东吴电子陈海进 DrMOS供需紧张驱动涨价

这份研报主要分析了DrMOS的供需情况，指出海外8英寸BCD产能因台积电转向CoWoS先进封装而结构性收缩，导致供应缺口。同时，AI算力放量和服务器功率升级推动了DrMOS需求增长，特别是国内服务器厂商导入国产方案提供了增量支撑。研报强调了结构性短缺的持续性和国产替代的重要性。

DrMOS赛道未来发展趋势向好，主要受AI算力放量、服务器功率升级及光模块场景新增量驱动。供给端，结构性短缺短期内难以缓解，海外代工厂无扩产规划，MPS、英飞凌等替代方案尚需时间成熟。需求端，AI服务器和高端光模块将持续拉动用量，国产替代进程加速为行业带来增量机会。

研报重点分析了DrMOS供给端的产能结构性收缩原因，包括台积电产能转移至CoWoS、代工厂无扩产计划等，以及需求端的AI算力放量、服务器功率升级和光模块新增应用场景。此外，还探讨了国产替代的进展和潜在增量空间，为投资者提供了全面的行业分析视角。

当前DrMOS市场呈现结构性短缺状态，主要由于海外8英寸BCD产能向CoWoS转移导致供应紧张。代工厂短期内无扩产计划，加剧了供需矛盾。需求端，AI算力发展和服务器功率提升持续拉动需求，但海外MPS、英飞凌等替代方案面临交期延长问题。市场整体处于供不应求阶段，但国产替代进程为长期发展提供了一定支撑。

研报提示的主要风险包括海外产能转移的不可逆性导致供应持续紧张，以及替代方案MPS、英飞凌等厂商交期延长可能带来的供应链波动。此外，AI算力发展不及预期或服务器功率升级缓慢，也可能影响DrMOS需求的实际增长速度。同时，国产替代进程的推进速度和成熟度也存在不确定性，可能影响行业整体发展节奏。