华西中小盘SiC迎先进封装全新增量市场反应积极根据我们的SiC深度报

2025-11-20 未知机构测试专用号2高级版

根据SiC深度报告，主流算力芯片基本标配CoWoS封装，AI算力芯片发展亟需解决CoWoS封装散热难题。CoWoS核心价值在于interposer（中介层）的连通作用，SiC因性能与可行性优势，有望成为未来CoWoS interposer的最适宜替代材料。

若CoWoS未来将Interposer替换为SiC，且按28年后35%复合增长率和70%替换SiC推演：30年对应需要超230万片12吋SiC衬底，等效约为920万片6吋。2025年全球碳化硅衬底（6英寸等效）年产能预计超过300万片，#CoWoS对SiC的需求有望数倍于当前的全球供给总和。

受益标的：晶盛机电、晶升股份、天岳先进、三安光电、通威股份、天富能源、华纬科技、宇晶股份等。

风险提示：新技术推进不及预期、行业竞争加剧、地缘政治风险等。

详细内容见《SiC深度（一）先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选》【华西中小盘| SiC深度（一）】先进封装：英伟达、台积电未来的材料之选@20251106

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