长鑫科技科创板IPO解读

声明与提示 本演示文档内容基于公司披露的《首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书（申报稿）》。所有信息应以正式公告的招股说明书为准。 本公司的发行申请尚需经上海证券交易所和中国证监会履行相应程序。本招股说明书（申报稿）不具有据以发行股票的法律效力，仅供预先披露之用。 本文档仅作为内容分享，不构成任何投资建议。投资者应自主判断投资价值，自主作出投资决策，自行承担投资风险。 科创板具有研发投入大、经营风险高、业绩不稳定等特点，市场风险较高，投资者应充分了解相关风险。 长鑫科技：中国DRAM产业的领军企业 市场地位：中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业；全球第四大DRAM厂商（按产能和出货量统计）。 业务模式：垂直整合制造（IDM），集芯片设计、制造、封测及销售于一体。 产品布局：覆盖DDR系列（DDR4/DDR5）和LPDDR系列（LPDDR4X/LPDDR5/5X）等主流产品，应用于服务器、移动设备、PC、智能汽车等关键领域。 技术实力：核心产品与工艺已达国际先进水平，拥有境内外专利合计超过5,500件（境内3,116件，境外2,473件）。 科创板定位：符合新一代信息技术领域（半导体和集成电路），研发投入、人员占比、发明专利及营收增长等核心指标均满足要求。 把握时代机遇，构筑核心竞争力 战略性的产业基石 领先的市场地位 01 02 DRAM是数字经济时代的核心芯片，是国家信息基础设施的战略安全基石，市场空间广阔。 公司填补了中国大陆DRAM产品空白，产能规模已位居国内第一，具备显著的先发优势和规模效应。 强大的自主研发能力 清晰的成长路径 03 坚持“跳代研发”策略，构建了全面、完善的核心技术体系，产品技术持续迭代，达到国际先进水平。 本次上市将加速产能建设、技术升级和产品布局，增强盈利能力，持续为股东创造长期价值。 DRAM：数字世界的记忆中枢 DRAM：数字世界的记忆中枢 定义：动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccessMemory），数字设备中用于保存和读取数据的核心半导体存储器。 关键特性：速度快、密度高，是CPU进行数据处理的“高速缓存区”。 全球DRAM市场：高度集中的竞争格局 2024年全球DRAM市场份额 ·三星电子：40.35%·SK海力士：33.19%·美光科技：20.73%(三大厂商合计>90%) 行业特性：技术与资金门槛极高，规模效应显著。 长鑫科技： 全球市场份额已增至3.97%（据Omdia按2025年Q2销售额统计），正逐步进入主要厂商阵营，成长潜力巨大。 驱动力：中国庞大市场需求与发展空间 01巨大的需求 我国是全球服务器、手机、PC等产品的主要生产地和消费市场，对DRAM的需求量巨大。 02 广阔的机遇 本土品牌DRAM产品自给率仍较低，为国内龙头企业提供了前所未有的发展机遇。 03产业链的带动 公司上市将增强对庞大市场需求的供给保障能力，带动产业链协同发展，提升我国集成电路产业链综合实力。 商业模式：研、产、销一体化的IDM模式 全产业链布局，构筑核心竞争壁垒 IDM模式优势： ·技术协同：研发与制造紧密结合，加速技术迭代和良率提升。 ·成本控制：规模化生产带来显著的成本优势。供应稳定：自主掌控产能，保障供应链安全。快速响应：更好地满足客户定制化需求。 产品矩阵：形成DDR与LPDDR两大系列，提供多样化产品方案 DDR系列(面向服务器、PC) LPDDR系列 (面向移动设备、智能终端) 技术迭代：DDR4 → DDR5 技术迭代：LPDDR4X → LPDDR5/5X 产品形态:晶圆、芯片 产品形态:晶圆、芯片、模组(UDIMM,RDIMM) 目标应用: 目标应用： 技术实力：坚持自主创新，核心技术达国际先进水平 研发策略 知识产权（截至2025年6月30日） 采取“跳代研发”策略，高效追赶国际先进水平。 人才团队（截至2024年12月31日） 4,143研发人员 29.90% 占员工总数比例 生产运营：合肥、北京三座12英寸晶圆厂协同布局 生产模式： 晶圆制造： 自主生产，严格进行制程控制与良率管理。 封装测试： 采用“自主测试为主、委外为辅”及“委外封装”的模式，与专业封测厂商协同。 模组加工:主要通过委外工序完成。 客户与销售：服务下游头部厂商，市场认可度高 销售模式：经销模式为主，直销模式为辅。客户集中度：前五大客户销售占比在报告通过知名经销商快速覆盖市场，同时服务期内约为60-75%，客户结构相对稳定。大型战略客户。 终端客户（通过经销商或直销），彰显强大的市场认可度： [阿里云字节跳动腾讯m联想nD小米传音荣耀oddovivo 财务概览：业绩高速增长，规模效应遂步显现 数据截至2024年12月31日 经营活动现金流净额68.97亿元（2024年实现转正） 研发投入63.41亿元 营收分析：实现跨越式增长，复合年增长率达70.81% 驱动因素：产销规模持续增长、产品结构优化、DRAM产品价格回暖 盈利能力分析：战略性投入期，盈利拐点可期 文本解读 ·未来展望：预计2026年或2027年可实现盈利。 资产与投入：为未来增长奠定坚实基础 发展规划：成为技术领先与商业成功的半导体存储公司 “以存储科技赋能信息社会，改善人类生活” 人才运营 产品组合 产能建设 技术研发 拓展多元化产品组合，满足新兴市场需求。 加速产能布局建设，提升规模效应。 坚持高水平技术研发，夯实核心技术根基。 强化人才梯队与运营管理体系。 募集资金用途：聚焦主业，深化核心竞争力 DRAM存储器技术升级项目：130亿元 动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目：90亿元 存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目：75亿元 目标：募投项目是公司现有业务的扩充和延伸，旨在深化工艺技术、开拓前沿技术、提升核心竞争力。 本次发行概况 股权结构：结构分散，有效制衡 结论：公司无控股股东和实际控制人。董事会成员由多方股东提名，形成有效制衡的治理结构。 主要风险因素提示 *声明：以下为招股书中所披露的部分风险，详细内容请参阅招股说明书“第三节风险因素”。 报告期内尚未盈利且存在累计未弥补亏损的风险宏观经济与行业周期性导致业绩波动的风险固定资产投资及折旧金额较大的风险存货跌价风险国际贸易摩擦导致产业链不稳定的风险产品及技术研发不达预期的风险无控股股东和实际控制人的风险 cxmt 长鑫科技1CXMT 以存诸科技赋能信息社会，改善人类生活 谢谢