高盛上调20262027年DRAM供需缺口至4925

需求端，服务器相关应用（含DDR、LPDDR、HBM等）需求持续强劲，2026/2027年服务器DRAM（不含HBM）需求同比增长39%/22%，占全球需求比例达44%/46%，叠加HBM后占比升至53%/57%，成为核心驱动因素；而PC、手机DRAM需求受 高盛上调2026/2027年DRAM供需缺口至4.9%/2.5%，2026年短缺程度为过去15年最严重。 需求端，服务器相关应用（含DDR、LPDDR、HBM等）需求持续强劲，2026/2027年服务器DRAM（不含HBM）需求同比增长39%/22%，占全球需求比例达44%/46%，叠加HBM后占比升至53%/57%，成为核心驱动因素；而PC、手机DRAM需求受内存成本上涨和出货量下调影响，增速大幅放缓至5%/7%。 供应端，行业产能扩张受限，仅三星P4工厂有新增产能灵活性，海力士产能侧重HBM，新工厂2027年下半年前难以量产，且行业库存保持健康，源头信息加微WUXL7713部分客户已预约2028年产能。 盈利方面，2026年三星、海力士传统DRAM平均售价（ASP）同比分别大涨176%/184%，年末ASP接近1.25美元/ Gb，营业利润率（OPM）分别达71%/79%，创历史级水平。 NAND分析总结高盛预计2026/2027年NAND供需缺口扩大至4.2%/2.1%，2026 年迎来历史级短缺。 需求端，企业级SSD（eSSD）需求是核心增长引擎，2026/2027年同比增长58%/23%，占全球需求36%/39%；英伟达ICMSP架构为NAND带来新增量，仅Rubin平台2026/2027年就将新增29EB/79EB需求，占全球总需求3%/6%；而PC、手机NAND需求受成本压力影响，2026年首次出现零增长。 供应端，源头信息加微WUXL7713厂商聚焦3D NAND技术层升级而非晶圆产能扩张，仅三星P4、铠侠北上工厂有少量产能空间，主要增量来自中国厂商，行业库存处于健康水平。 盈利上，2026年三星、海力士NAND ASP同比分别大涨121%/102%，年末ASP达0.15-0.18美元/ GB，OPM分别达40%/44%，海力士该指标创公司历史最高。 HBM分析总结高盛上调2026/2027年HBM全球市场规模（TAM）8%/9%至540亿美元/ 750 亿美元，同时将供需缺口上调至5.1%/4.0%。 需求端，ASIC成为关键增长动力，2026/2027年ASIC占HBM需求比例升至33%/36%，需求同比大涨171%/45%，显著高于GPU端50%/27%的增速；全球HBM需求2026年同比增长76%，2027年增长33%，超大规模云厂商ASIC自研推动需求持续释放。 供应端，三星、海力士加速扩产，2026年末产能分别达19万片/月、21.5万片/月，行业总产能升至51.5万片/月，但需求增长更为显著，缺口仍持续扩大。 竞争格局上，海力士以52%的市占率保持领先源头信息加微WUXL7713，三星HBM业务迎高增长，2026年营收同比大涨157%至150亿美元，市占率升至27%；美光市占率稳定在20%左右。 ASP方面，2026年因HBM3E定价下降同比下滑8%，2027年随HBM4占比提升反弹5%。