六氟丁二烯先进芯片制造的必备刻蚀材料
14nm及以下节点（7nm、5nm、3nmFinFET）必须使用六氟丁二烯。 3D NAND闪存闪存 200+层高堆叠存储器的微米级深孔刻蚀。 HBM高带宽显存高带宽显存 AI芯片配套的核心刻蚀材料。 高端高端DRAM 电容器、深沟槽高精度刻蚀。 工艺节点对比工艺节点对比 28nm以上成熟工艺可用CF₄、C₄F₈替代，14nm及以下先进节点必须用六氟丁二烯。 全球供应格局全球供应格局 全球仅3家企业能量产5N高纯六氟丁二烯：昊华科技（中国）、日本关东电化、德国林德。
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