标准落地加速行业规范化，智驾产业链迎来机遇；薄膜沉积设备是半导体设备国产化的重要一环，国产厂商正加速突破

2025/09/29 19:43 今日研报内容： 1、组合辅助驾驶迎来“强监管”新阶段，L3正式准入节点有望在2026年2、系统组装，正成为AI服务器升级新驱动力3、薄膜沉积设备是半导体设备国产化的重要一环，这些国产厂商正加速突破4、低渗透率高IRR，储能迎来非线性增长的奇点 【本文来自持牌证券机构，不代表平台观点，请独立判断和决策】 摘要： 1、辅助驾驶：从投资视角来看，当前应重点关注两大方向：一是政策合规驱动的市场需求，包括驾驶员监测系统（DMS）、数据记录系统以及测试验证平台等领域，这些环节将直接受益于标准实施带来的增量需求；二是技术升级引领的产业机遇，智能驾驶域控制器、车规级芯片、线控执行机构等核心部件将持续受益于产业技术迭代。 2、AI服务器：东方证券研报指出，晶圆制造工艺升级和先进封装满足了个人电脑、智能手机等产品的性能升级，但仍可能跟不上AI算力需求的增长和AI服务器性能的快速发展需求。系统组装正成为性能提升的新驱动力。 3、半导体设备：2023年国内薄膜沉积设备市场规模约479亿元，国产化率低于25%，国产空间较大。新工艺新结构拓宽薄膜沉积设备空间，ALD在先进节点及3D结构中应用广泛。 3、储能：中信建投研报指出，136号文促进新能源全面入市，给新能源带来挑战，同时也给储能带来前所未有的发展机遇。容量电价、容量补偿已成为取代强制配储的市场化手段，为储能提供有力的保底收益。 正文： 1、组合辅助驾驶迎来“强监管”新阶段，L3正式准入节点有望在2026年，产业链处于布局关键窗口 随着组合辅助驾驶功能进入规范化发展新阶段，相关政策标准正稳步推进落地进程，2025-2027年将形成清晰的“标准制定-过渡实施-全面生效”三阶段路径，这一进程将为L3级自动驾驶准入奠定制度基础，国海证券认为L3正式准入节点有望在2026年后到来，当前正处于产业链布局关键窗口期。 从投资视角来看，当前应重点关注两大方向：一是政策合规驱动的市场需求，包括驾驶员监测系统（DMS）、数据记录系统以及测试验证平台等领域，这些环节将直接受益于标准实施带来的增量需求；二是技术升级引领的产业机遇，智能驾驶域控制器、车规级芯片、线控执行机构等核心部件将持续受益于产业技术迭代。 1）汽车产业新政聚焦：稳增长与强安全 2025年9月，汽车产业政策密集出台，形成“稳增长”与“强安全”双轮驱动的新格局。八部门联合印发的《汽车行业稳增长工作方案（2025-2026年）》设定稳健增长目标，重点从消费刺 激、供给升级、环境优化、国际合作四大维度推动产业高质量发展，其中智能网联与L3级自动驾驶被明确列为拉动消费升级的关键抓手。 同期，工信部就《智能网联汽车组合驾驶辅助系统安全要求》强制性国标征求意见，标志着L2/L2+级辅助驾驶进入标准化、规范化发展新阶段。该标准通过严格界定人机交互时序、系统能力边界，构建了“场地+道路+文件检验”的多层级评价方法，为行业提供清晰可执行的安全底线。 2）智能驾驶政策梳理：中央定标准，地方探场景 国家层面政策注重引导与规范并行，通过构建覆盖技术研发、产品准入、生产监管等全链条的政策体系，为产业发展提供稳定的制度环境。特别是2021年以来，《关于加强智能网联汽车生产企业及产品准入管理的意见》、《国家车联网产业标准体系建设指南（智能网联汽车）（2023版）》等关键政策的陆续出台，标志着我国智能驾驶监管体系已形成从顶层设计到具体实施的完整路径。 地方层面政策则突出试点突破与差异化探索，各主要城市根据自身优势开展多样化实践。广州侧重资金补助推动规模化应用，北京开放个人乘用车场景，深圳聚焦智能驾驶技术突破与商业模式融合，武汉构建“车路云一体化”体系，形成了多维度、多层次的试点格局。2023年启动的“准入+上路”双试点及后续的“车路云一体化”应用试点，推动产业从技术验证迈向商业化探索新阶段。 