本报告分析了国盛电子的技术优势与市场地位,指出公司掌握LDI激光成像、真空二流体、mSAP等高端制程技术,可量产10 m μ超细线路,并积累四百余项专利。产品覆盖消费HDI到光模块、存储载板等高端品类,深度绑定全球一线终端、通信厂商。2025年营收36.77亿元,同比增长36.06%;归母净利润5.4亿元,同比增长152.37%。报告强调mSAP技术适配AI硬件严苛传输要求,推动高阶HDI增量,公司已完成800G/1.6T光模块PCB验证并获得订单,同步布局存储IC载板,充分受益AI硬件全周期产业红利。
高端PCB赛道正受益于AI算力、光模块、存储载板等领域的需求爆发。传统减成法Tenting难以满足10-30 mμ精细线路要求,而mSAP技术可实现超细线路加工,适配AI硬件严苛传输需求。从光模块、内存模组到先进封装,mSAP和高阶HDI技术将多维度拉动增量,1.6T光模块用基板价值量较800G光模块翻倍。随着AI算力需求持续增长,高端PCB产能规划清晰,如国盛电子的50亿元高阶mSAP产业化项目,将匹配长期订单需求,行业前景广阔。
报告重点分析了国盛电子的技术与客户双重核心壁垒,包括掌握LDI激光成像、真空二流体、mSAP全套高端制程,可量产10 m μ超细线路,并积累四百余项专利。产品矩阵覆盖消费HDI到光模块、存储载板全高端品类,深度绑定全球一线终端、通信厂商。报告还关注公司产能规划,如IPO募投项目年产120万平高精密HDI产线已投产,50亿元高阶mSAP产业化项目规划,以及海外越南工厂建设,显示公司产能扩张清晰,高端产能放量在即。
当前高端PCB市场正经历快速发展,AI算力、光模块、存储载板等领域需求旺盛。国盛电子通过mSAP技术实现超细线路加工,适配AI硬件严苛传输要求,从光模块、内存模组到先进封装多维度拉动增量。公司已完成800G/1.6T光模块PCB验证,获得国内头部光模块厂商订单,同步布局存储IC载板,头部客户验厂通过。行业整体产能扩张加速,如国盛电子的募投项目已投产,高端产能逐步放量,市场供需关系持续改善。
研报提示的主要风险包括技术迭代不及预期,新业务拓展未达预期,以及市场竞争加剧。技术迭代方面,若mSAP等高端制程技术发展不及预期,可能影响公司产品竞争力;新业务拓展方面,若光模块、存储IC载板等新业务进展缓慢,可能影响业绩增长;市场竞争方面,高端PCB领域竞争激烈,若公司无法维持技术领先和客户深度绑定,可能面临市场份额被挤压的风险。需关注技术更新、新业务进展及行业竞争格局变化。