首席证券内参

博 览 视 点 量能活跃但指数波动有所放大，市场何时能明确方向？ 【研究员】： 【趋势展望】 量能活跃但指数波动有所放大，市场何时能明确方向？ 6月29日，市场全天探底回升，沪指午后涨超1%，科创50涨超4%再创新高。个股跌多涨少，沪深京三市超2800股飘绿。当日成交3.54万亿，虽然较上个交易日缩量400亿，但场内资金仍处于高度活跃水平。 热点方面，半导体产业链延续涨势，多股涨停。医药股集体走强，白酒、养殖、游戏等大消费板块反弹；下跌方面，PCB、CPO等算力硬件方向下挫，消费电子、MLCC等板块跌幅居前。 场风险偏好。此外，市场层面看，虽然量能维持高位但资金集中在少数板块轮动，这也制约行业的相对平稳运行。 展望后市，一方面，中东地缘冲突、美联储加息预期等外部因素仍构成干扰，且高位科技题材兑现压力依旧；但另一方面，宏观流动性政策及资金高活跃度托底下，行情信心底气不减。多种因素博弈下，短线市场指数或加剧波动，热点持续快速轮动。 配置策略上，随着资金高低切换，创新药、可控核聚变、大消费等低位板块逆势抗跌。因医药、能源基建板块中报业绩确定性强，能对冲海外扰动带来的市场冲击，成为相对抗跌的安全防御板块；而高估值科技成长题材整体走弱，仅存储芯片等细分领域仍保持结构性机会。 鉴于当前市场波动性有所放大，尤其高位科技题材面临兑现压力的市况下，应重点关注能不断夯实估值的业绩高增科技龙头。 【题材研判】 7月功率半导体集体调价，国产机会在哪里？ 7月1日起，全球近20家功率半导体企业同步启动新一轮调价，覆盖 IGBT、MOSFET、电源管理芯片等全核心品类。其中AI服务器配套电源芯片涨幅最高达15%-25%，车规级器件普遍上调5%-15%，国内厂商集体跟进，主流产品调整幅度集中在10%-15%区间。 这是行业经历近两年周期底部盘整后，首次出现大范围、全链条的价格上调，背后藏着功率半导体赛道周期重构的核心逻辑，也蕴藏着国产产业链的突围窗口。 需求端：双轮驱动的结构性增量 本轮景气修复的核心特征，是需求端从单一新能源拉动转向“AI算力+新能源”双轮驱动，增量结构呈现显著的高端化特征。 1、AI数据中心：超预期核心增量 随着大模型训练与推理算力需求爆发，AI服务器单机功耗从传统数百瓦跃升至数千瓦，高压直流供电架构加速普及，单机功率半导体价值量较传统服务器提升8-18倍。据Yole预测，2030年全球AI数据中 心 相 关 功 率 半 导 体 市 场 规 模 将 达 106 亿 美 元 ， 占 整 体 市 场 比 重 接 近 四 分 之 一 ， 年 复 合 增 长 率 高 达30%-40%。 2、新能源产业：稳固基本盘支撑 汽车领域，800V高压平台从高端车型向主流市场下沉，叠加SiC器件渗透率提升，单车功率半导体价值量从燃油车约50美元攀升至500美元以上。中商产业研究院数据显示，2026年全球汽车领域功率半导体市场规模预计达1714亿元，维持两位数增长。 光伏与储能领域，1500V高压架构持续渗透，工业级IGBT需求保持稳定增长，成为行业需求的压舱石。 斜，主动缩减8英寸产线布局。集邦咨询数据显示，2026年全球8英寸晶圆总产能预计同比下降2.4%，代工厂平均产能利用率从2025年的75%-80%攀升至85%-90%，部分特色工艺产线已处于满载状态。 更关键的是，功率晶圆产线从立项到量产需18-24个月周期，海外头部厂商资本开支连续两年下滑后，2026年虽温和回升，但新增产能落地最早要到2027-2028年，短期供给弹性极低。 上游成本上行进一步推动调价落地。 2026年以来，硅片、特种气体、铜材等原材料价格持续走高，叠加能源与运输成本上涨，主流代工厂已陆续上调8英寸晶圆代工价格5%-20%。成本压力难以内部消化，向下游传导成为必然选择；而IDM厂商虽自有产能可对冲部分成本压力，但在供需紧平衡格局下，也具备跟随调价的市场基础。 竞争格局：国产替代进入深水区 从全球竞争格局看，功率半导体市场仍由海外IDM巨头主导。 根 据Omdia 数 据，2025 年 英 飞 凌 以 24.4% 的 市 占 率 位 居 全 球 第 一 ， 前 五 大 厂 商 合 计 占 据 全 球 约55%的市场份额，在高压 IGBT、车规级 SiC模块等高端领域技术壁垒深厚。 本轮涨价周期中，IDM（设计制造一体化）模式的竞争优势显著放大。国内厂商中，具备IDM全链条能力的企业能够更好地锁定产能、控制成本，在行业上行周期中受益更为直接。 在海外产能紧张、交期拉长的背景下，下游客户加速导入本土供应商，为国内功率企业的份额提升提供了窗口期。目前国内头部厂商合计全球市占已达11.5%，且仍处于快速提升通道。 产业链的优势环节与国产机遇 从产业周期视角看，本轮功率半导体上行，是需求结构升级与供给刚性约束共振的结果，景气度大概率贯穿2026年全年。落脚到国内产业链，相关赛道的核心优势与机会集中在三个维度。 其一，成熟制程与中低端分立器件是国内产业的传统优势领域。国内8英寸晶圆产线布局完善，在二极管、整流桥、低压 MOSFET 等通用品类上具备显著的规模与成本优势，部分产品全球市占率位居前列。这类产品需求稳定，国产替代程度高，是国内企业的基本盘与现金流业务，能够为高端研发提供持续支撑。 其二，下游本土市场配套优势加速高端替代进程。中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、消费电子生产基地，下游客户集中，本土厂商具备就近服务、快速响应、定制化开发的天然优势。在海外产能紧张、交付周期拉长的背景下，下游客户导入本土供应商的意愿显著提升，车规级、工业级高端器件的认证进度明显加快。 其三，第三代半导体领域具备换道超车的卡位机会。在SiC、GaN等新一代功率器件领域，国内厂商与海外龙头的技术差距相对较小，从衬底、外延到器件、模块的全产业链布局加速推进。随着新能源车800V平台、AI数据中心高压供电、光伏储能等场景的渗透提速，第三代半导体市场规模快速扩容，国内企业有望在新赛道缩小差距，甚至在部分环节实现领先。 【申明】： 凡注明“博览财经分析”、“博览财经研报”、“博览财经观察”均为博览财经独家原创；注明“博览财经消息”、“博览财经报道”均是博览分析员对公开信息的选择性去粗取精，挖掘信息中有价值的情报，不能等同新闻传媒。凡注明“博览财经特稿”的文章，是博览财经承接原作者拟表达的原意的基础上进行了汇编与整理，请原作品作者与我司联系稿酬。无论原创或提炼的研究资讯，在研究分析、提炼过程中，所引用或注明的全部或部分公开信息，博览财经只保证其来源的客观性，对引用公开信息的客观真实性、准确性和完整性不作任何保证。客户有权索取全文信息来源。对接触到本内容的对象所做决策，不承担任何责任。