电子行业研究周报：龙头对HBM3E涨价，HBM行业占比提高

——电子行业研究周报 投资摘要： 评级增持（维持） 每周一谈：龙头对HBM3E涨价HBM行业占比提高 2025年12月29日 三星和SK海力士对HBM3e涨价20%，AI推动HBM行业占比进一步提升。根据芯智讯援引《朝鲜日报》报道，三星电子和SK海力士已将2026年HBM3e供应价格上调近20%，尽管HBM3e今年仍是HBM市场主流产品，但随着HBM4在明年上市，HBM3E的价格预计将趋于回落或持平。包括英伟达、AMD在内的AI芯片厂商仍在持续出货基于HBM3e的AI加速器，需求或将保持稳步增长。 王伟分析师SAC执业证书编号：S1660524100001 根据半导体产业纵横援引TrendForce数据，HBM产品主要用于AI芯片模块，英伟达、AWS、谷歌和AMD四家AI芯片公司占据HBM需求的95%。2025年的主流产品是HBM3e，部分AI芯片公司使用HBM3或HBM2e，2026年的主流产品仍将是HBM3e，堆叠的DRAM芯片数量或将从8个增加到12个。2025年HBM出货及销售额占DRAM的比例将进一步提升，出货量提升至8%、销售额占比将提升至33%，至2026年两项占比有望进一步提升。 根据闪存市场，美光预计HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元，这一市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。美光上调资本开支，增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。美光正加紧下单采购设备并加速安装，以最大化产出能力。 SK海力士M15X工厂量产时间提前，或抢先应对Rubin对HBM4需求。根据闪存市场援引韩媒thelec报道，SK海力士M15X新工厂的量产比原计划提前4个月，或为抢先应对Rubin对HBM4的需求。SK海力士目前已经完成1b HBM4工艺的认证，并将于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。受益于HBM等涨价、产能紧张，存储量价向上周期预计延续。 建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。 相关报告 1、《电子行业研究周报：美光业绩指引超预期存储涨价或影响下游出货》2025-12-242、《电子行业研究周报：H200获准入华博通业绩催化定制芯片出货预期》2025-12-193、《电子行业研究周报：大模型迭代提升性能AI定制芯片出货预期提升》2025-12-10 投资策略：建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。 风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧 1.市场回顾 上周（12.22-12.26）申万电子行业指数上涨4.96%，在申万31个行业中排名第4，跑赢沪深300指数3.01%。 本月（12.1-12.26）申万电子行业指数上涨5.33%，在申万31个行业中排名第8，跑赢沪深300指数2.44%。 年初至今（1.1-12.26）申万电子行业指数上涨48.12%，在申万31个行业中排名第3，跑赢沪深300指数29.76%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 上周（12.22-12.26）申万电子行业三级子行业中半导体材料、印制电路板、其他电子Ⅲ、电子化学品Ⅲ、模拟芯片设计指数涨跌表现相对靠前，跑赢沪深300指数6.27%、5.78%、5.51%、4.24%、4.07%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 上周（12.22-12.26）万得半导体概念指数中半导体设备指数、半导体材料指数、长江存储指数、中芯国际产业链指数、先进封装指数、第三代半导体指数、光刻机指数涨跌幅分别为7.64%、7.16%、5.74%、5.44%、5.18%、4.40%、4.24%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 截至12月26日，费城半导体指数收于7207.64点、周上涨1.98%。台湾半导体指数收于893.24点、周上涨4.96%。 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 2.行业数据跟踪 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：wind，申港证券研究所 资料来源：ifind，申港证券研究所 资料来源：ifind，申港证券研究所 资料来源：ifind，申港证券研究所 资料来源：ifind，申港证券研究所 资料来源：ifind，申港证券研究所 3.每周一谈：龙头对HBM3E涨价HBM行业占比提高 三星和SK海力士对HBM3e涨价20%，AI推动HBM行业占比进一步提升。根据芯智讯援引《朝鲜日报》报道，三星电子和SK海力士已将2026年HBM3e供应价格上调近20%，尽管HBM3e今年仍是HBM市场主流产品，但随着HBM4在明年上市，HBM3E的价格预计将趋于回落或持平。包括英伟达、AMD在内的AI芯片厂商仍在持续出货基于HBM3e的AI加速器，需求或将保持稳步增长。 根据半导体产业纵横援引TrendForce数据，HBM产品主要用于AI芯片模块，英伟达、AWS、谷歌和AMD四家AI芯片公司占据HBM需求的95%。2025年的主流产品是HBM3e，部分AI芯片公司使用HBM3或HBM2e，2026年的主流产品仍将是HBM3e，堆叠的DRAM芯片数量或将从8个增加到12个。