3）标准落地加速行业规范化，智驾产业链迎来机遇 中国汽车产业正从规模增长向质量发展深化，智能网联领域的技术创新与安全合规成为核心驱动力。政策的密集落地并非限制产业发展，而是为高阶智驾（L3级）的全面商业化作铺垫。投资视角需关注政策规范下的技术升级路径与产业链格局变化。 ①合规刚性需求领域： 驾驶员监测系统（DMS）：标准对驾驶员状态监测提出明确要求，包括视线追踪、手部监测等，有望推动DMS从选配向标配转变。利好传感器及算法芯片供应商。 数据记录系统：标准要求配备事件数据记录功能，且数据需满足“锁定不可覆盖”要求，为事故责任认定提供关键数据支撑，利好相关汽车数据安全与存储企业。 测试验证平台建设：标准实施需要完善的测试验证能力，相关测试场地、设备需求或增加。 ②技术升级与产业链重构 智能驾驶域控与芯片：算力需求有望持续提升，域控制器厂商与车规级芯片龙头或优势巩固。 线控执行机构：风险减缓功能（RMF）等功能依赖线控制动/转向等执行部件，技术壁垒高、价值量有望显著提升。 相关标的： 整车：理想汽车、小鹏汽车、蔚来汽车、鸿蒙智行合作车企； 智能驾驶解决方案商：Momenta、元戎启行； 汽车零部件：舜宇光学科技、禾赛-W、速腾聚创、地平线机器人-W、黑芝麻智能、中国汽研、中汽股份、德赛西威、均胜电子、科博达、经纬恒润、伯特利、耐世特、浙江世宝等。 2、系统组装，正成为AI服务器升级新驱动力 东方证券研报指出，晶圆制造工艺升级和先进封装满足了个人电脑、智能手机等产品的性能升级，但仍可能跟不上AI算力需求的增长和AI服务器性能的快速发展需求。系统组装正成为性能提升的新驱动力。 过去数十年电子行业的发展主要依赖晶圆制造工艺的快速进步，体现为摩尔定律：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月到24个月便会增加一倍，或处理器的性能大约每两年翻一倍，同时价格下降为之前的一半。 1970年代的Intel4004芯片集成了2250个晶体管，晶体管之间的距离是10微米（10,000nm），而台积电的最新工艺制程已从2011年的28nm升级至2025年的2nm，并有望在2028年升级至A14工艺（1.4nm）。 但展望未来，制程工艺的升级可能呈现放缓的趋势，目前甚至有摩尔定律已死的观点。先进封装成为芯片性能提升的又一驱动力。 在制程工艺升级放缓背景下，增加单颗裸晶（die）的面积可以增加晶体管数量，从而提升计算能力。但受限于光刻机的设计、光罩面积等因素，可处理的极限尺寸（reticlelimit）大约为800-900mm²，而英伟达的H100单颗裸晶面积已处于该极限范围。 英伟达在B200中开始采用双颗裸晶合封的先进封装工艺，实现了单一封装内集成了2080亿颗晶体管，超过H100（800亿颗晶体管）数量的两倍。据英伟达的技术路线图，RubinUltra的单一封装将集成4颗裸晶，实现单卡100PFFP4的算力。 晶圆制造工艺升级和先进封装满足了个人电脑、智能手机等产品的性能升级，但仍可能跟不上AI算力需求的增长和AI服务器性能的快速发展需求。系统组装正成为性能提升的新驱动力。AI服务器中的GPU数量从常规的单台服务器8张GPU升级至单个机柜72张GPU，并将在2027年的VRUltraNVL576机柜中升级至144张GPU（每张GPU封装了4颗GPU裸晶，合计576颗GPU裸晶）。 GPU数量的提升带来散热等要求的大幅提升，系统组装难度大幅提升，比如：GB200NVL72的产能爬坡就受到系统组装难度的限制。行业龙头公司具有技术领先优势，有望受益于系统组装行业门槛的提升和竞争环境的改善。关注工业富联、海光信息、华勤技术等AI服务器系统组装相关标的。 3、薄膜沉积设备是半导体设备国产化的重要一环，这些国产厂商正加速突破 2023年国内薄膜沉积设备市场规模约479亿元，国产化率低于25%，国产替代空间较大。 