SemiAnalysis拆解报告:中芯国际N+3工艺密度超越台积电N6,但性能与能效差距仍存要点中芯国际N+3工艺核心实测数据・华为麒麟9010芯片采用中芯国际第三代7nm工艺(内部代号N+3),是当前中国大陆最先进的制程工艺,SemiAnalysis旗下STEEL拆解实验室对其进行了电子显微镜观测,测得其最小金属间距为32.5纳米。・与台积电N6工艺(采用西方最先进设备生产,受出口管制限制中国大陆公司无法获取同等设备)的对比数据:–台积电N6工艺的最小金属间距为40纳米,中芯国际N+3工艺的最小金属间距比其小约18.75%。–中芯国际N+3工艺的晶体管密度为1.3亿个/平方毫米,台积电N6工