DRAM Memory ETF（DRAM，未评级）：首支存储行业ETF（简体版）

【公司评论】 韩啸宇+852-25222101Peter.han@firstshanghai.com.hk DRAM Memory ETF（DRAM，未评级）：首支存储行业ETF 投资逻辑 我们认为受益于人工智能基础设施建设周期，内存和存储行业将迎来量价齐升的快速增长期，HBM和企业级高容量SSD的需求呈现出指数级爆发，结构性产能短缺带来定价权转移。投资DRAM本质上是投资存储行业的确定性Beta，规避个股良率不达标、新产品不及预期、市场竞争博弈的风险。 ETF简介 市值N/A总股本N/A52周高/低35.97/26.14美元每股账面值34.55美元 股Roundhill内存ETF（DRAM）旨在投资于一篮子全球内存芯片公司，于2026年4月2日开始交易。DRAM是首只存储行业主动ETF，为投资者提供全球领先的内存生产商组合的投资机会，这些生产商处于人工智能驱动的更快、更高效的数据处理和存储需求的核心。ETF管理费率为0.65%，预计仅在季度再平衡时进行换手。 主要持仓 DRAM主要持仓为SK海力士、美光（通过互换协议Swap持有）及三星电子，三者为头部的存储芯片制造商，业务涵盖HBM、DRAM、NAND等，三大原厂占据了约73%的权重。铠侠及闪迪为领先的NAND制造商；西部数据及希捷为领先的HDD制造商；南亚科技为专注生产DRAM的台湾地区制造商；华邦电子为生产DRAM及Flash的台湾地区制造商。 溢价率 由于DRAM投资于多市场，因此在美股交易时段的股价包含对第二天韩日台股票的预期，做市商会通过ADR或掉期合约（Swap）进行对冲，并根据底层资产的公允价值（Fair Value）进行盘中定价。因此，虽然盘中可能出现微小的流动性点差，但收盘后的净值折溢价依然会收敛至极低水平，不会出现动辄5%-10%的单边溢价损耗。溢价率当前为1.5%。 风险 行业周期风险、AI需求不确定性的风险、扩产不及预期的风险 资料来源：公司资料、第一上海预测 披露事项与免责声明 披露事项 免责声明 本报告由第一上海证券有限公司(“第一上海”)编制，仅供机构投资者一般审阅。未经第一上海事先明确书面许可，就本报告之任何材料、内容或印本，不得以任何方式复制、摘录、引用、更改、转移、传输或分发给任何其他人。本报告所载的数据、工具及材料只提供给阁下作参考之用，并非作为或被视为出售或购买或认购证券或其它金融票据，或就其作出要约或要约邀请，也不构成投资建议。阁下不可依赖本报告中的任何内容作出任何投资决策。本报告及任何资料、材料及内容并未有考虑到个别的投资者的特定投资目标、财务情况、风险承受能力或任何特别需要。阁下应综合考虑到本身的投资目标、风险评估、财务及税务状况等因素，自行作出本身独立的投资决策。 本报告所载资料及意见来自第一上海认为可靠的来源取得或衍生，但对于本报告所载预测、意见和预期的公平性、准确性、完整性或正确性，并不作任何明示或暗示的陈述或保证。第一上海或其各自的董事、主管人员、职员、雇员或代理均不对因使用本报告或其内容或与此相关的任何损失而承担任何责任。对于本报告所载信息的准确性、公平性、完整性或正确性，不可作出依赖。 第一上海或其一家或多家关联公司可能或已经，就本报告所载信息、评论或投资策略，发布不一致或得出不同结论的其他报告或观点。信息、意见和估计均按“现况”提供，不提供任何形式的保证，并可随时更改，恕不另行通知。 第一上海并不是美国一九三四年修订的证券法(「一九三四年证券法」)或其他有关的美国州政府法例下的注册经纪-交易商。此外，第一上海亦不是美国一九四零年修订的投资顾问法(下简称为「投资顾问法」，「投资顾问法」及「一九三四年证券法」一起简称为「有关法例」)或其他有关的美国州政府法例下的注册投资顾问。在没有获得有关法例特别豁免的情况下，任何由第一上海提供的经纪及投资顾问服务，包括(但不限于)在此档内陈述的内容，皆没有意图提供给美国人。此档及其复印本均不可传送或被带往美国、在美国分发或提供给美国人。 在若干国家或司法管辖区，分发、发行或使用本报告可能会抵触当地法律、规定或其他注册/发牌的规例。本报告不是旨在向该等国家或司法管辖区的任何人或单位分发或由其使用。©2026第一上海证券有限公司版权所有。保留一切权利 第一上海证券有限公司香港中环德辅道中71号永安集团大厦19楼电话:(852) 2522-2101传真:(852) 2810-6789网址：Http://www.myStockhk.com