全球NAND闪存路线转向长存架构,其中混合键合技术成为关键工艺设备。韩媒报道,三星将从V10(预计420-430层)开始采用中国长存的xtacking专利技术,海力士也将采取相同策略。xtacking架构由长存自主设计,将I/O及记忆单元的外围电路、存储单元分别生产在两片晶圆上,再通过Xtacking技术实现链接,与传统3D NAND工艺不同。Xtacking实现堆叠时采用混合键合技术,混合键合设备是关键。
拓荆科技作为国产W2W/C2W混合键合设备的绝对龙头,其首台W2W键合产品Dione 300早在2023年即通过核心大客户验证,并获得重复订单,性能和产能指标达到国际领先水平。此外,公司还前瞻布局C2W表面预处理设备Propus和混合键合量测设备Crux 300,混合键合产品矩阵丰富度领先于国内。
风险提示:下游大型晶圆厂扩产不及预期;行业竞争加剧。