碳化硅功率模块 BME1400B15JE34U5N 数据手册

VDSS=1500VID=1400A Features/特性 GeneralDescription/概述 BYDSiC Power Module BME1400B15JE34U5Nuses latest Double sided Silver sinteringtechnology and provides low switching lossaswell as high short circuit capability,which introducethe advanced SiC mosfet chip,it isableto take on a perfect performance in variousapplications with switching frequencies in therange of 1-30KHz.★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 The3rdgenerationsemiconductormaterial-SiliconCarbide第三代半导体材料-碳化硅Blockingvoltage1500V阻断电压1500VLowRDS(on)低内阻LowSwitchingLosses低开关损耗LowQgandCrss低Qg和CrssLowInductiveDesign,Ls≤10nH低电感设计Ls≤10nHTvjop=175ºC最大连续工作结温175ºCDirectCooledCuPinFinBasePlate铜直接冷却底板HighPerformanceSi3N4Ceramic高性能氮化硅陶瓷IntegratedNTCtemperaturesensor集成化NTC温度传感器★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半 比亚迪碳化硅功率模块BME1400B15JE34U5N采用最新双面银烧结工艺，具有高导热、低损耗和高短路能力,内含先进的碳化硅mosfet芯片,在1-30KHZ频率的应用中表现出优良的性能。 Applications/应用 AutomotiveApplications汽车级应用HybridElectricalVehicles(H)EV混动车MotorDrives电机驱动Maximumappliedvoltageplatform:900V最高支持1000V电压平台 CharacteristicValues/典型值 BME1400B15JE34U5N BME1400B15JE34U5N BME1400B15JE34U5N CircuitDiagram/电路图 注：图中二极管为MOSFET体二极管。 PackageOutlines/封装轮廓图 BME1400B15JE34U5N ★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 Attached(recommendedtorqueandscrew)/安装（推荐扭矩和螺丝）:★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03 RecommendMountingTorque(M4):1.8-2.4N·m推荐安装扭矩(M4)扭矩:1.8-2.4N·m亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 Attention CorrectandSafetyUseofPowerModule •Unsuitableoperation(suchaselectrical,mechanicalstressandsoon)mayleadtodamageofpowermodules.公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半 •PleasepayattentiontothefollowingdescriptionsanduseBYD'sIGBTmodulesaccordingtotheguidance. ★外部公开★ DuringTransit:★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 •Tossingordroppingofacartonmaydamagedevicesinside.•Ifadevicegetswetwithwater,malfunctioningandfailuremayresult.Specialcareshouldbetakenduringrainorsnowtopreventthedevicesfromgettingwet.★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 Storage: •Thetemperatureandhumidityofthestorageplaceshouldbe5~35°Cand45~75%respectively.Theperformanceandreliabilityofdevicesmaybejeopardizedifdevicesarestoredinanenvironmentfaraboveorbelowtherangeindicatedabove.★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 ProlongedStorage: •Whenstoringdevicesmorethanoneyear,dehumidifyingmeasuresshouldbeprovidedforthestorageplace.Whenusingdevicesafteralongperiodofstorage,makesuretochecktheexteriorofthedevicesisfreefromscratches,dirt,rust,andsoon.★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 OperatingEnvironment:★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 •Devicesshouldnotbeexposedtowater,organicsolvents,corrosivegases,explosivegases,fineparticles,orcorrosiveagents,sinceanyofthosecanleadtoaseriousaccident. Anti-electrostaticMeasures: •Followingprecautionsshouldbetakenforgateddevicestopreventstaticbuildupwhichcoulddamagethedevices.★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 •Staticelectricityofhumanbodiesandcartonsand/orexcessivevoltageappliedacrossthegatetoemittermaydamageandrupturedevices.Sense-emitterandtemperature-sensorarealsovulnerabletoexcessivevoltage.Thebasisofanti-electrostaticissuppressionofbuild-upandquickdissipationofthechargedelectricity.★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 •Containersthataresusceptibletostaticelectricityshouldnotbeusedfortransitorforstorage. •Signalterminalstoemittershouldbealwaysshortedwithacarbonclothorthelikeuntilrightbeforeamoduleisused.Nevertouchthesignalterminalswithbarehands.•Alwaysgroundtheequipmentandyourbodyduringinstallation(afterremovingacarbonclothorthelike.Itisadvisabletocovertheworkstationanditssurroundingfloorwithconductivematsandgroundthem.•Usesolderingironswithgroundedtips.亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半导体官网★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03 注意：公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 功率模块安全正确的使用方法： •不当的操作（如电应力、机械应力等）可能导致模块损毁。请注意以下介绍，并根据指导来使用使用比亚迪IGBT模块。★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★ 运输过程中： •包装箱颠簸或坠落可能导致内部器件损毁。•器件遇水受潮将导致故障失效。在雨雪天气尤其要注意保护器件防止淋湿。★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 贮存： •贮存地点温度与湿度应分别控制在5~35°C和45~75%湿度。如果贮存环境远高于或低于指示的变化范围，将危害器件的性能与可靠性。 长期贮存：★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 •当存储器件时间超过一年，贮存地点应当采取去湿措施。器件经过长期存放使用时，检查器件确保外观没有刮伤，灰尘，锈迹等。 应用环境： •器件不应当暴露在水，有机溶剂，腐蚀性气体、易燃易爆性气体，微尘，腐蚀性药剂中，上述任何一种情况都会导致严重事故。 防静电措施： •带栅极器件应采取以下预防措施来防止可以损毁器件的静电生成。•预防措施可以防止静电击穿器件：•栅极与发射极间产生的人体静电、包装箱静电和过电压将损毁或击穿器件。采样发射极和温度传感器同样容易受到过压损毁。防静电底板可以抑制电荷生成并快速耗散。★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 •不要使用易受静电影响的容器运输或贮存器件。•发射极信号端子应一直用碳纤维布或类似物短接直到模块使用前。任何情况下不要徒手碰触信号端子。•安装过程中始终保持设备和你的身体接地(移除碳纤维布或类似物后)。用导电垫覆盖工作地点及周围地板并使其接地。•使用接地的烙铁头。★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半导体官网 公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半 ★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 ★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 ★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 ★外部公开★比亚迪半导体官网 2026‑03‑11 10:17:13 2026‑03‑11