源杰科技拟投资约42.68亿元建设半导体科技产业园,规划用地约126亩,建设期为24个月,主要建设激光器芯片生产线、生产厂房及配套设施。本次扩产的核心目标是突破现有产能瓶颈,扩大高端激光器芯片生产规模,聚焦高速激光器芯片及数据中心市场。通过产能扩充与工艺优化,提升生产效率、产品稳定性及国内外客户订单交付能力,并进一步扩大全球市场份额。此前,公司已将50G光芯片产业化项目投资额提升至7.57亿元,规划12.51亿元研发生产基地二期,并拟投资不超过5000万美元建设美国生产基地。此次再度大规模扩产,进一步彰显了公司对高端光芯片市场的战略布局和长期发展信心。