中泰电子丨中微公司看好大扩产趋势下弹性表现①刻

①刻蚀：CCP方面，90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端验证；ICP方面，第二代ICP刻蚀设备在3D DRAM应用中取得了140:1的高深宽刻蚀结果，并付运到国内领先存储客户端认证，全新的化学气相刻蚀设备在GAA和3D DRAM关键工艺的实验室验证中展现优异性能。 ②薄膜沉积：成功开发出十多种薄膜设备，包括LPCVD 【中泰电子丨中微公司】看好大扩产趋势下弹性表现！ ①刻蚀：CCP方面，90:1超高深宽比低温刻蚀设备已运付客户端验证；ICP方面，第二代ICP刻蚀设备在3D DRAM应用中取得了140:1的高深宽刻蚀结果，并付运到国内领先存储客户端认证，全新的化学气相刻蚀设备在GAA和3D DRAM关键工艺的实验室验证中展现优异性能。 ②薄膜沉积：成功开发出十多种薄膜设备，包括LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS和PECVD等产品。 其中，公司已开发出金属栅应用的ALD产品；减压EPI设备已在成熟制程客户端验证成功，也已付运先进制程客户端，部分先进工艺已进入量产验证阶段；常压外延设备现已完成开发，进入晶圆验证阶段。 ——国内两存、逻辑晶圆厂做大做强。 两存将有望复制面板成长逻辑成为全球领先企业，晶圆厂体量持续壮大；先进制程必将大扩产，解决国产AI最卡脖子环节及众多高端应用芯片制造瓶颈。 ——据SEMI，2025年大陆晶圆制造设备市场空间约463亿美元，未来随着大扩产向上，市场规模有望进一步增长，同时，国产化份额较低，仍有充分提升空间。 风险提示：技术迭代不及预期等；下游扩产不及预期。