长存三期投产在即 设备材料链迎机遇

长存控股招股书已挂网，详细披露了公司位于武汉东湖新技术开发区的三座12英寸3DNANDFlash晶圆产线情况，作为全球第三大NAND原厂，公司依托自研晶栈Xtacking架构持续迭代，300层以上3DNAND已量产出货。报告还展示了公司一期、二期产线已满产，2026年Q1产能利用率为98.02%，三期预计2026年底投产，未来产能有望持续释放。此外，2025年公司实现营收631.85亿元（同比+39.8%），毛利率35.3%（同比+2.8pcts），归母净利润142.11亿元（同比+109.9%），现金流充足支撑未来扩产动能。

3DNANDFlash赛道正加速发展，随着存储技术迭代，300层以上3DNAND已量产出货，未来300-400层技术将成为主流方向。长存控股依托自研晶栈Xtacking架构持续迭代，已具备领先优势。全球NAND原厂竞争激烈，但中国厂商产能扩张迅速，预计2026年底长存三期投产将进一步提升市场份额。设备材料链企业将受益于上游扩产需求，相关环节供应商迎来发展机遇。

本报告重点分析了长存控股的产能扩张计划，特别是三期产线的投产时间与预期产能释放，以及公司依托自研晶栈Xtacking架构的技术优势。报告还详细披露了公司盈利能力的变化，2025年营收、毛利率、净利润均实现显著增长，现金流充足支撑未来扩产。此外，报告也提及了公司在武汉东湖新技术开发区的布局，以及作为全球第三大NAND原厂的行业地位。

当前NAND原厂市场竞争格局以三星、SK海力士、美光三巨头为主，长存控股作为全球第三大NAND原厂，已具备一定规模优势。随着国内厂商产能扩张加速，市场竞争日趋激烈。长存控股依托自研晶栈Xtacking架构持续迭代，300层以上3DNAND已量产出货，技术实力得到验证。未来，设备材料链企业需关注上游扩产带来的机遇，同时也要应对技术迭代带来的挑战。

本报告提示的主要风险包括：技术迭代风险，3DNANDFlash技术路线存在不确定性，若公司自研晶栈Xtacking架构迭代不及预期，可能影响竞争力；产能扩张风险，三期产线投产进度存在不确定性，若延期可能影响产能释放计划；市场竞争风险，NAND原厂竞争激烈，若公司产能利用率不及预期，可能影响盈利能力。此外，设备材料链企业需关注上游扩产带来的订单波动风险。