碳化硅MOSFET芯片/单管+模块+应用"三位一体"模式

SiC整机应用系统产品目录 0261021.22 1200V1200V1200V1200V1200V1200V 2mQ3mQ1.3ml2ml4mQ 650V650V1200V1200V1200V1700V1700V PDF Product 6系列碳化硅MEK6（SiC）功率模块 1.最高工作结温175℃;2.高功率密度，低开关损耗；3.适用高温、高频应用；4.参数范围：VDS：6500~1700V ID:100~400ARDS(on):2.5~26mQ HP1 系列碳化硅（SiC）功率模块 1.最高工作结温175℃；2.高功率密度，低开关损耗；3.适用高温、高频应用；4.参数范围：VDS：1200VID：300~600A RDS(on) :2.7~5.3mQ 驱动设计 因寄生电容的存在，上桥Q1开通时， 当Vgs 出现尖峰大于Vth，就有误开启风险。 关断电压选取-3~-5V同时较大的Ccs较小的CGp避免误开启导致上下桥互通风险。 门极电压 正负电源：+18V和-3V驱动芯片的最大隔离电压(>2000V)驱动能力(5A)CMTI(>100 KV/us)有源米勒钳位门极电压钳位（如驱动芯片无米勒钳位）GS之间的电容TVS抑制负压尖峰 SiC驱动Layout 避免DS回路和GS驱动回路重叠（或用功率板）驱动回路尽量小米勒钳位回路尽量小分开的驱动源极，减小驱动回路的电感Gs电容靠近mos门极钳位电路回路尽量短敏感信号远离高dV/dt，电感等 驱动板实物图片展示 Features of Gate Driver Units Suitable for various applications !品 Suitable for high-power market Inverter Introductionof Tamura Gate driver2LH/2XHseries Specification 新技术低开启电压（15V、12V) 超高耐压截止环技术（6500V+)平面栅垂直结构双面镀金工艺 沟槽栅工艺6英寸晶圆良率提升 Model NamePackageVoltage15mohmASC10N1200MT3TO-247-31200V16mohm38mohmASC60N100MT3TO-247-31200V45mohm60mahmASC30N1200MT3TO-247-31200V80mohm15mahmASC100N1200MT4TO-247-41200V16mohm3mahmASC60N1200MT4TO-247-41200V45mohm60mahmASC30N1200MT4TO-247-4120V80mohmASC30N1200MT7TO-263-71200vV80mohm 80mohm1200V80mohm 通过欧洲奥世IATF16949汽车质量体最大16mohm/100A/1200V/T0247TOP1主机厂客户已批量PFC 3-phase 380VAC>系统拓扑：三相全桥PFC+CLLC TO-247-41200VTO-247-41200VTO-263-71200V250VDC~950VDC EasyPACK NN 推荐理由体积和重量大幅减小（与Si功率器件相比）