2025年HBM出货及销售额占DRAM的比例将进一步提升，出货量提升至8%、销售额占比将提升至33%，至2026年两项占比有望进一步提升。 资料来源：TrendForce，FMS，半导体产业纵横，申港证券研究所 资料来源：TrendForce，FMS，半导体产业纵横，申港证券研究所 根据闪存市场，美光预计HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元，这一市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。美光上调资本开支，增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。美光正加紧下单采购设备并加速安装，以最大化产出能力。 资料来源：Counterpoint，芯智讯，申港证券研究所 SK海力士M15X工厂量产时间提前，或抢先应对Rubin对HBM4需求。根据闪存市场援引韩媒thelec报道，SK海力士M15X新工厂的量产比原计划提前4个月，或为抢先应对Rubin对HBM4的需求。SK海力士目前已经完成1b HBM4工艺的认证，并将于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。受益于HBM等涨价、产能紧张，存储量价向上周期预计延续。 建议关注存储扩产对国内半导体前道和键合设备的拉动，以及HBM对混合键合等封装技术和高端产能的带动，建议关注北方华创、拓荆科技、精测电子、中科飞测、中微公司、通富微电、长电科技、华海诚科等。 4.重要公告 芯原股份：12月27日发布关于新签订单的自愿性披露公告。2025年10月1日至2025年12月25日，公司新签订单24.94亿元，较去年第四季度全期大幅增长129.94%，较今年第三季度全期进一步增长56.54%，继2025年第二、三季度单季度新签订单屡创历史新高后，再创历史单季度新高，将为公司未来营业收入增长提供有力的保障。截至2025年12月25日，公司第四季度新签订单金额中绝大部分为一站式芯片定制业务订单，AI算力相关订单占比超84%，数据处理领域订单占比近76%。 莱特光电：12月24日发布关于开展新业务的公告。公司拟通过控股子公司陕西莱特夸石材料有限公司开展新业务，聚焦高端电子材料领域，主要从事石英纤维电子布（简称“Q布”）的研发、生产与销售。截至本公告披露日，莱特夸石已完成核心团队组建，处于业务规划与产能建设阶段。新业务尚处于筹备阶段，预计本年度不会产生销售收入。 富创精密：12月26-27日发布股东询价转让计划书和股东询价转让定价情况提示性公告。拟参与公司首发前股东询价转让的股东为泰州祥浦创业投资基金合伙企业（有限合伙）；出让方拟转让股份的总数为9,186,323股，占公司总股本的比例为3.00%；本次询价转让不通过集中竞价交易或大宗交易方式进行，不属于通过二级市场减持。初步确定公司股东本次询价转让的转让价格为59.88元/股。 5.行业动态 三星和SK海力士对HBM3E涨价20% 12月25日消息，据《朝鲜日报》报道，随着美国特朗普政府允许英伟达H200对中国出口，消息人士称三星电子和SK海力士已将2026年HBM3E供应价格上调近20%。 报道指出，这种价格上涨被认为是不寻常的。尽管HBM3E今年仍是HBM市场的主流产品，且随着HBM4在明年上市，HBM3E的价格预计将趋于回落或持平，但包括英伟达、AMD在内的AI芯片厂商仍在持续出货基于HBM3E的AI加速器，使需求可能将保持稳步增长。与此同时，随着三星电子和SK海力士预计优先加快下一代HBM4的生产，HBM3E供应依然紧张，持续落后于需求。分析师预测，明年HBM收入结构将约为：45%是HBM3E，55%为HBM4。（来源：芯智讯） DDR4价格飙涨，三星推迟停产计划 12月25日消息，据DigiTimes报道，随着DDR4供应紧缺，16GB DDR4模组在现货市场的价格已经飙涨至60美元的历史新高，这也使得继续生产DDR4变得更为有利可图，因此韩国三星电子已经推迟了其DDR4生产线的停产计划。 由于人工智（AI）对于HBM、DDR5的需求激增，三星电子在今年早些时候就曾宣布将在2025年底关闭DDR4生产线，以便专注于HBM和DDR5。但是，由于三星、SK 海力士、美光等DRAM大厂都计划停产DDR4，这使得DDR4价格在短时间的迅速飙升，叠加目前的DDR5也供应紧缺、价格大涨，导致原本买不到DDR4客户想要升级到DDR5也同样面临困难，不得不妥协继续采用高价的DDR4。（来源：芯智讯） 为争夺台积电CoWoS客户，英特尔展示与Intel 18A/14A结合的先进封装技术 12月24日消息，半导体大厂英特尔（Intel）近日展示了其在先进封装领域的最新研发成果，推出一系列以Intel 18A与Intel 14A等先进节点制程的多芯粒（Multi-chiplet）产品概念。不仅展现了英特尔在Foveros 3D与EMIB-T先进封装技术上的突破，更传递出其希望在高性能计算（HPC）、人工智能（AI）及数据中心市场与台积电的CoWoS封装技术一决高下的信心。 英特尔本次技术展示的核心在于其精密且具高度扩展性的先进封装构架。根据数据显示，英特尔将利用Intel 14A-E节点制程提供突破性的逻辑性能，该制程同时采用了第二代RibbonFET晶体管与全新的PowerDirect技术。而在基础芯片部分，则采用Intel 18A-PT制程，这是首款采用背面供电技术的基础芯片，能显著提升逻辑密度与电力供应的可靠性。（来源：芯智讯） 200亿美元，英伟达收购Groq核心资产 12月25日消息，据Business insider、CNBC等外媒报道，全球人工智能（AI）芯片霸主英伟达（Nvidia）已经同意以约200亿美元的现金，收购成立9年的AI芯片新创公司Groq的核心资产。 这笔200亿美元的交易金额，不仅超越了英伟达2019年斥资约70亿美元收购以色列芯片商Mellanox的交易