7月金股长川科技强call最新更新国产算力进展超预期长川科技有望充分受益20260709

这篇报告围绕长川科技（A股半导体测试设备龙头）推荐，核心逻辑共五点。 SOC测试机短缺与国产算力爆发：全球SOC测试机被爱德万和泰瑞达垄断，AI尤其是GPU需求爆发导致设备严重供不应求，交货期长达11个月。中国AI应用占比低，但国产GPU（昇腾、海光、寒武纪等）放量，对测试机产生0到1的巨大需求。昇腾测试将全面切换国产设备，而国产中能量产GPU测试的只有长川。测算显示，国产测试机市场两年增长约十倍（今年15亿，两年后100多亿），主要驱动是GPU测试时长惊人（每个Die测30分钟，是传统芯片的千倍以上）。 去日化与自主可控：日本设备限制趋严，爱德万技术源自美国惠普，受BIS法案约束销售受限。测试机日本敞口大，国产替代意愿强烈，长川是核心受益方。 先进封装资本开支：2025年先进封装元年，盛合晶微、朗讯等封测厂大幅扩产，测试机占资本开支比重大幅提升（从20%～30%升至50%～60%以上，金额占比高达80%）。长川是盛合晶微等最大供应商，直接受益于行业扩产。 存储测试（含HBM）：存储测试机与SOC技术路线不同，NAND检测简单、DRAM复杂，HBM因堆叠工艺带来测试通胀（KnownGoodDie流程使测试量增加5～6倍）。国内存储扩产预期持续上修（今年18亿，明年58亿），HBM占比逐步提高，长川在存储测试领域也积极布局（精智达等亦涉及，但长川综合实力领先）。 长川作为“A股爱德万”的稀缺价值：长川研发投入巨大（累计六七十亿），成功绑定国内头部CPU/GPU客户，类似爱德万绑定英伟达的路线。其技术壁垒高、业绩正快速释放（预计今年利润25亿，明年增长50%以上），在A股设备标的中稀缺，且是国产算力最确定受益的标的（昇腾不上市，长川是其封测设备核心供应商）。 综合来看，长川科技处于SOC/存储测试机双重爆发、国产替代加速、先进封装扩产的多重利好期，是当前半导体设备中最具阿尔法的品种之一。 会议实录 我代表我们团队，与大家分享我们对长川科技的推荐。首先想跟大家重申，长川是我们非常看好的一个票。自今年3月我们将其作为金股以来，股价表现大家有目共睹。我们团队的另外两位老师也全身心投入对这个票的研究，对于整个半导体设备板块，我们也在这个赛道上花了非常多的研究精力。 我们今天推荐长川的逻辑，最核心的仍然是国产算力逻辑，也就是SOC测试机放量的重大变化，特此汇报。在这部分讲完后，我们会用少量时间更新一下存储的预期——这块也是市场研究的“无人区”，我们把一些在一线了解到的情况与大家分享。 首先，我们把长川的看好逻辑提纲挈领地抽象为以下五点。第一，SOC测试机是所有半导体设备中目前全球最缺的设备之一，我们感受到前所未有的供不应求局面。全球测试机的产能基本由爱德万和泰瑞达两家垄断，从去年开始全球先进封装产能全去做了GPGPU。这导致这个通用型产品在某个细分方向需求突然爆发后，其他需求无法满足。所以目前除了GPU，全球这类设备都非常缺货。 第二，我们看好国产算力，最近的变化也非常大。我们看到燧原要上市，前面沐曦、摩尔都已上市，海光、寒武纪的预期也非常高。GPU公司很多，但真正的老大肯定是昇腾，昇腾本身不是上市公司。昇腾的关注度在最近可能达到前所未有的高度，因为其超节点方案将在人工智能大会上推出。但据我们目前掌握的情况，昇腾的测试后续将全部切换为国产设备，国产主要就是长川，这也是我们今天推荐的核心逻辑。 第三，去日化或者说自主可控，这块有很大预期差，与大家想的不一样。一方面是日本不卖给我们，另一方面我们也买不到日本的。这比我们主观意愿上单纯要去日化要复杂得多。待会儿我们会讲一下爱德万的技术演绎，这应该是市场上还没有人研究到这一层。 第四，先进封装本身的需求。作为一个机械分析师，我们最喜欢研究下游扩产，永远在最景气的赛道中找最强的阿尔法。目前看下来，长川就是我们在所有细分行业里研究到的最性感的阿尔法。