瑞联新材关注:半导体链光刻胶单体、PSPI、CMP抛光液迎来量产拐点制程越高端,单体的设计难度和纯度要求越高,价值量大幅提升半导体材料的国产替代已进入深水区,GKJ我们最近产业链跟踪已经到达实质性放量元年,光刻胶单体材料国产化率较低(k线10%渗透率,arf2%左右,g线和i线50-60%),26年上半年公司ArF光刻胶单体#收入达到2千万+,光刻材料至29年市场空间65亿美金,#单体赛道容量约10亿美金,公司上半年毛利率已有#34%,量产稳定预期40%。其壁垒在于:一是#痕量杂质控制极苛刻(需达到ppb甚至ppt级纯度,否则直接导致晶圆缺陷);二是分子结构合成复杂;三是#验证壁垒极高(需随下