中泰电子拓荆科技全球nand路线转向长存架构混合键合是关键工艺设备

#长存xtacking成为NAND未来主流技术路线韩媒报道，三星已确认从V10开始（预计420-430层）将采用中国长存的xtacking专利技术，三星作为全球nand 绝对龙头，技术转向标志着产业发生重大变化！据报道，海力士也将采取相同策略。 xtacking架构由长存自主设计，将I/O及记忆单元的外围电路、存储单元分别 【中泰电子|拓荆科技】全球nand路线转向长存架构，混合键合是关键工艺设备！ #长存xtacking成为NAND未来主流技术路线韩媒报道，三星已确认从V10开始（预计420-430层）将采用中国长存的xtacking专利技术，三星作为全球nand 绝对龙头，技术转向标志着产业发生重大变化！据报道，海力士也将采取相同策略。 xtacking架构由长存自主设计，将I/O及记忆单元的外围电路、存储单元分别生产在两片晶圆上，再通过Xtacking技术实现链接，与传统3D nand工艺不同。 Xtacking实现堆叠时采用混合键合技术，混合键合设备是关键。 #拓荆科技：国产W2W/C2W混合键合设备绝对龙头公司首台W2W键合产品Dione 300早在23年即通过核心大客户验证，并获得重复订单，为国产首台应用于量产的键合设备，该设备的性能和产能指标达到国际领先水平。 此外，公司还前瞻布局C2W表面预处理设备Propus和混合键合量测设备Crux 300——混合键合产品矩阵丰富度亦领先于国内。 拓荆科技深度：长江存储深度： 风险提示：下游大型晶圆厂扩产不及预期；行业竞争加剧。