电子行业点评报告：存储涨价持续兑现，原厂业绩验证景气上行

存储涨价持续兑现，原厂业绩验证景气上行 增持（维持） 2026年08月06日 证券分析师张良卫执业证书：S0600516070001021-60199793zhanglw@dwzq.com.cn ◼存储价格二季度集中补涨，DRAM现货强势延续至7月：二季度DRAM合约价集中补涨，服务器RDIMM、PC DIMM及移动LPDDR5均价环比分别上涨约57%、52%和67%，DDR5 16Gb合约价环比上涨约53%；NAND合约价与产品价格同步补涨，1Tb TLC/QLC合约均价环比上涨67%~69%，客户端SSD、eMMC及UFS涨幅更为显著；7月DDR5现货价格环比继续上涨约8%，为三季度合约价上行提供支撑。 ◼二季度价格指引验证，多数产品涨幅达到或超出指引：PC DIMM、ClientSSD、UFS及eMMC实际涨幅高于TrendForce/CFM预测，服务器RDIMM高于CFM预测，DDR5 16Gb合约价及移动LPDDR5略低于预测，整体涨价兑现度较高。 相关研究 《MLCC大厂发布业绩，AI MLCC景气度得以进一步验证》2026-08-03 ◼三季度价格展望乐观，外资行预测普遍高于产业机构：TrendForce预计三季度传统DRAM合约价环比上涨13%~18%、NAND合约价环比上涨10%~15%；Morgan Stanley、UBS等外资行预测DRAM涨幅可达20%~32%，美银、高盛对NAND涨幅的预测亦高于产业机构。 《海外算力周跟踪：云厂商持续上修资本开支，AI叙事有望进一步向电力侧延伸》2026-08-02 ◼原厂业绩验证景气上行，长协锁定中长期需求：三星与五大CSP签订5年期滚动长协，现有产能难以满足全部供货请求；美光已签署16份SCA长协、对应约220亿美元现金存款及相关承诺，管理层称供需缺口"看不到尽头"；SK海力士HBM4提前批量出货并锁定约10家核心客户多年长协；凯侠坚持价格与利润优先，目标2028年长协覆盖率达50%。 ◼投资建议：存储涨价周期持续兑现，AI服务器与HBM需求挤占先进DRAM产能，原厂以长协锁定供给、供需缺口中期内难以缓解，建议重点关注：1）受益于存储涨价的原厂及模组厂；2）HBM与先进制程产能紧张带来的产业链配套机会；3）企业级SSD、接口芯片等需求弹性较大的细分环节。 ◼风险提示：存储价格上涨不及预期，AI服务器及终端需求不及预期，原厂扩产导致供需格局恶化，行业竞争加剧及价格下降风险。 内容目录 1. DRAM：二季度合约价集中补涨，现货强势延续至7月...............................................................42. NAND：产品端集中补涨，现货价格率先回落................................................................................53.二季度价格指引验证：多数产品涨幅达到或超出指引..................................................................64.三季度价格展望：外资行普遍高于产业机构..................................................................................75.原厂季度业绩概览：长协锁定需求，景气持续验证......................................................................86.投资建议............................................................................................................................................117.风险提示............................................................................................................................................11 图表目录 图1：服务器、PC端、移动端Dram产品月度价格（美元）..........................................................4图2：Dram部分产品月度价格（美元）............................................................................................4图3：NAND部分产品月度价格（美元）..........................................................................................5图4：NAND部分产品月度价格（美元）..........................................................................................5图5：Dram 2026Q2实际价格涨幅与指引验证情况...........................................................................6图6：NAND 2026Q2实际价格涨幅与指引验证情况........................................................................6图7：DRAM分产品预测矩阵(CFM)...............................................................................................7图8：Dram 2026Q3价格预测..............................................................................................................7图9：NAND 2026Q3价格预测...........................................................................................................7图10：三星业绩概览.............................................................................................................................8图11：美光业绩概览.............................................................................................................................9图12：SK海力士业绩概览..................................................................................................................9图13：凯侠业绩概览...........................................................................................................................10图14：闪迪业绩概览...........................................................................................................................11 1.DRAM：二季度合约价集中补涨，现货强势延续至7月 二季度DRAM价格呈现"合约价集中补涨、现货价格持续上行"的特征。DDR5 16Gb合约价4月涨幅明显，服务器RDIMM、PC DIMM及移动LPDDR5二季度均价分别环比上涨约57%、52%和67%。 数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所 AI服务器与HBM持续挤占先进DRAM产能，叠加客户提前锁定供应，支撑传统DRAM价格上涨。7月DDR5现货价格继续环比上涨约8%，为三季度合约价上行提供支撑。 数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所 2.NAND：产品端集中补涨，现货价格率先回落 二季度NAND合约价和产品价格完成集中补涨。1Tb TLC/QLC合约均价环比上涨67%~69%，客户端SSD、eMMC及UFS价格涨幅更为显著，其中Client SSD 1TB、UFS512GB、eMMC 128GB二季度均价环比分别上涨83%、160%和135%。 数据来源：Bloomberg，东吴证券研究所 与产品价格上涨形成对比，TLC和QLC现货价格自3月高点逐步回落。6月现货价格较3月下降约5%~8%，表明二季度涨价更多体现为合约及终端产品的集中重定价，现货市场的边际动能已经减弱。 3.二季度价格指引验证：多数产品涨幅达到或超出指引 以Bloomberg实际价格为基准对比TrendForce与CFM二季度指引，多数产品实际涨幅达到或超出指引。DRAM方面，PC DIMM 16GB环比上涨51.5%、服务器RDIMM64GB上涨56.7%，均高于预测；DDR5 16Gb合约价上涨53.2%，略低于TrendForce预测；移动端LPDDR5 64Gb上涨66.7%，低于预测。 NAND方面，Client SSD 1TB、UFS 512GB和eMMC 128GB涨幅分别达83%、160%和135%，均显著高于预测；TLC/QLC 1Tb合约价上涨40%~42%，低于Wafer口径指引。 4.三季度价格展望：外资行普遍高于产业机构 产业机构方面，TrendForce预测三季度传统DRAM合约价环比上涨13%~18%，NAND合约价环比上涨10%~15%。CFM分产品预测矩阵亦覆盖服务器端、移动端与PC端，整体指引延续上行。 外资行预测普遍更为乐观。 DRAM方面，高盛预测三星传统DRAM ASP环比上涨16%，美银预测全球DRAMASP上涨21%，Morgan Stanley预测DRAM价格上涨20%~30%，UBS预测DRAM合约价上涨32%； 数据来源：Trendforce，高盛，美银、UBS，东吴证券研究所 NAND方面，美银预测全球传统NAND ASP上涨15%，高盛预测三星NAND ASP上涨21%，UBS预测NAND价格上涨30%。 数据来源：Trendforce，高盛，美银、UBS，东吴证券研究所 5.原厂季度业绩概览：长协锁定需求，景气持续验证 三星电子（2026Q2）：2Q26 DRAM Bit、NAND Bit出货量环比均增长个位数；公司指引3Q26 DRAM Bit出货量环比增长中个位数，NAND Bit出货量环比增长高个位数。长协覆盖大部分产能：三星计划将约60%~70%的总产能分配给长期供货协议，目前已与五大CSP签订多年期供货协议，合同期限以5年为基础，可通过年度协商逐年续期，形成滚动长协；随着客户签约需求持续增加，公司表示现有产能已难以满足全部供货请求。 美光（FY2026Q3）：管理层称市场紧张