碳化硅功率模块 BME1400B15JE34U5N 数据手册

比亚迪碳化硅功率模块BME1400B15JE34U5N

特性概述

比亚迪碳化硅功率模块BME1400B15JE34U5N采用最新双面银烧结工艺，具备高导热性、低损耗和高短路能力。该模块内置先进的碳化硅MOSFET芯片，适用于1-30kHz频率范围内的各种应用，展现出优良性能。

核心特性

• 第三代半导体材料：碳化硅
• 阻断电压：1500V
• 低内阻（RDS(on)）
• 低开关损耗
• 低Qg和Crss
• 低电感设计（Ls≤10nH）
• 最大连续工作结温：175°C
• 铜直接冷却底板
• 高性能氮化硅陶瓷
• 集成化NTC温度传感器

应用领域

主要应用于汽车级应用，包括混动车（HEV）和电机驱动，最高支持900V电压平台。

典型值

• BME1400B15JE34U5N的具体典型值未在文本中详细列出，需参考官方数据。

封装与安装

• 提供电路图和封装轮廓图。
• 推荐安装扭矩（M4）：1.8-2.4N·m。

安全注意事项

• 不当操作（如电应力、机械应力等）可能导致模块损毁。
• 运输过程中应避免颠簸或坠落，防止器件受损。
• 贮存环境温度应控制在5-35°C，湿度45-75%。
• 长期贮存时需采取去湿措施，并检查器件外观。
• 应用环境应避免水、有机溶剂、腐蚀性气体等。
• 防静电措施：人体静电、包装箱静电和过电压可能损坏器件，需接地操作并使用接地烙铁头。