电子行业专题研究：SLC NAND：老树也能开新花

SLC NAND：老树也能开新花 SLC NAND性能卓越，大厂退出带来替代空间。SLC NAND（Single-LevelCell NAND，单层单元闪存）是指每个存储单元仅存储1位数据0或1）的NAND Flash技术，通过两种状态 已擦除/已编程）实现数据存储。相较于同属于NAND Flash的MLC、TLC及QLC等多比特存储方案，SLCNAND在擦写寿命、写入延迟、运行稳定性等方面通常具有更优表现。从市场规模来看，SLC NAND作为NAND Flash中的细分市场，整体体量较小，2024年全球NAND市场规模约656亿美元，其中SLCNAND市场规模为23.2亿美元，从竞争格局看，全球SLCNAND市场份额高度集中于海外及中国台湾厂商，2025年前几大厂商为美光、铠侠、华邦、SkyHigh、旺宏、兆易创新、东芯股份，分别为21%、20%、15%、14%、11%、9%、6%。近年来全球NAND原厂的研发投入与资本开支重点持续向高层数3D NAND演进，就铠侠而言，2026年3月公开报道显示，其已向客户通知停止TSOP封装相关产品供应，原因包括相关基板退出、市场需求变化及生产限制，SLC NAND迎来国产替代机遇。 增持维持） 作者 AI带动2D NAND价值重估，需求有望高速增长。英伟达联合亚马逊共同推进GIDS GPU发起直接存储访问）技术研发，该方案将落地于双方下一代Vera Rubin AI平台。AI工作负载对SSD提出了极端的技术要求，在GPU直接控制SSD的架构下，这些要求变得更加突出，对AI SSD也提出了新的需求，需要性能需求升级、耐久性要求提高、面临散热与功耗约束、多发起者数据一致性与隔离以及容量与成本的平衡。另外我们认为值得注意的是AI推理场景下KV缓存等业务呈现高频、小粒度覆写的存取特征，会显著抬升SSD每日全盘写入量DWPD），为匹配严苛的耐久度需求，存储厂商通常会选用pSLC、pMLC闪存架构方案，或是大幅提升盘内超额配置OP）占比来缓解写入压力，AI时代SLC&MLC NAND价值有望被重估，需求有望高速增长。 分析师佘凌星执业证书编号：S0680525010004邮箱：shelingxing1@gszq.com 研究助理沈朱樱婷执业证书编号：S0680124120003邮箱：szyt@gszq.com 相关研究 1、《电子：美光指引存储缺口持续，康宁加速推进玻璃基光互连技术》2026-06-282、《电子：玻璃基板产业化加速，电子半导体涨声四起》2026-06-203、《电子：周观点：磷化铟供需错配显著，重视国产替代机遇》2026-06-13 未来的数据中心是让不同层级存储各司其职，大模型推理、长上下文、KVCache、RAG和向量检索场景里XL-FLASH这类低时延SCM技术的价值会更加被放大。铠侠第二代XL-FLASH提供128GbSLC、256GbMLC两类芯片规格，凭借低时延、高耐久、易扩展的多重性能优势，精准匹配当下数据中心与企业端SCM存储需求。未来的数据中心是让不同层级存储各司其职，DRAM继续承担极低时延的主内存任务，HBM继续服务GPU侧的高带宽访问。TLC、QLC NAND继续承担大容量存储和成本敏感型数据承载。XL-FLASH这类SCM，则可以在DRAM/HBM与传统NAND之间，补上一个低时延、非易失、容量更可扩展的新层级。AI系统里的数据访问模式越来越复杂，尤其在大模型推理、长上下文、KV Cache（值值缓存）、RAG（检索增生生成）和向量检索场景里，频的的小随机机访问会越来越多，传统SSD更擅长大随顺序读写，而AI推理里的很多访问请求更碎、更频的、更靠近实时路径，XL-FLASH这类低时延SCM技术的价值会更加被放大。 TrendForce预判SLC NAND 2026下半年价格仍具备70%-75%上行空间。根据TrendForce，依托高擦写寿命、极低误码率、长效数据存储与宽温运行等核心优势，SLC NAND是各类高可靠场景的核心存储方案，当前下游需求稳步扩容，智能工厂、工业机器人、高端网络设备搭载边缘AI推理模随带动高可靠存储需求提升，同时企业服务器、数据中心普遍将其 用作系统启动盘与高频读写缓存，医疗、军工、航天等对数据容错近乎零容忍的领域更是难以替代；供给端方面，海外头部存储厂商持续收缩小容量成熟制程SLC产能，工控、车规、网通客户同步加大安全备货力度，二季度市场集中补库推动价格上行，2026上半年行业均价累计涨幅有望达到130%-150%，TrendForce预判2026下半年价格仍具备70%-75%上行空间，其中工业、车规专用SLC产品供需缺口更大，涨价弹性或将更为突出。 华邦&旺宏：指引供需失衡预计持续至2028年之后。 1）华邦电子：华邦电子26Q1营收新台币382.53亿元，环比增长43.7%、同比大涨91.3%；毛利率飙升至53.4%，环比增加11个百分点，同比增加27个百分点；税后净利润新台币101.18亿元，环比暴涨226.9%，同比由亏转盈；归母净利润新台币101.14亿元，环比暴涨195.5%，同比扭亏为盈；每股收益新台币2.25元。在闪存Flash）业务方面，华邦电子第一季营收环比增长23%、同比大涨89%，ASP环比增长约34%至36%、同比增幅约60%中段。华邦电指出海外存储大厂全面退出2D SLC、MLC NAND赛道，行业形成结构性供给缺口，下游客户普遍面临物料紧缺、方案重构的压力，部分厂商因eMMC供货不足，通过压缩系统程序、切换华邦电子8Gbit SLC NAND完成产品迭代；公司精准把握行业供需红利，加速新增设备投产，预计未来一年SLC NAND位元出货量增幅超80%，该产品线盈利水平优于NORFlash，有望持续改善公司整体盈利结构，目前华邦2026、2027年存量及新增产能已全部被客户锁定，DDR3、DDR4、Flash各类产品紧缺格局延续，行业结构性供需失衡预计持续至2028年之后。 