全球存储芯片科技周报：2026年第三季度DRAM ASP大幅上涨，台积电/ASML指引加持下存储行业上行

每周主题：第三季度DRAM平均售价上涨显著，内存市场向好，受台积电/阿斯麦指引提振 行业概览 2026年7月16日 我们从第三季度合同价格核查中学到了什么投资者日益关注内存芯片制造商可能出现的第三季度盈利不及预期，鉴于其平均售价（ 权益全球科技 ASP）涨幅有限，未能达到市场预期。这促使我们更仔细地核查了新谈判的第三季度DRAM合同价格。我们了解到的情况如下：（1）服务器DRAM价格走强，环比上涨20-30%，主要受高速LPDDR5推动，高于市场预期的20%或更低水平；（2）现货需求乐观，主要受通用DDR5甚至传统DDR4推动，七月价格环比再次上涨；（3）近期高价HBM4订单量上升，而低价HBM3e订单量下降；（4）基于长期协议（LTA）的DRAM销售占总销售量的比例远低于50%，非LTA部分占60-70%，且环比价格稳步上涨（例如5-10%），且价格常在LTA框架下达成；（5）部分原始设备制造商（OEM）的加急订单证实通用DRAM和NAND环比价格上涨了20%以上。总体而言，我们对第三季度DRAM ASP的全球预测为环比上涨21%，与渠道调研结果一致。这比TrendForce当前对第三季度传统DRAM环比上涨13-18%的假设更为乐观，或比仅包含HBM的8-13%的假设更为乐观。当然，TrendForce对第二季度DRAM ASP的假设——仅针对传统DRAM环比上涨58-63%，或包含HBM的整体混合基准环比上涨53-58%——似乎比韩国特定平均水平的假设高出10个百分点，但与韩国以外的全球假设相符。 simon.woo@bofa.com西蒙·吴，CFA持证人美林证券（首尔）研究分析师 +82 2 3707 0554 dai.shen@bofa.com戴神美林证券（香港）研究分析师 vivek.arya@bofa.com阿亚尔·维韦克分析师BofAS mikio.hirakawa@bofa.com平川美男波音（Boeing）日本研究分析师 现货价格也上涨，由DRAM领涨。 matt.shin2@bofa.com马特· Shin美林证券（首尔）研究分析师 内存现货价格已连续八周上涨，尽管处于异常高位。这与2-3个月前的市场情绪完全不同（例如，16GB DDR5在美国35-40美元已无进一步上涨空间；价格已高于HBM）。许多OEM此前仅以每单位约5美元的价格采购内存，他们抵制了内存现货价格的上涨，并因此减少了PC/平板/智能手机的产量。但如今，他们正在购买更多内存芯片，为9月份及第四季度旺季的高销量做准备。由于现货交易量非常小，仅占全球供应量的个位数百分比，一些OEM正更多地以紧急订单的方式采购常规内存。当前DDR5和DDR4的现货价格均指向环比约20%的涨幅。本周NAND现货价格也表现良好，受1TB产品带动，周环比上涨4%。这也是预期第三季度NAND ASP上涨10%以上的积极信号。但与韩国第二季度DRAM ASP与全球趋势不符类似，日本的NAND ASP也不应过于乐观，符合市场预期；鉴于7月份数据稳健，且月度现货/合约价格上涨，目前尚早，无法预期第三季度ASP将出现下滑。 展品1：本周DDR5/DDR4价格显著反弹；甚至出现1Tb NAND闪存回收，现货市场DRAM和NAND价格均有所上涨。 台积电强劲业绩/资本开支的积极影响台积电（TSMC）强劲的第二个季度业绩，营收达400亿美元（同比增长34%），营业毛利 率为60%；其乐观的指引包括2纳米制程的量产提升，以及低至40%的年度营收增长；并且2026年的资本支出创纪录地达到600亿至640亿美元，外加额外100亿美元在美国晶圆厂的单独投资，这对存储器行业具有积极意义，因为台积电的客户需要更先进的HBM、SOCAMM和eSSD。