1）国产厂商多维发展突破海外垄断 2024年12月，美国BIS修订了《出口管理条例》，对高深宽比结构、新金属材料等尖端应用所需的薄膜沉积设备实施新的管控。 根据SEMI和中国电子专用设备工业协会数据，2023年国内薄膜沉积设备市场规模约479亿元，国产化率低于25%。 目前国内薄膜沉积设备厂商主要包括北方华创、拓荆科技、微导纳米、中微公司、盛美上海和晶盛机电等，各厂商发展侧重点不同，共同助力薄膜沉积设备国产化崛起。 2）新工艺新结构拓宽薄膜沉积设备空间，ALD在先进节点及3D结构中应用广泛薄膜沉积可分为PVD、CVD和ALD三大类。 ①逻辑： 随着制程不断微缩，多重曝光技术开始应用，其中需要ALD进行多次的侧墙沉积。28nm及以下节点采用的HKMG工艺将采用ALD沉积栅介质层和金属栅极。 GAA是3nm以下节点的首选结构，除HKMG仍将采用ALD技术沉积外，内侧墙的制备也需通过ALD进行Low-K材料填充后再进行回刻形成；此外，GAA需通过外延技术生长出Si-SiGe的超晶格结构以及源极和漏极。 ②NAND： 3DNAND层数正不断提高，或将于2030年突破千层。ALD可满足沟道硅、隧道氧化物、字线钨等高深宽比结构中材料的均匀填充。 ③DRAM： 随着DRAM制程进入2x-nm及以下节点，AA、SNC等结构将采用多重曝光技术进行制备，需ALD进行侧墙沉积。 单个电容器尺寸正不断缩小，器件内部沟槽以及深孔的深宽比也越来越大，需采用ALD进行此类结构的填充，如SN孔中High-K电介质叠层沉积。 未来3DDRAM结构有望出现，高深宽比结构将大幅增多，显著刺激ALD设备的需求。 3）核心公司 北方华创（PVD实现对逻辑/存储芯片金属化制程全覆盖；CVD实现金属硅化物、金属栅极、钨塞沉积、High-KALD等工艺设备的全覆盖）； 中微公司（正在开发近40种导体薄膜LPCVD/ALD/PVD薄膜沉积设备，已有六款薄膜沉积产品推向市场）； 拓荆科技（PECVD实现全介质薄膜覆盖，同时布局ALD、SACVD、HDPCVD、超高深宽比沟槽填充CVD以及混合键合设备）； 微导纳米（ALD技术为核心，CVD等多种真空薄膜技术梯次发展）； 盛美上海（布局立式炉管设备和PECVD设备）； 晶盛机电（8-12英寸减压外延设备、ALD设备）。 4、低渗透率高IRR，储能迎来非线性增长的奇点，分析师上调储能装机容量预期 中信建投研报指出，136号文促进新能源全面入市，给新能源带来挑战，同时也给储能带来前所未有的发展机遇。容量电价、容量补偿已成为取代强制配储的市场化手段，为储能提供有力的保底收益。 同时新能源市场化促进峰谷价差拉大，与容量电价配合，多个省份独立储能项目已取得良好的经济性。储能经济性的提升将带来行业爆发式非线性增长，上调2025-2027年全球新增储能装机至272、441、642GWh，同比增速分别为46.6%、62.1%、45.6%。 1）政策、市场双管齐下，经济性提升促使储能实现爆发式增长 我国新能源上网电价政策先后经历核准电价、标杆电价、平价上网时期，136号文后将进入全面市场化交易时期。136号文提出机制电价、机制电量手段作为过渡，对增量项目均提出了很高的市场化要求。山东首批机制电价竞价结果相较煤电基准电价折价明显，标志新能源市场化改革进入深水区。 河北、甘肃、宁夏、山东、内蒙等多省推出容量电价、容量补偿政策，为储能提供了有力的保底收益。同时，新能源进入市场促进各省峰谷价差显著拉大，如山东、山西等省新能源装 机容量增长，导致今年以来峰谷价差明显提高。容量电价、容量补偿政策结合市场化峰谷套利，多省储能项目可实现良好的经济性，尤其以内蒙为明显。 同时，测算光伏项目通过自发配储将电力转移至高电价时段上网，将具备明显的经济性，消纳困难的地区自发配储有望成为趋势。 2）上调储能装机容量预期，各环节龙头公司受益 全球储能需求在新能源渗透率提升、储能系统成本价格下降双重驱动因素下同步爆发，国内外储能需求实现共振，带动板块进入新周期。 中信建投