计算机行业研究：RUBIN ULTRA的可能路线探讨

行业观点 铜互连逼近介质极限，PTFE混压成为Rubin Ultra潜在路线之一。随着SerDes速率从224G向448G迭代，铜互连瓶颈由导体转向介质，介质损耗对信号完整性约束显著增强，PTFE成为下一代潜在低损耗解决方案。产业并未选择整板使用PTFE，而是探讨PTFE作为芯层搭配M9级半固化片提供机械支撑的混压结构，兼顾高频信号性能与工艺可制造性，降低设备改造与工艺切换成本。国内产业链已经形成基材、加工环节的技术储备，但该方案尚未最终定案，能否落地取决于量产时点PTFE材料供给、PCB厂商混压工艺良率与成熟度。RubinUltra NVL576原定2027年下半年推出，Kyber机架存在制造延期传闻，平台功耗密度与互联复杂度大幅抬升，倒逼底层互连材料升级，PTFE混压路线的产业化时间窗口存在弹性，需要持续跟踪板厂验证进度。 PTFE信号性能优异，但热塑性属性大幅抬高加工制造门槛，球形硅微粉改性是实现量产的关键。PTFE分子低极性带来优异介电指标，10GHz条件下介电损耗低于0.0004，性能优于M9等级覆铜板，同时碳氟键赋予材料突出化学稳定性，是突破现有碳氢树脂性能天花板的候选材料。但PTFE属于热塑性材料，无交联固化反应，存在压合稳定性差、钻孔易产生毛刺、化学惰性造成孔金属化附着力不足等难题，需要等离子体等特殊工艺处理。混压架构用来平衡性能与制造难度，而PTFE芯层必须添加球形硅微粉，匹配热膨胀系数、提升板材刚度、改善钻孔加工性；填料添加比例又需要权衡介电性能。全球球形硅微粉市场高度集中，日本企业占据主导，国内厂商规模有限，同时粉体表面改性、分散、粒径复配工艺仍有壁垒，填料自给率、配方工程能力将制约PTFE覆铜板规模化落地。 PTFE混压推高工艺复杂度，但不改PCB行业“产能为王”核心逻辑。PTFE混压会拉长单板工时、增加工序步骤，在名义产能不变的情况下稀释有效产能，工艺难度越高，具备量产能力的产能溢价越高。行业已经出现“量降价升”特征，单位面积PCB价值提升成为收入增长核心驱动力。2026年上半年，胜宏科技、沪电股份、深南电路、生益电子、东山精密、鹏鼎控股、生益科技七家公司购建固定资产、无形资产和其他长期资产支付的现金合计约301.65亿元，较上年同期约118.14亿元增长约155%，扩产重点面向高多层、高频高速高端产能，并非简单复制旧产能。大规模资本开支带来设备折旧、人员、存货前置，造成短期成本增速高于收入，盈利能力阶段性承压，属于下一代工艺储备的必要代价。上游覆铜板厂商同步扩产，依靠产品结构升级实现业绩增长；无论最终是否落地PTFE混压，高速互连对板材复杂度的提升趋势确定，具备工艺know‑how的头部企业将持续享受结构性红利。 相关标的 1）PCB板厂：胜宏科技、沪电股份、深南电路、生益电子、东山精密、鹏鼎控股。2）覆铜板及上游材料：生益科技、南亚新材、华正新材。3）上游填料及电子布：联瑞新材、宏和科技。4）钻针及加工耗材：鼎泰高科、中钨高新。 风险提示 材料路线变更风险；产品节奏推迟风险；下游资本开支不及预期风险；扩产进度与良率爬坡不及预期风险；原材料价格波动风险；地缘政治与出口管制风险。 内容目录 一、铜互连逼近介质极限，PTFE混压成为Rubin Ultra潜在路线之一..................................31.1速率路线由224G向448G推进，介质材料成为延长铜互连生命周期的解法.......................31.2混压结构以PTFE作芯层、M9级半固化片提供机械支撑.......................................51.3设计尚未定案，采用与否取决于量产时点的材料与板厂就绪度.................................5二、PTFE信号性能优，热塑性抬高加工门槛........................................................62.1分子对称性与低极性决定介电性能，树脂体系沿此路径逐代演进...............................62.2热塑属性与低极性同时抬高压合、钻孔与除胶门槛...........................................72.3硅微粉是PTFE走向可制造的关键补偿，球形化与自给率构成上游约束..........................7三、PTFE混压方案不改产能为王趋势..............................................................93.1工艺复杂度上升直接稀释有效产能.........................................................93.2资本开支先行：七家公司上半年合计投入301.65亿元，为同期合计归母净利的1.81倍..........103.3投入与产出的阶段性错配，是为下一代工艺复杂度储备产能的代价............................113.4上游同步扩产，但是产能约束依然较大，结构升级驱动业绩爆发..............................11四、相关标的..................................................................................12五、风险提示..................................................................................12 图表目录 