阿斯麦（ASML）的第二季度业绩/指引也对存储器行业有利，原因在于中国出口疲软（本地芯片制造商支出减少）；台湾/逻辑芯片销售增长更显著（与存储器/韩国相比）；以及管理层对新AI芯片和高NA EUV的乐观预期（新逻辑订单对存储器而言是利好）。 AI：人工智能ASP：平均售价DDR4/5：4代/5代双数据速率动态随机存取存储器DRAM：动态随机存取存储器EUV：极紫外光刻eSSD：企业级固态硬盘Gb/Tb：吉比特/太比特GM/OPM：毛利/营业利润率HBM：高带宽内存HBM3e/4：HBM第5代/第6代LPDDR5：低功耗DDR5LTA：长期协议NAND：非易失性存储器OEM：原始设备制造商SOCAMM：小型外型压缩附加内存模块 受雇于BofAS的非美国附属机构，且根据FINRA规则未注册/未获得资格成为研究分析师。有关特定司法管辖区内承担此处信息责任的BofA证券实体的信息，请参阅“其他重要披露”。BofA证券与其研究报告所涵盖的发行人进行或寻求进行业务往来。因此，投资者应意识到该公司可能存在利益冲突，从而影响本报告的客观性。投资者应将本报告视为其投资决策的单一因素。请参阅第15至16页的重要披露。12995153 群智科技内存ASP预测与美银美林估计 图2： TrendForce预计传统DRAM价格将在2026年下半年趋于温和，从一季度的约93-98%的环比增长率放缓至第二季度的约58-63%，第三季度降至约13-18%，到第四季度仅为约3-8%。 群智科技 NANDASP 预测更新，截至 2026 年 6 月附件3： TrendForce预测，NAND ASP将在2026年第三季度回升至约+10-15%的季度增长率，并在2026年第四季度回升至约+0-5%的季度增长率，此前在2026年第一季度和第二季度分别达到了约85-90%和55-60%的季度增长率峰值。 图4：继2026年第一季度同比+70-90%的异常增长后，我们预计全球DRAM和三星ASP在第二季度将放缓至+45-50%，在第三季度将环比增长约+20%，在第四季度将实现高个位数环比增长。摩根大通全球DRAM ASP及三星DRAM ASP预估 附件5：继2026年第一季度全球NAND和三星ASP环比增长达75-88%后，我们预计2026年第二季度全球NAND和三星ASP环比增速将放缓至约65%，第三季度将进一步放缓至约15%，到第四季度将接近持平。这是摩根大通对全球NAND ASP和三星NAND ASP的预测。 图6：DRAM和NAND价格均创下历史新高，其中DDR5 DRAM价格约为45美元，而NAND约为25美元。 16GB DDR5 与 512GB 晶圆合同价格趋势 群智科技（TrendForce）DRAM平均售价预测（环比变化）——6月26日更新与3月26日对比图9： TrendForce将其二季度26年NAND平均售价（ASP）预测下调至环比55%–60%（此前为70%–75%），同时将其四季度26年展望上调至环比10%–15%（此前范围为8%–13%） 图8： TrendForce将2026年第三季DRAM平均售价（ASP）预测上调至13-18%（环比），较之前的3-8%（环比）预测有所提高。 群智科技NAND ASP预测（环比变化）——6月26日更新与3月26日对比 图10：与TrendForce相比，我们的预测在2026年第三季度和第四季度大体一致，但在2026年第二季度更为保守，预计2Q26至4Q26（美银）的DRAM平均售价将环比增长53% / 21% / 7%（美银）与TrendForce的DRAM平均售价假设（环比变化） 第11项展品：同样，我们的NAND假设要么保守，要么与TrendForce大体一致，预计ASP将在2026年第二季度至第四季度间环比增长65% / 15% / 1% 花旗 vs 趋势科技 NAND ASP 假设（环比变化） 美国银行全球研究部新思科技截至2026年6月30日的最新预测与高盛截至2026年7月10日的预测对比来源：新思科技，高盛全球研究部估计 美国银行全球研究部新思科技截至2026年6月30日的最新预测与高盛截至2026年7月10日的预测对比来源：新思科技，高盛全球研究部估计 台积电强劲的第二个季度业绩和更高的资本支出指引 第12项展品：2026年第二季度销售额（1270亿新台币；同比增长36%）达到其指引的高位；第三季度销售额指引（1446亿新台币）也表明将实现稳健的同比增长（增长46%） 第13项证据：第二季度利润率进一步提升（通用磨坊为68%，营业利润率为60%）；高利润率格局符合预期。 