它是下游先进封装扩产最受益的票，请大家重视——从今年开始是先进封装元年。 最后一个逻辑是HBM带来的通胀逻辑。这块我们待会儿会用两张图表做解释，比我说再多字都清楚。简单说，存储这块刚刚开始，还是非常早期的阶段。我们今天的分享就这五个逻辑，现在把最重点的向大家汇报。 首先是SOC的逻辑，这也是整篇报告的精华，我觉得最重要的就是这张图。半导体设备最主要看ATE测试机的结构，它不是一帆风顺一直增长的，从2021年到现在经历了一个非常明显的周期。2021年行业市场容量是56亿美金，跌到2023年只有44亿美金，触底后再开始往上走。向上的驱动力是SOC占比提高和存储测试机增长。SOC提高的原因就是AI，主要是GPU起量，对测试机需求起到了爆发式拉动。相比三年前，现在市场容量翻了两倍（增长了2倍），或者说翻了三倍。 按SOC测试机ATE市场结构拆分，与五六年前相比最大的区别是SOC这个饼突然变大了。我们也分类分析了SOC增长的原因——主要是GPU测试时间拉长，也就是AI驱动。国内外情况完全不同。全球SOC测试机市场，中国只占四分之一。海外AI已占40%的应用，存储也是比较大的应用，手机占30%。中国AI应用只有十几个点，手机还是大头，国内AI主要用于盛合晶微等头部厂商。 接下来就是GPU放量，我相信大家对国产算力的研究已经非常到位。最好的标的毫无疑问是昇腾，二梯队是海光和寒武纪，这三个肯定是第一梯队。真正值得关注的进展：目前海光的研究已经很充分，今天重点说昇腾。昇腾的主要封测厂是盛合晶微（量最大），其次是朗讯（前两天出招股书），还有一点点在渠道，基本上以盛合晶微为主。 为什么GPU测试拉动对SOC测试机最明显？我们可以看爱德万的官方说明。主要原因是GPU是2.5D到3D结构，封装时增加了大量晶体管。以英伟达为例，晶体管数量达到2000亿个，结构非常复杂，由很多小芯片集成。测试时裸Die数量增加、晶体管数量增加，所以测试时长显著拉长。另外产品良率没那么高，为了风险前置、提前测出不良品，测试变得非常复杂。英伟达产品性能迭代导致爱德万测试时长一直在增加，最新的大概要测半小时到40分钟。 这其实是这篇报告最硬核的逻辑：通胀。过去芯片测试分CP和FT，现在新增了很多流程。本篇报告最关键的是第14页这张图，是自下而上的判断。先说结论：国产测试机新增市场容量，今年大概15亿，两年后达到100多亿，也就是两年增长约十倍。 测算方法：先算每家的出货量，最大变量是昇腾。按今年市场一致预期120～130万个Die，明年可能300～400万个Die，考虑良率（我们算得较低，25%慢慢增长），再考虑国产设备和进口设备的价差，以及每家IC设计公司测试机的国产化程度。目前昇腾最快，其他稍慢。最终算出两年十倍。 最影响结果的是测试时长。目前昇腾每个Die测30分钟，而过去模拟芯片测零点几秒，数字芯片测1～2秒，GPU每个Die测1800秒，通胀超过一千倍。今年十几个亿在测试机市场还不算大，尤其国产链，但放在趋势面前已经非常夸张。现在国产算力才刚刚启动，未来几年市场增长远超大家想象，而且赛道竞争不激烈。测试设备现在只有长川和华峰，但有GPU的公司很多，第一梯队三家，二梯队三四家，三梯队一大堆，最后都要用国产设备，无非是用长川还是华峰。 再看手机SOC测试时长，比如麒麟或紫光展锐，每个Die测一分钟左右。市场容量也在增长，但不如GPU明显。我们对手机预测比较保守，因为缺先进逻辑产能和存储，消费电子预期今年下修，未知后面销量。图中预测保守，没有上修明后年的量，需时间慢慢调整。它一年增长50亿，但不算突出，最性感的还是GPU。 第一个逻辑总结：SOC测试机增速很快，全球快速放量，中国是0到1的状态，刚开始放量。如果看好国产算力，一定要买测试机，因为它是国产算力的一阶导——不管哪家厂商行，都要在国内封测，设备只能买长川和华峰。目前长川走得靠前，所以必须重点重视。 第二个逻辑是中日关系恶化和去日化。这个逻辑我们说了很久，芯源微（Track）等走势都很好，跟测试机一样是替代逻辑靠后的设备。