成，当前估值具有高性价比，持推荐。

SMBD行业趋势与设备需求分析

• 全球AI市场扩张及云厂本支强劲，企业上云需求大幅增长。
• AI对云厂max、sx和plus的推动作用显著，本支建设定，主云和企业云域。
• SMBD精准卡位推理时代存储需求，设备确定性强，估值稳定，推荐关注其能和交付情况。

研究结论

• 2.5D和3D封装技术孕育行业增长机会，ASMTK公司在技术和市场地位领先。
• 混合间隔工艺将成为建合工艺极解决方案，但导入周期较长。
• 无助焊版本TCB技术优势显著，HBN5混合件将替代TCB技术。
• ASMTK公司逻辑设备市场占有率高，存储设备市场份额有望提升。
• 未来三年TCB设备需求持续增长，行业趋势向好，混合设备替代加速。
• 科技公司订单增长，盈利能力提升，估值具有高性价比。