DRAM Memory ETF（DRAM，未评级）：首支存储行业ETF（繁体版）

【公司評論】 韓嘯宇+852-25222101Peter.han@firstshanghai.com.hk DRAM Memory ETF（DRAM，未評級）：首支存儲行業ETF 投資邏輯 我們認為受益於人工智慧基礎設施建設週期，記憶體和存儲行業將迎來量價齊升的快速增長期，HBM和企業級高容量SSD的需求呈現出指數級爆發，結構性產能短缺帶來定價權轉移。投資DRAM本質上是投資存儲行業的確定性Beta，規避個股良率不達標、新產品不及預期、市場競爭博弈的風險。 行業半導體股價35.07美元 ETF簡介 市值N/A總股本N/A52周高/低35.97/26.14美元每股帳面值34.55美元 股Roundhill記憶體ETF（DRAM）旨在投資於一籃子全球記憶體晶片公司，於2026年4月2日開始交易。DRAM是首只存儲行業主動ETF，為投資者提供全球領先的記憶體生產商組合的投資機會，這些生產商處於人工智慧驅動的更快、更高效的資料處理和存儲需求的核心。ETF管理費率為0.65%，預計僅在季度再平衡時進行換手。 主要持倉 DRAM主要持倉為SK海力士、美光（通過互換協議Swap持有）及三星電子，三者為頭部的存儲晶片製造商，業務涵蓋HBM、DRAM、NAND等，三大原廠佔據了約73%的權重。鎧俠及閃迪為領先的NAND製造商；西部資料及希捷為領先的HDD製造商；南亞科技為專注生產DRAM的臺灣地區製造商；華邦電子為生產DRAM及Flash的臺灣地區製造商。 溢價率 由於DRAM投資於多市場，因此在美股交易時段的股價包含對第二天韓日台股票的預期，做市商會通過ADR或掉期合約（Swap）進行對沖，並根據底層資產的公允價值（Fair Value）進行盤中定價。因此，雖然盤中可能出現微小的流動性點差，但收盤後的淨值折溢價依然會收斂至極低水準，不會出現動輒5%-10%的單邊溢價損耗。溢價率當前為1.5%。 風險 行業週期風險、AI需求不確定性的風險、擴產不及預期的風險 資料來源：公司資料、第一上海預測 披露事項與免責聲明 披露事項 免責聲明 本報告由第一上海證券有限公司(“第一上海”)編制，僅供機構投資者一般審閱。未經第一上海事先明確書面許可，就本報告之任何材料、內容或印本，不得以任何方式複製、摘錄、引用、更改、轉移、傳輸或分發給任何其他人。本報告所載的資料、工具及材料只提供給閣下作參考之用，並非作為或被視為出售或購買或認購證券或其它金融票據，或就其作出要約或要約邀請，也不構成投資建議。閣下不可依賴本報告中的任何內容作出任何投資決策。本報告及任何資料、材料及內容並未有考慮到個別的投資者的特定投資目標、財務情況、風險承受能力或任何特別需要。閣下應綜合考慮到本身的投資目標、風險評估、財務及稅務狀況等因素，自行作出本身獨立的投資決策。 本報告所載資料及意見來自第一上海認為可靠的來源取得或衍生，但對於本報告所載預測、意見和預期的公平性、準確性、完整性或正確性，並不作任何明示或暗示的陳述或保證。第一上海或其各自的董事、主管人員、職員、雇員或代理均不對因使用本報告或其內容或與此相關的任何損失而承擔任何責任。對於本報告所載資訊的準確性、公平性、完整性或正確性，不可作出依賴。 第一上海或其一家或多家關聯公司可能或已經，就本報告所載資訊、評論或投資策略，發佈不一致或得出不同結論的其他報告或觀點。資訊、意見和估計均按“現況”提供，不提供任何形式的保證，並可隨時更改，恕不另行通知。 第一上海並不是美國一九三四年修訂的證券法(「一九三四年證券法」)或其他有關的美國州政府法例下的註冊經紀-交易商。此外，第一上海亦不是美國一九四零年修訂的投資顧問法(下簡稱為「投資顧問法」，「投資顧問法」及「一九三四年證券法」一起簡稱為「有關法例」)或其他有關的美國州政府法例下的註冊投資顧問。在沒有獲得有關法例特別豁免的情況下，任何由第一上海提供的經紀及投資顧問服務，包括(但不限於)在此檔內陳述的內容，皆沒有意圖提供給美國人。此檔及其複印本均不可傳送或被帶往美國、在美國分發或提供給美國人。 在若干國家或司法管轄區，分發、發行或使用本報告可能會抵觸當地法律、規定或其他註冊/發牌的規例。本報告不是旨在向該等國家或司法管轄區的任何人或單位分發或由其使用。©2026第一上海證券有限公司版權所有。保留一切權利 第一上海證券有限公司香港中環德輔道中71號永安集團大廈19樓電話:(852) 2522-2101傳真:(852) 2810-6789網址：Http://www.myStockhk.com