半导体材料：景气上行叠加工艺通胀，国产替代开启成长新篇

AI算力、数据中心和智能终端的持续放量推动全球半导体景气进入上行阶段，晶圆厂资本开支水平与稼动率维持高位，半导体材料作为消耗和复购属性品种受益于此。
先进逻辑、HBM、3D NAND等高复杂度工艺中，部分重要材料品类呈现单片用量上升、品类数增加、或价格抬升的复合通胀，相关产业链环节增长弹性和业绩落地确定性更强。
晶圆厂扩产、供应链安全重估及对日替代预期强化，增强fab对本土材料导入意愿，部分材料验证节奏和国产化率加快提升，半导体材料板块获得景气上行、先进工艺通胀、份额提升、国产替代四重驱动。

CMP材料：逻辑芯片制程从250nm缩至7nm时，抛光步骤增至30次，抛光液种类从5种增至20余种；存储芯片从2D NAND到3D NAND，CMP步骤近乎翻倍；先进封装加速普及，CMP延伸至后道关键工艺。
靶材：3D NAND从128层升至232层以上时，单片晶圆靶材消耗量增加超40%；HBM单颗芯片铜靶用量达传统芯片3倍以上；钨靶超90%需求集中于存储芯片；中国对钨实施出口管制后，国内高纯靶材企业迎来份额提升窗口。
光刻胶：全球光刻胶市场规模预计从2025年约67亿美元增至2032年近99亿美元；日本JSR、TOK等五家企业垄断全球95%份额；我国g/i线国产化率仅20%-25%，KrF约3%，ArF不足1%，EUV几乎为0；高端光刻胶自主可控紧迫性显著提升。
刻蚀液：从65nm制程演进至7nm制程，刻蚀步骤激增超300%；存储芯片从32层提升至128层时，刻蚀设备用量占比从35%提升至48%；全球高端刻蚀液市场高度集中于海外厂商；国内具备高纯刻蚀液量产能力的企业有望受益于自主可控提速与行业量价上行。