看好迈为股份的钼基薄膜沉积设备在下一代存储领域的成长潜力

此次迭代最大的技术亮点，在于使用钼材料替代传统钨材料制作字线。 字线（Word Line）是连接存储单元控制栅极的水平控制线，主要用于选择和操作特定行的存储单元。 随着3D NAND堆叠层数愈多，传 看好迈为股份的钼基薄膜沉积设备在下一代存储领域的成长潜力！据外媒报道，SK海力士已完成375层3D NAND闪存的生产验证工作，该产品计划在今年年底前正式量产。 此次迭代最大的技术亮点，在于使用钼材料替代传统钨材料制作字线。 字线（Word Line）是连接存储单元控制栅极的水平控制线，主要用于选择和操作特定行的存储单元。 随着3D NAND堆叠层数愈多，传统钨材质短板凸显：线路细化后钨的电阻会显著上升，拖慢信号传输速率。 同时钨在制程中还需要额外铺设阻挡辅助层，逐层叠加后会挤占空间、影响芯片集成密度。 比较而言，在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度。 且钼无需额外增设阻挡层，可直接完成填充，进一步提升芯片存储密度。 钼前驱体在常温下为固态，生产时必须借助专用设备进行高温加热，同时把控物料的供给量与输送速率，对设备和制程管控要求严苛。 SK海力士选择采购东京电子（TEL）的设备。 东电的炉式设备可一次性完成约100片晶圆的沉积作业，在设备采购成本、场地占用以及钼物料消耗上更具性价比。 从行业层面来看，三星电子已率先落地钼材料工艺。 该公司自2024年4月起量产286层第九代3D NAND，就已将钼应用在金属布线环节；未来在下一代存储方向上，以钼带钨成为大势所趋。