本报告重点分析了DRAM和NAND两种存储产品的价格趋势。二季度DRAM合约价集中补涨,服务器RDIMM、PC DIMM及移动LPDDR5均价环比分别上涨约57%、52%和67%,DDR5 16Gb合约价环比上涨约53%。NAND方面,1Tb TLC/QLC合约均价环比上涨67%~69%,客户端SSD、eMMC及UFS价格涨幅更为显著,其中Client SSD 1TB、UFS512GB、eMMC 128GB二季度均价环比分别上涨83%、160%和135%。
AI服务器与HBM需求持续挤占先进DRAM产能,导致DRAM价格上涨。报告指出,这些需求支撑了传统DRAM价格上涨,同时客户提前锁定供应进一步加剧了供需紧张。长协锁定需求成为原厂验证景气上行的关键因素,约60%~70%的总产能分配给长期供货协议,现有产能难以满足全部供货请求。
NAND市场在二季度完成了产品端集中补涨,1Tb TLC/QLC合约均价环比上涨67%~69%,客户端SSD、eMMC及UFS价格涨幅显著。然而,与合约价上涨形成对比的是,TLC和QLC现货价格自3月高点逐步回落,6月现货价格较3月下降约5%~8%。这表明NAND市场供需关系正在发生变化,现货价格率先出现回落迹象。
报告预测三季度传统DRAM合约价环比上涨13%~18%,NAND合约价环比上涨10%~15%。外资行预测普遍更为乐观,例如高盛预测三星传统DRAM ASP环比上涨16%,美银预测全球DRAMASP上涨21%。AI服务器与HBM需求持续增长,预计将长期支撑存储行业景气度。
本报告提示了存储行业的主要风险,包括存储价格上涨不及预期风险、AI服务器及终端需求不及预期风险、原厂扩产导致供需格局恶化风险以及行业竞争加剧及价格下降风险。这些风险可能影响原厂及模组厂的业绩表现,投资者需密切关注市场动态。