产品目录与特性
- 6系列碳化硅MEK6（SiC）功率模块：
- 最高工作结温175℃
- 高功率密度，低开关损耗
- 适用高温、高频应用
- 参数范围：VDS：6500~1700V，ID:100~400A，RDS(on):2.5~26mΩ
- HP1系列碳化硅（SiC）功率模块：
- 最高工作结温175℃
- 高功率密度，低开关损耗
- 适用高温、高频应用
- 参数范围：VDS：1200V，ID：300~600A，RDS(on):2.7~5.3mΩ
驱动设计要点
- 误开启风险：上桥Q1开通时，Vgs尖峰大于Vth可能导致误开启，需选取关断电压-3~-5V，并确保Ccs较小、CGp较大以避免上下桥互通。
- 门极电压设计：
- 正负电源：+18V和-3V
- 驱动芯片隔离电压>2000V，驱动能力5A，CMTI>100 KV/us
- 有源米勒钳位门极电压钳位（如驱动芯片无米勒钳位）
- GS之间电容TVS抑制负压尖峰
SiC驱动Layout建议
- 避免DS回路和GS驱动回路重叠（或用功率板）
- 驱动回路尽量小，米勒钳位回路尽量小
- 分开的驱动源极，减小驱动回路的电感
- Gs电容靠近mos门极，钳位电路回路尽量短
- 敏感信号远离高dV/dt、电感等
驱动板实物图片展示
- 驱动单元特性：
- Tamura Gate driver 2LH/2XH系列介绍：
- 新技术：低开启电压（15V、12V）
- 超高耐压截止环技术（6500V+）
- 平面栅垂直结构、双面镀金工艺、沟槽栅工艺
- 6英寸晶圆良率提升
规格参数
- 模型名称与参数：
- 15mΩ：ASC10N1200MT3TO-247-31200V
- 16mΩ：ASC60N100MT3TO-247-31200V, ASC60N1200MT4TO-247-41200V
- 45mΩ：ASC30N1200MT3TO-247-31200V, ASC30N1200MT4TO-247-41200V
- 80mΩ：ASC100N1200MT4TO-247-41200V, ASC100N1200MT7TO-263-71200V
- 耐压与电流：
- 最大16mΩ/100A/1200V/T0247TOP1
- 主机厂客户已批量PFC
系统拓扑与应用
- 3-phase 380VAC系统：
- 拓扑：三相全桥PFC+CLLC
- 范围：TO-247-41200V, TO-247-41200V, TO-263-71200V
- 电压范围：250VDC~950VDC
EasyPACK推荐理由
