存储扩产驱动设备机遇

核心观点与关键数据

• 存储行业景气度持续上行：全球存储市场复苏明确，美光科技最新财报显示营收同比增长57%，净利润同比增长169%，反映行业进入量价齐升周期。AI推动数据中心建设，带动高带宽、大容量存储需求快速增长。
• HBM与高性能存储产品进展显著：美光已就2026年HBM价格与数量与客户达成协议，HBM4产品计划于2026年第二季度推出，速率可达11Gbps。首家在数据中心领域采用LPDRAM的厂商已推出192GB样品，提升机架存储密度。Land产品组合单季营收突破10亿美元。
• 供应链紧张将持续至2026年：数据中心建设催生新存储需求，供需格局长期偏紧，DRAM与NAND均呈现供不应求状态。国内“China for China”市场需求旺盛，国产替代空间广阔。

国内存储扩产趋势

• 武汉长江存储与合肥长鑫为当前国产存储最具确定性的两大厂商：当前产能与全球市占率仍较低，技术层面如NAND层数、HBM带宽等与国际领先水平存在差距，在供不应求背景下，两者的扩产节奏有望加快。

设备先行逻辑凸显

• 晶圆厂扩产过程中，设备采购优先启动，设备环节率先受益：存储扩产将直接拉动半导体设备订单增长，尤其利好国产设备厂商。

半导体设备受益方向分析

• NAND扩产带动薄膜与刻蚀设备需求：NAND向200层以上发展，依赖多轮薄膜沉积与刻蚀工艺，薄膜沉积（CVD/ALD）与刻蚀设备为NAND产线核心设备，需求量随层数增加成倍增长。
• HBM为AI芯片标配，涉及DRAM堆叠与混合键合等先进封装工艺：键合设备为HBM制造关键环节，国内尚处于从0到1或1到100的突破阶段，具备技术储备的企业将迎来快速发展窗口期。

重点设备厂商分析

• 拓荆科技：主要产品包括CVD、ALD及HBM用键合设备，设备覆盖存储核心工艺，扩产对其拉动效应显著，在存储领域设备占比高，弹性大。
• 中微公司：以刻蚀设备为主（CCP与ICP），为存储产线必需设备，同时布局CVD设备，品类拓展带来新增增长点，刻蚀设备需求量大，市场空间广阔。
• 微导纳米：起家于ALD设备，逐步拓展至CVD领域，产品最初应用于光伏，现半导体订单快速上升，在存储领域地位稳步提升，订单同比增幅明显。
• 北方华创：平台型设备龙头，产品覆盖刻蚀（ICP/CCP）、CVD、PVD、清洗等多环节，在存储产线覆盖率位居前列，整体受益于扩产浪潮，多品类协同优势明显。
• 中科飞测：专注于检测与量测设备，国产化率整体偏低，一旦产品取得突破，易在扩产中获取大额订单，扩产周期中检测设备需求同步增长，具备高弹性。

投资建议与总结

• 行业趋势明确：AI驱动下存储行业景气度持续性强，叠加国产替代刚需，扩产势在必行。国内存储产能扩张将打开设备市场空间，设备企业迎来黄金发展期。
• 重点关注设备环节：设备为扩产链条中最先受益环节，建议优先布局，聚焦薄膜沉积、刻蚀、先进封装及检测量测四大方向，重点关注拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米、中科飞测等核心标的。