来源：公司，美国银行全球研究部估计 台积电与三星存储/晶圆厂资本支出对比 资本支出对销售额的比较——台积电和三星*仅内存* 来源：美国银行全球研究部估计 来源：美国银行全球研究部估计 阿斯麦第二季度业绩亮眼及下半年展望 阿斯麦 – 总销售额及增长趋势第16项证据：第二季度26号（2Q26）销售额强劲增长（93亿欧元；同比增长21%），主要得益于IBM（安装基础管理）销售额超出预期；管理层给出的销售指引显示下半年（第三季度：115亿欧元，同比增长53% / 第四季度：144亿欧元，同比增长48%）将实现强劲增长。 附件17：第二季度26年（GM 54%，OPM 37%）观察到强劲的利润率，管理层指引表明下半年利润率强劲（GM 55%+，OPM 40%+） 来源：公司，美国银行全球研究部估计 附件19：2026年第二季度，韩国占ASML净系统销售额的43%，其次是台湾（30%）、中国（14%）和美国（9%）。ASML按地区划分的净系统销售额 第18项证据：在DRAM超级周期的推动下，过去三年内存销售额紧随逻辑芯片增长。 韩国出口，台湾销售 图20：7月MoM增速放缓，但仍创纪录高位（112亿美元；环比增长1.3%） 附件21：7月份同比反弹依然强劲，达到+193%；已连续六个月实现三位数增长 韩国半成品出口——月度前10天，数十亿美元 附件23：由南亚、群联、 transcend 等存储器品牌引领的强劲年同比增长，台积电也表现稳健，同比增长达68%。 附件22：由逻辑/代工/ODM厂商引领的强劲摩尔增长，包括Vanguard（+41%）、MediaTek（+22%）、Quanta（+24%） 2026年6月台湾科技公司月度销售额（MoM） 2026年6月台湾科技公司月度销售额同比增长 Source:Companies 中国集成电路进口和智能手机出货量 图24：6月份IC进口额达596亿美元创纪录，同比增长72%中国每月集成电路（IC）进口及同比增长 附件25：中国集成电路进口量达537亿个，同比增长7%中国每月集成电路（IC）进口量和同比增长 口的54%。 第二十八条：5月份中国智能手机出货量为268万台；已显著恢复，但可持续增长尚未确认 第29项证据：尽管内存芯片短缺，智能手机出货量同比增长+19% 工信部/中国信通院，美国银行全球研究 第30项：5月份外国品牌手机隐含出货量为370万台 工信部/中国信通院，美国银行全球研究 工信部/中国信通院，美国银行全球研究 第三十二项证据：2026年第二季度，中国智能手机出货量下降4.3%，苹果和华为分别同比增长19-24%，而其他主要品牌则下降10-22%。 第33项证据：华为看到了明显的市场份额增长（2026年第二季度为23%，对比2025年第二季度的18%，随后是苹果） 中国智能手机市场份额 中国智能手机出货量同比增长 短期内存价格预测和现货价格走势 图36：DDR5价格在1月至7月期间达到新高（49美元），受强劲的AI相关需求以及内存制造商优先生产HBM而导致的供应受限的支撑。16Gb DDR5现货价格——每日，2025年7月至2026年7月 附件37：DDR4价格维持在周期高点附近（80美元），受供应削减和客户补货支撑，5月短暂回调后，于6月至7月16日恢复上涨，为2025年7月至2026年7月DDR4现货价格趋势 证据38：8Gb DD