中泰电子拓荆科技下游大扩产趋势产品验证顺利深度受益

伴随长鑫IPO进程，长存上市预期，2026年两存扩产预期逐步强化，每万片NAND/DRAM扩产有望带动近百亿的开支增量；先进制程端，随着国产AI、相关消费电子应用需求旺盛，供不应求，有望积极扩产带动上游先进设备需求。 公司多款先进制程的验证机台已顺利通过客户认证，应用于先进存储、先进逻辑领域的PECVD、AL 【中泰电子|拓荆科技】下游大扩产趋势，产品验证顺利深度受益！ 伴随长鑫IPO进程，长存上市预期，2026年两存扩产预期逐步强化，每万片NAND/DRAM扩产有望带动近百亿的开支增量；先进制程端，随着国产AI、相关消费电子应用需求旺盛，供不应求，有望积极扩产带动上游先进设备需求。 公司多款先进制程的验证机台已顺利通过客户认证，应用于先进存储、先进逻辑领域的PECVD、ALD等先进工艺设备进入规模化量产；先进键合设备在客户拓展方面取得了关键突破。 随着下游扩产，公司有望获得较好的订单份额。 ——混合键合设备已应用在3D NAND、CIS等领域，未来有望拓至AI芯片、HBM、3D DRAM等领域，且据外媒报道，AI芯片有望采用混合键合技术。 重视产业趋势！——拓荆首台W2W键合产品早在23年即获得重复订单，为国产首台应用于量产的键合设备；C2W 混合键合设备在2024年获得客户订单并出货，产品线覆盖完整！ 风险提示：下游大型晶圆厂扩产不及预期；行业竞争加剧。