存储扩产驱动设备机遇

会议围绕存储⾏业扩产对半导体设备的影响展开，重点分析了在AI驱动下全球及国内存储市场需求旺盛、供需紧张格局持续的背景下，武汉⻓江存储与合肥⻓鑫等国产存储⼚商扩产趋势明确，将带动半导体设备需求显著增⻓。美光科技最新财报显⽰营收与利润⼤幅增⻓，验证存储⾏业处于强劲上⾏周期，HBM、⾼性能SSD等产品需求旺盛，供应链紧张预计将持续⾄2026年。国内设备环节将优先受益于晶圆⼚扩产，尤其是薄膜沉积、刻蚀、先进封装及检测量测等关键设备领域，相关⻰头企业如拓荆科技、中微公司、北⽅华创、微导纳⽶、中科⻜测等具备显著成⻓潜⼒。 存储⾏业景⽓度持续上⾏ 全球存储市场复苏态势明确• 美光科技最新季度实现营收136.4亿美元，同⽐增⻓57%，环⽐增⻓21%○净利润同⽐增⻓169%，环⽐增⻓58%，反映存储⾏业进⼊量价⻬升周期○AI推动数据中⼼建设，带动⾼带宽、⼤容量存储需求快速增⻓○ HBM与⾼性能存储产品进展显著 美光已就2026年HBM价格与数量与客⼾达成协议○HBM4产品计划于2026年第⼆季度推出，采⽤先进CMOS与⾦属化⼯艺，速率可达11Gbps○⾸家在数据中⼼领域采⽤LPDRAM的⼚商，已推出192GB样品，提升机架存储密度○Land产品组合单季营收突破10亿美元，新产品持续推进○ 供应链紧张将持续⾄2026年• 数据中⼼建设催⽣新存储需求，供需格局⻓期偏紧○DRAM与NAND均呈现供不应求状态，扩产成为⾏业必然选择○国内“China for China”市场需求旺盛，国产替代空间⼴阔○ 国内存储扩产趋势明确 武汉⻓江存储与合肥⻓鑫为当前国产存储最具确定性的两⼤⼚商○当前产能与全球市占率仍较低，技术层⾯如NAND层数、HBM带宽等与国际领先⽔平存在差距○在供不应求背景下，两者的扩产节奏有望加快○ 设备先⾏逻辑凸显• 晶圆⼚扩产过程中，设备采购优先启动，设备环节率先受益○存储扩产将直接拉动半导体设备订单增⻓，尤其利好国产设备⼚商○ 半导体设备受益⽅向分析 NAND扩产带动薄膜与刻蚀设备需求• NAND向200层以上发展，部分已达300层以上，依赖多轮薄膜沉积与刻蚀⼯艺○薄膜沉积（CVD/ALD）与刻蚀设备为NAND产线核⼼设备，需求量随层数增加成倍增⻓○相关设备⼚商在扩产中将获得持续订单⽀撑○ HBM为AI芯⽚标配，涉及DRAM堆叠与混合键合等先进封装⼯艺○键合设备为HBM制造关键环节，国内尚处于从0到1或1到100的突破阶段○具备技术储备的企业将迎来快速发展窗⼝期○ 重点设备⼚商分析• 拓荆科技 主要产品包括CVD、ALD及HBM⽤键合设备○设备覆盖存储核⼼⼯艺，扩产对其拉动效应显著○在存储领域设备占⽐⾼，弹性⼤○ 中微公司○ 以刻蚀设备为主（CCP与ICP），为存储产线必需设备○同时布局CVD设备，品类拓展带来新增⻓点○刻蚀设备需求量⼤，市场空间⼴阔○ 微导纳⽶○ 起家于ALD设备，逐步拓展⾄CVD领域○产品最初应⽤于光伏，现半导体订单快速上升○在存储领域地位稳步提升，订单同⽐增幅明显○ 北⽅华创○ 平台型设备⻰头，产品覆盖刻蚀（ICP/CCP）、CVD、PVD、清洗等多环节○在存储产线覆盖率位居前列，整体受益于扩产浪潮○多品类协同优势明显○ 中科⻜测○ 专注于检测与量测设备，国产化率整体偏低○⼀旦产品取得突破，易在扩产中获取⼤额订单○扩产周期中检测设备需求同步增⻓，具备⾼弹性○ 投资建议与总结 ⾏业趋势明确• AI驱动下存储⾏业景⽓度持续性强，叠加国产替代刚需，扩产势在必⾏○国内存储产能扩张将打开设备市场空间，设备企业迎来⻩⾦发展期○ 重点关注设备环节• 设备为扩产链条中最先受益环节，建议优先布局○聚焦薄膜沉积、刻蚀、先进封装及检测量测四⼤⽅向○重点关注拓荆科技、中微公司、北⽅华创、微导纳⽶、中科⻜测等核⼼标的○