中泰电子丨中微公司看好大扩产趋势下弹性表现①刻

2026-05-15 未知机构 John

刻蚀技术进展：
- CCP方面：90:1超高深宽比低温刻蚀设备已交付客户端验证。
- ICP方面：第二代ICP刻蚀设备在3D DRAM应用中实现140:1高深宽比刻蚀，已交付国内领先存储客户端认证。
- 化学气相刻蚀设备在GAA和3D DRAM关键工艺实验室验证中表现优异。
薄膜沉积技术进展：
- 成功开发十多种薄膜设备，包括LPCVD、ALD、EPI、PVD CuBS和PECVD等。
- ALD产品已用于金属栅应用；减压EPI设备在成熟制程客户端验证成功，部分先进工艺进入量产验证阶段；常压外延设备完成开发，进入晶圆验证阶段。
下游市场趋势：
- 国内两存（指国内两大存储企业）有望复制面板成长逻辑，成为全球领先企业，晶圆厂体量持续壮大。
- 先进制程大扩产将解决国产AI卡脖子环节及高端应用芯片制造瓶颈。
- 据SEMI，2025年大陆晶圆制造设备市场空间约463亿美元，未来随大扩产规模增长，市场规模有望进一步扩大，国产化份额仍有充分提升空间。
风险提示：
- 技术迭代不及预期；下游扩产不及预期。