电子行业周报：长鑫科技科创板IPO成功过会，三星造出全球首款900层闪存
长鑫科技科创板IPO成功过会，三星造出全球首款900层闪存 挖掘价值投资成长 强于大市（维持） 2026年06月02日 东方财富证券研究所 证券分析师：庞佳军证书编号：S1160526050003联系人：赵阳联系人：姜倩慧联系人：刁睿稼 【行情回顾】 本周沪深300指数上涨0.97%，上证指数下跌1.08%，深证成指下跌0.14%，创业板指上涨2.53%。申万电子指数下跌0.35%，在31个申万行业中涨幅排名第7。2026年年初至今，申万电子指数上涨45.84%，排名2/31。 【本周观点】 AI推理主导创新，看好推理需求导向的Opex相关方向，主要为：存储+电力+ASIC+超节点。 1、存储：随着长江存储新产品和长鑫的HBM3等最新产品逐渐突破，叠加数据中心对于SSD及HBM需求快速提升导致供需错配，激发了长存及长鑫扩产动能。我们判断今年有望是两存扩产大年，建议重点关注国产存力产业链的整体机会： 相关研究 《佰维存储业绩向好，国产算力产业链持续看好》2026.03.12《算力瓶颈加速突破，HBM确立算力时代核心中枢地位》2026.03.04《寒武纪业绩上涨，国产算力产业链持续看好》2026.03.04《英伟达预告Arm芯片，国产算力产业链持续看好》2026.02.10《模拟芯片涨价30%，国产算力产业链持续看好》2026.02.04 NAND&DRAM半导体（长存相关）产业链：中微公司、拓荆科技、安集科技、京仪装备、中科飞测、微导纳米； 长鑫&HBM存储芯片相关产业链：北方华创、兆易创新、精智达、汇成股份； 存储原厂：美光、海力士、三星、闪迪、兆易创新、聚辰股份等。 2、电力：看好电力产业链产品，重点关注用电侧和发电侧的新技术： 发电侧：天岳先进，三环集团； 用电侧：中富电路、顺络电子、东方钽业、英诺赛科、华峰测控。 3、ASIC：看好ASIC推理全栈模式，预期未来ASIC份额提升，关注国内外主要CSP厂商： ASIC芯片：博通集成、寒武纪； 配套&PCB：胜宏科技、沪电股份、福晶科技。 4、超节点：预计未来机柜模式会迭代，看好高速互联、机柜代工、液冷散热、PCB等需求增长，建议关注： 高速互联：澜起科技、万通发展、盛科通信； 液冷散热：科创新源、中石科技、捷邦科技等； PCB：胜宏科技，生益科技、菲利华、东材科技、鼎泰高科、大族数控、芯碁微装等。 国产化方向：从供给侧看，国内先进制程良率&产能爬升，推动国产算力芯片供给侧将有较大幅度改善，从需求侧看，国内CSP厂商商业化模式逐渐明朗，AI相关资本开支持续向上，同时国内模型也在持续迭代，有望带动国产算力在训练侧的放量需求，建议重点关注国产算力产业链的整体机会： 先进工艺制造：中芯国际（港股）、华虹半导体（港股）、燕东微； 国产算力龙头：寒武纪、海光信息； 先进封装：通富微电、长电科技、甬矽电子、长川科技、金海通等； 先进设备：北方华创、拓荆科技、微导纳米。 端侧：豆包AI手机开售，看好26年端侧产品迭代，建议关注： 果链：苹果、立讯精密、蓝思科技； SOC：瑞芯微、恒玄科技、晶晨股份； AI眼镜：歌尔股份、水晶光电； 其他：中兴通讯、传音控股、豪威集团。 【风险提示】 国际局势等宏观因素影响需求复苏、关键技术突破不及预期、中美摩擦加剧带来全球产业链重构。 正文目录 1.本周行情回顾...............................................................................................42.本周关注.......................................................................................................62.1.长鑫科技科创板IPO成功过会................................................................62.2.全球首款900层闪存，三星造................................................................63.本周观点.......................................................................................................74.风险提示.......................................................................................................8 图表目录 图表1：申万电子指数本周（2026/5/25-2026/5/29）表现............................4图表2：本周（2026/5/25-2026/5/29）申万一级行业指数涨跌幅.................4图表3：年初以来（2026/1/1-2026/5/29）申万一级行业指数涨跌幅............4图表4：电子行业各细分板块本周（2026/5/25-2026/5/29）涨跌幅.............5图表5：申万电子行业本周（2026/5/25-2026/5/29）涨幅前五&跌幅前五...5图表6：申万电子估值变化（PE_TTM） .......................................................5 1.本周行情回顾 本周沪深300指数上涨0.97%，上证指数下跌1.08%，深证成指下跌0.14%，创业板指上涨2.53%。申万电子指数下跌0.35%，在31个申万行业中涨幅排名第7。