金博股份韬定律推升封装级散热需求高端氮化铝AlN粉体迎来价值重估

#华为韬（τ）定律强化高集成封装下的散热约束、推动封装级散热材料向高导热、电绝缘、低CTE升级。 芯片和封装结构越紧凑，单位面积发热越集中，散热材料不仅要导热，还要绝缘，并与Si、SiC、GaN等芯片材料CTE匹配，以降低热循环下的开裂、脱焊和失效风险。 氮化铝陶瓷材料兼具高导热、电绝缘和低CTE，高性能氮化 #华为韬（τ）定律强化高集成封装下的散热约束、推动封装级散热材料向高导热、电绝缘、低CTE升级。 芯片和封装结构越紧凑，单位面积发热越集中，散热材料不仅要导热，还要绝缘，并与Si、SiC、GaN等芯片材料CTE匹配，以降低热循环下的开裂、脱焊和失效风险。 氮化铝陶瓷材料兼具高导热、电绝缘和低CTE，高性能氮化铝陶瓷基板热导率可达170-230W/(m·K)，CTE约4-5ppm/K，适配先进封装、AI服务器、光模块和功率器件等高功率散热场景，高端AlN粉体作为上游基础材料具备价值重估基础。 #500吨高端氮化铝粉体产线主要面向光通信和半导体先进封装、替代日本德山。 氮化铝粉体可用于DBC/AMB功率模块基板、1.6T/3.2T光模块TEC陶瓷片与CPO封装、AI服务器陶瓷HDI板/散热片、SiC/GaN器件封装、导热界面材料TIM填料，以及半导体设备氮化铝陶瓷加热器/静电卡盘等环节。 上述场景共同指向高功率密度下的高导热绝缘材料升级，对粉体纯度、氧含量、粒径分布和批量一致性要求较 #公司氮化铝粉体采用连续化加工模式、500吨产线预计6月底一次性投产、后续扩产弹性较大。 公司已发布高纯氮化铝微米粉、造粒粉、球形氮化铝填料粉等产品，其中KBMC-E高纯氮化铝微米粉氧含量＜0.75%、杂质含量＜300ppm，基于该粉体制备的氮化铝陶瓷基板热导率突破230W/(m·K)，性能指标对应高端陶瓷基板应用。 氮化铝粉体生产涉及高温反应、气氛控制、杂质控制和粉体一致性，金博过去在光伏热场、石墨化粉体加工和高温设备上积累较深；光伏热场闲置设备可转化用于AlN粉体生产，后续扩产弹性较大、边际资本开支相对较低。