民生电子三星与长存达成合作重视键合设备龙头拓荆科技存

存储板块喜报频传，今日韩媒报告，三星已确认从V10开始，使用国产龙头长存的专利技术，特别是混合键合工艺，实现420-430层堆叠。 ➠在此前的技术节点中，三星采用COP工艺，即在同一块硅片上先后制造控制电路和存储单元，而长存的X-tacking工艺则是将两部分分别制造，再通过Hybrid Bonding键合，该工艺在400层以 【民生电子】三星与长存达成合作，重视#键合设备龙头拓荆科技！ 存储板块喜报频传，今日韩媒报告，三星已确认从V10开始，使用国产龙头长存的专利技术，特别是混合键合工艺，实现420-430层堆叠。 ➠在此前的技术节点中，三星采用COP工艺，即在同一块硅片上先后制造控制电路和存储单元，而长存的X-tacking工艺则是将两部分分别制造，再通过Hybrid Bonding键合，该工艺在400层以上3D NAND具有优势。 ➠此前海力士亦宣布400层以上NAND将采用类似的键合工艺，龙头存储厂路续转向混合键合工艺，技术路径已成大势所趋，键合设备需求空间增长可期！ 重点推荐国产混合键合设备龙头拓荆科技，公司供应长存及国内多家先进封装厂商，三星也有潜在突破预期。