核心观点与关键数据
- mSAP工艺优势:适用于线宽线距要求高的应用场景(可达15um以下),具备图形电镀、正片曝光、快速蚀刻等优势,相较于传统减成法精度更高、铜厚更低。
- 应用场景:最初应用于智能手机(iPhone、三星Galaxy),未来AI光模块和NV-CoWoP技术将带动市场需求快速扩容。
- 光模块与CoWoP技术驱动:光模块向800G-1.6T-3.2T迭代需使用SLP类载板,CoWoP技术取消传统封装基板,推动主板线路细化和类载板化。
上游材料拉动分析
- 直写光刻:mSAP需求带动直写光刻设备增长,国内芯碁微装有望受益国产替代。
- 电镀线:mSAP对铜厚均匀性要求更高,国内东威科技VCP设备市占率超50%。
- 载体铜箔:日本三井金属占据90%市场份额,扩产有限,国内铜冠铜箔、方邦股份等需加快验证导入。
- 药水:mSAP技术难点在于基铜、电镀、闪蚀,国内光华科技、天承科技等参与其中。
- low-CTE电子布:mSAP层使用T布,日东纺新产能预计26H2释放,国内宏和科技、中材科技等需关注供应紧张。
- low-dk二代布、HVLP4铜箔:1.6T光模块需M8+二代布+HVLP4铜箔,国内铜冠铜箔、国际复材等需关注供需缺口和涨价趋势。
投资建议与风险提示
- 投资建议:关注直写光刻(芯碁微装)、电镀线(东威科技)、载体铜箔(铜冠铜箔、方邦股份、德福科技)、药水(光华科技、天承科技)、low-CTE电子布(宏和科技、中材科技、国际复材、中国巨石)、low-dk二代布、HVLP4铜箔(铜冠铜箔、国际复材、宏和科技、中材科技、中国巨石)。
- 风险提示:算力需求不及预期、行业竞争格局恶化、原材料价格波动。