2026年年初至今，申万电子指数上涨45.84%，排名2/31。 资料来源：Choice行情数据，东方财富证券研究所 资料来源：Choice行情数据，东方财富证券研究所 细分板块层面，本周除元件板块上涨以外，其余板块整体下跌。 资料来源：Choice行情数据，东方财富证券研究所 个股层面，本周申万电子行业上市公司中有147家上涨，330家下跌，其中商络电子、风华高科、中船特气、燕东微、华虹公司涨幅居前，分别为57.37%、40.96%、33.61%、32.63%、32.22%；清越科技、波长光电、光莆股份、迅捷兴、惠威科技跌幅前五，分别为-31.21%、-26.48%、-23.72%、-22.67%、-20.98%。 当前板块整体估值处于历史较高分位。截至2026/5/29，电子行业估值水平(PE-TTM)为75.82倍，处于历史较高分位。 资料来源：Choice行情数据，东方财富证券研究所注：剔除样本负值 2.本周关注 2.1.长鑫科技科创板IPO成功过会 2026年5月27日，长鑫科技科创板IPO成功过会。同一天，全球存储芯片三巨头：SK海力士、三星、美光，市值全部突破万亿美元。全球存储芯片三巨头，正在见证一个新玩家的崛起。 几个数字：2026年长鑫预计上半年营收1100亿至1200亿元，归母净利润500亿至570亿元。这意味着，全年净利润可能超过1000亿元。这个数字，已经超越拼多多（307亿），超越宁德时代（304亿元）。 长鑫过会，不是中国半导体的一小步，是中国工业体系证明自己的一大步。（半导体产业纵横微信公众号） 2.2.全球首款900层闪存，三星造 三星电子成功实现全球首个900层V级NAND原型技术，向“千层NAND时代”又迈进了一步。在与竞争对手激烈的堆叠技术竞争中，三星电子凭借这一突破迅速确立了显著的技术领先优势，备受赞誉。据半导体行业25日报道，三星电子近期成功实现了采用“单元多重键合（CMB）”技术的900层V级NAND集成系统，该技术将两片450层单元晶圆键合为一体。 NAND闪存是人工智能服务器、智能手机和数据中心固态硬盘（SSD）的核心组件，用于存储数据。如同建造公寓楼一样，堆叠层数越多，容量越大，在有限的芯片尺寸内即可存储更多数据，同时最大限度地提高能效。这项技术被认为是三星电子在人工智能服务器和终端人工智能市场占据主导地位的关键，因为在这些市场中，高容量和高效率的组件至关重要。 目前，SK海力士凭借其321层的4D NAND闪存在量产市场占据层数最高的地位。然而，三星电子通过同时推进其第十代V-NAND（V10，超过400层）的量产，并在研发阶段迅速突破900层大关，从而在下一代NAND市场中占据了有利地位。关于研发成果，三星电子表示“已验证单元的正常运行特性”，强调该技术展现出了超越理论堆叠的实际应用能力。 自2013年实现全球首款3D V-NAND的商业化以来，三星电子不断改进其制造工艺，以克服堆叠层数的限制。此前，该公司采用“单层堆叠”工艺，即一步完成微孔的钻孔和堆叠；然而，随着层数的增加，晶圆翘曲或错位等物理限制逐渐显现。 三星电子通过引入先进的上卡盘设计，解决了晶圆翘曲这一实现900层NAND的最大障碍。此外，该公司还利用其专有的“新型套刻校正”技术，克服了键合过程中出现的微小错位误差。得益于新推出的位线（BL）和字线（WL）结构，该公司在降低功耗和缩小芯片尺寸方面也取得了显著成果。 在全球市场，以长江存储技术股份有限公司（YMTC）为首的中国企业正 在迎头赶上韩国企业，即将实现300层NAND堆叠的量产。他们正同步推进产能扩张和技术进步。如果长江存储（YMTC）在一年内成功实现300层以上的量产，激烈的价格竞争极有可能对韩国企业的盈利能力构成压力。因此，三星电子推出900层闪存被视为一项旨在建立中长期技术壁垒的战略应对措施。 据韩媒五月中报道，业界已将“NAND闪存”视为三星电子的优先事项，这里特指400层NAND闪存。NAND闪存的容量随着层数的增加而增加。因此，高层NAND的实现是关键的性能指标。三星电子于2024年4月开始量产其第九代NAND“V9”，该闪存拥有286层。这是目前三星最新商用的NAND产品。 其竞争对手SK海力士正在量产并向客户供应321层NAND。就层数而言，三星电子实际上已经落后。三星电子跳过了300层NAND，直接研发400层的“V10”。然而，由于NAND需求下降，以及DRAM和HBM市场竞争力回升的时机，该公司未能加快投资步伐。 就在去年，三星电子还计划在今年上半年建立V10生产线，并在下半年开始量产。然而，据了解，采购订单（PO）尚未正式开始。“据我了解，虽然三星电子已经重启了关于V10投资的讨论，但由于劳资关系等诸多问题交织在一起，尚未能确定具体的投资时间，”一位来自材料、零部件和设备行业的官员表示，“由于V10应用了许多创新技术，因此必须加快业务投资步伐。” 对于V10闪存，由于层数显著增加，垂直堆叠存储单元之间用于信号交换的通道孔必须更深。为此，三星电子采用了低温蚀刻技术。据报道，三星电子目前正处于低温蚀刻设备供应商选择的最后阶段。此外，三星电子的NAND闪存还将采用该公司此前未曾使用过的“晶圆对晶圆（W2W）”键合技术。该技术将数据存储单元区域和驱动电路的“外围”区域分别放置在不同的晶圆上，然后将它们键合在一起。（半导体行业观察微信公众号） 3.本周观点 我们预期AI推理主导创新，看好推理需求导向的Opex相关方向，主要为：存储+电力+ASIC+超节点。 1、存储：随着长江存储新产品和长鑫的HBM3等最新产品逐渐突破，叠加数据中心对于SSD及HBM需求快速提升导致供需错配，激发长存及长鑫扩产动能。我们判断今年有望是两存扩产大年，建议重点关注国产存力产业链的整体机会： NAND&DRAM半导体（长存相关）产业链：中微公司、拓荆科技、安集科技、京仪装备、中科飞测、微导纳米； 长鑫&