图表1：CEI-LR项目的发展历程.................................................................3图表2：448G系统采用互联拓扑实现互操作性.....................................................4图表3：英伟达在GTC上给出的Rubin Ultra NVL576原定时点落在2027年下半年.....................6图表4：PTFE为CCL中损耗最低的常见聚合物...................................................7图表5：不同类型硅微粉的主要应用性能对比......................................................8图表6：全球球形硅微粉主要企业竞争格局........................................................8图表7：球形二氧化硅主要指标..................................................................9图表8：胜宏科技2025年PCB产销与收入数据对比（量降价升）...................................10图表9：2026年上半年主要PCB与覆铜板公司资本开支与在建工程（单位：亿元）...................10图表10：2026年上半年胜宏科技成本与资产变动情况.............................................11图表11：2026年上半年鹏鼎控股盈利与资本开支情况.............................................11图表12：2026年上半年生益科技盈利与资本开支情况.............................................12 一、铜互连逼近介质极限，PTFE混压成为Rubin Ultra潜在路线之一 1.1速率路线由224G向448G推进，介质材料成为延长铜互连生命周期的解法 铜互连性能瓶颈正由导体侧向介质侧迁移，材料升级成为延续铜缆生命周期的关键变量。据SemiAnalysis，英伟达自GTC 2025起即在推进认证并采用PTFE（聚四氟乙烯）作为现有玻纤基覆铜板的替代方案，核心目的在于通过降低介质损耗，延长铜互连在规模化互联网络中的生命周期。我们认为，这一技术路线的切换标志着高速互连产业的核心矛盾已从"如何优化导体"转向"如何重构介质"，覆铜板材料体系有望迎来新一轮迭代周期，率先卡位低损耗介质材料供应链的厂商或将享受技术替代红利。 速率代际升级持续提速，448G时代对介质材料提出更为严苛的损耗要求。据光互联网络论坛（OIF）公开的CEI-448G框架文件，单通道速率沿56Gbps、112Gbps、224Gbps、448Gbps四代推进，448Gbps对应以太网速率400G至3200G与200T量级交换容量，时间轴自2026年起；OIF已于2024年7月启动CEI-448G框架项目，并计划在2026年欧洲光通信会议上演示448Gbps单通道信号。据新思科技公开技术资料，448G在铜互连上正收敛于PAM-6调制，奈奎斯特频率约86.7GHz。作为参照，224G时代的插入损耗要求已达56GHz下40dB量级，448G的对应指标仍在定义中；频率的持续上移意味着介质损耗在链路预算中的权重将进一步加大，低损耗介质材料的选择将直接决定信号完整性的边界。 来源：新思科技公开技术资料，国金证券研究所 PTFE方向明确，但产业化节奏取决于多层板加工能力的成熟进度。从产业层面看，材料升级是速率演进提出的刚性需求，但整个行业在这一方向的积累仍处于比较初级的阶段。PTFE作为替代方向在介电性能上具备显著优势，然而落到多层板的实际加工处理上仍属早期，在层压结合力、钻孔质量、尺寸稳定性等工艺环节仍面临诸多挑战。我们认为，产业侧的准备程度决 定的不是这条路线成立与否，而是它在哪一年真正落地；后续需重点关注头部PCB厂商在PTFE多层板工艺上的验证进度及核心设备商的配套方案，技术就绪与产能爬坡的共振时点将构成产业链的关键投资窗口。 1.2混压结构以PTFE作芯层、M9级半固化片提供机械支撑 据SemiAnalysis，当前产业讨论中的方案并非整板采用PTFE，而是以PTFE层作为芯层、搭配M9等级半固化片的混压结构。在这一架构下，玻纤布层主要提供机械强度与结构支撑，PTFE层则专注于承担高频信号传输性能，整体制造难度显著低于纯PTFE方案。这一结构选择本身即说明，PTFE的引入方式并非单纯追求材料性能的理论最优解，而是在信号完整性与工艺可行性之间寻求平衡；工艺成熟度正在成为决定PTFE导入节奏的关键约束变量，而非材料性能本身。 混压架构的采用意味着PTFE在覆铜板中的渗透将呈现渐进式特征，而非对现有材料体系的颠覆式替代。这种"芯层优化+保留传统增强层"的折中路径，一方面降低了PCB厂商的设备改造与工艺切换成本，另一方面也为产业链上下游的协同验证预留了缓冲空间。我们认为，混压方案有望加速PTFE从材料认证向批量应用的过渡，后续需重点关注头部PCB厂商在混压工艺良率提升及层间结合可靠性上的突破进度，这将成为判断产业化节奏的前瞻指标。 国内产业链的技术储备沿材料与加工两条主线展开，已形成一定的自主可控基础。材料端，生益科技在2026年半年度报告中披露，公司早在2005年即着手攻关高频高速封装基材技术难题，在国外技术封锁的背景下已开发出覆盖不同介电损耗等级的全系列高速产品、以及适配多介电应用场景与多技术路线的高频产品，并已实现多品种批量应用。加工端，生益电子在2026年半年度报告中明确将高多层PTFE PCB加工技术与混压技术并列为公司持续保持核心竞争力的行业领先核心技术。材料端的前瞻布局与加工端的关键工艺突破形成了有效协同，国内厂商在PTFE混压这一主流技术路线上已具备从基材到