过去觉得不是美国敞口，替代意愿弱，但最近一年大家都看清楚了，日本敞口大的也需要快速替代，首当其冲就是测试机。目前爱德万是绝对老大，份额60%左右，每个细分不完全相同。第二名是美国公司泰瑞达，所以这个赛道肯定要国产化。 影响我方采购落地的重要因素是BIS法案。一句话总结：过去美国设备不能卖，现在美国技术也不能卖——去美化落实到技术溯源，凡设备含有美国技术就不能卖，尤其对实体清单企业。爱德万的技术来自美国惠普的Verigy，所以销售时遇到困难。 第三个逻辑是下游疯狂资本开支。最近我们一直在学习各家新增融资方案和扩产说明，建议各位投资者自己去看，结果非常震惊——今年先进封装就是大年。打响第一炮的是盛合晶微，上市以来股价表现亮眼，隐含国产先进封装良率正向上突破，昇腾出货量也在增加。后摩尔定律利好先进封装，用封装方式解决缺少核心设备的问题。先进封装增加的部分主要是倒装、TCB设备、键合和混合键合设备，如果走通，就能解决缺先进逻辑产能的问题。 目前像盛合晶微这些先进封装走在前面的企业，采购量中最大的是测试机。这个图是盛合晶微3D项目，总投资八十多亿，包括1.6万片产能的3D封装。从招股书可以看到过去几年采购情况：前几年测试机占采购量20%～30%，从2025年上半年开始已经是50%多、接近60%，最新占比更高。良率提高后，FinalTest切开后都要测，测试机用量大规模增加。 另一张图来自盛合晶微的一轮问询，朗讯招股书中最大设备供应商也是长川。盛合晶微的采购里长川保持最高份额，因为测试机用量大规模增加。 就各家的测试机占比来说，伟测等独立第三方封测厂的资本开支明细中，测试机占台数50%，金额占80%，非常值钱。今年是先进封装元年，各家都在扩产，最值得仔细研究的是盛合晶微和朗讯的招股书。 第四个逻辑是存储。最近我们写了全市场首篇存储测试机的报告，前两天李文艺老师做了详细汇报，这里只挑重点。存储和SOC是两种完全不同的设备，虽然都叫测试机但测的是两码事。 GPU测试是一个Die一个Die测，GPU非常贵一个按万算，所以每一台设备测一个Die需要约30分钟。存储不一样，以爱德万经典的5830机台为例，它是大通量设备，同时测700个存储，但测一次很久可能一天一夜。算下来每个存储也要几分钟（大于三分钟小于十分钟）。从机械结构上存储测试机更复杂（一次性测700个Die），但从技术原理上比GPU简单，因为晶体管数量没那么复杂。 SOC测试机性能难，存储测试机机械结构难；SOC不太考虑成本，存储测试机需要性价比。但两条赛道目前都非常赚钱，爱德万不管是SOC还是存储，全球都卖断货。 存储测试机的CP和FT与SOC不同。最大区别是带自修复功能叫BEST，发现不良自己修改。技术细节不赘述，重点说每万片需要多少测试机。NAND需要CP1和CP2，再加几台FT，总金额4000万；DRAM增加CP1和CP2，数量不变但单价贵很多，FT非常贵，高速FT一台可能几千万。 目前国内存储量产用的估计两三千万一台，也有更高价格的指引。每万片DRAM可能1.7亿，是NAND的四倍。简单说NAND检测简单，DRAM复杂，所以DRAM测试设备价值量更大。 再区分DRAM里的HBM。HBM是堆叠工艺，增加了引线、针脚、线缆数量和层数，用频率和带宽双增提高速率。目前最难点是HBM测试，比普通DRAM多了“KnownGoodDie”功能，即做一层堆叠一层，测完没问题再堆，标记不良后再测再堆，以避免全部堆完再测成本太高。各家（海力士、三星、美光）方案不同，最优解是KnownGoodDie。TCB压完一层测一下、标记，再压一层再测再标记，导致HBM测试用量比普通DRAM增加5到6倍（与层数有关），未来可能更高（8层、12层甚至16层）。由于堆叠带来的通胀和慢慢测清不良，HBM良率低、测得很慢。简单拍：CP端HBM比传统DRAM通胀4倍，FT端通胀1倍多，总测试需求量是原来的5到6倍。 我们也算了一个市场容量