2）旺宏：2026年一季度旺宏营收净额达到新台币105亿元，环比2025年四季度、同比2025年一季度均实现大幅增长。伴机产品价格上行，公司盈利水平显著修复，营业毛利率为40.8%，营业净利率回升至18.5%，告别此前连续两个季度的经营性亏损，具体来看，NAND业务环比大增90%、同比飙升382%，营收占比提升至30%，其中eMMC供需格局紧张，订单供不应求，26Q1eMMC营收环比大幅提升94%，同比增幅高达3993%；其余NAND产品单季营收环比增长88%、同比上涨219%。公司计划持续扩充产能，以此承接下游激增的订单需求。 投资建议：供给端，近年来全球NAND原厂的研发投入与资本开支重点持续向高层数3D NAND演进，SLC NAND迎来国产替代机遇。需求端，在GPU直接控制SSD的架构下，AI SSD需要选用pSLC、pMLC闪存架构方案，此外eMMC供货不足带来SLC NAND替代空间，关注AI时代SLCNAND价值重估机遇。建议关注江波龙、兆易创新、香农芯创、联芸科技、东芯股份、普冉股份、聚辰股份。 风险提示：下游需求不及预期、研发进展不及预期、地缘政治风险。 内容目录 一、AI时代SLC NAND价值重估，供需缺口推动价格上行..........................................................................41.1 SLC NAND性能卓越，大厂退出带来替代空间................................................................................41.2 AI带动SLC&MLC NAND价值重估，需求有望高速增长...................................................................51.3 26H2 SLC NAND价格有望上涨70%-75%，供需格局紧张...............................................................81.4华邦&旺宏：指引供需失衡预计持续至2028年之后.......................................................................9风险提示..............................................................................................................................................13 图表目录 图表1：各类NAND存储芯片参数对比....................................................................................................4图表2：2019-2029年全球SLC NAND市场规模及预测.............................................................................5图表3：2025年全球SLC NAND市场份额...............................................................................................5图表4：英伟达亚马逊GIDS技术关值信息...............................................................................................6图表5：AI SSD需求.............................................................................................................................6图表6：铠侠XL-FLASH存储级内存的主要特性........................................................................................7图表7：铠侠XL-FLASH所在的存储层级..................................................................................................7图表8：最新推理AI系统为SSD创造的新用途........................................................................................8图表9：铠侠GP系列存储.....................................................................................................................8图表10：SLC NAND、Nor Flash产品供需情况.........................................................................................9图表11：SLC NAND现货价 美金）......................................................................................................9