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西部证券详解半导体设备国产化机遇会议纪要

2026-07-29 未知机构 M.凯
报告封面

发布时间:2026-07-29 一、核心要点 1. 本次会议为西部证券研究所举办,明确不构成投资建议,参会者自主决策并承担风险,内容未经许可不得复制引用,会议已结束,参会提问有明确规则 2. 国内半导体扩产以2026年存储类(长存两存、长鑫、华虹)为主,规模大于逻辑类,存储扩产对设备增量需求更大,逻辑扩产对设备要求更高 3. 先进制程(14纳米)设备方面,每万片晶圆约需56台刻蚀设备、42台薄膜设备,其中原子层沉积(ALD)占薄膜设备约2/5,是先进制程增量最大的薄膜设备类型,高深宽比(60:1以上、90:1)生产需高附加值先进制程设备 4. 量测检测设备方面,技术分为光学(市占约80%)、电子束(市占约20%)、X光(市占约3%),28/14/7纳米该类设备需求递增,国产化率约7-8%,中科飞测、上海精测进度领先,XKG电子枪等核心零部件依赖进口 5. 后道测试设备方面,存储与SoC测试需求有差异,AI相关复杂芯片对后道测试设备需求成倍增长,金海通、长川科技有布局,金智达存储测试机获批量订单,SoC类仍在验证 6. 半导体设备应用与价值方面,国内存储领域(长存)测产设备突破较快,但仍多用海外设备,长存DRAM环节多使用介质类刻蚀、薄膜设备(如华创ICP、拓金PCVD);先进制程设备附加值高、利润空间大,国内厂商(如中微公司)已布局先进制程设备(如去年12月发布的金属钨刻蚀设备),成熟制程设备竞争较激烈,半导体设备服役可达20多年,折旧体现于高价值设备二、风险与关注 1. 半导体设备核心零部件(如XKG电子枪)仍依赖进口,先进制程设备布局进度及国产化落地存在不确定性 2. 成熟制程半导体设备竞争激烈,先进制程技术壁垒高,国内厂商追赶仍需突破诸多挑战 3. 半导体扩产节奏及需求变化可能影响设备增量,后道SoC测试设备进展存在不确定性三、投资线索 1. 关注半导体量测检测设备领域的中科飞测、上海精测(国产化进度领先)2. 关注后道测试设备领域的金海通、长川科技,以及已获批量订单的金智达(存储测试机)3. 关注先进制程半导体设备布局的国内厂商,如发布金属钨刻蚀设备的中微公司