建材新材料行业研究：存储上行，封装材料，厚积薄发

先进封装+HBM拉动封装材料产业链量价齐升 先进封装+存储需求拉动下，我们看好半导体封装材料产业链将迎来量价齐升，例如海力士将其HBM4产品供应给英伟达，比其前代HBM产品单价高出50%以上。本文梳理存储封装材料包括：①环氧塑封料，②硅微粉，③载板上游：Low-CTE电子布/载体铜箔。 环氧塑封料：国产化率低，期待产品结构迭代、单位价值量跃升 环氧塑封料（EMC）属于半导体封装材料里的包封材料，随着先进IC封装技术的不断发展，对EMC材料的综合性能提出越来越高的要求。国产化率低、估计高性能EMC国产化率仅10-20%，先进封装国产化率更低，海外主要竞争对手包括住友电木、力森诺科等，国内企业有望重塑EMC行业竞争格局。 随 着 国内封测向先进封装迭代，环氧塑封料存在产品结构迭代、单位价值量跃升的逻辑，例如应用于先进封装FOWLP/FOPLP的环氧塑封料需以颗粒状（GMC）的形态呈现，对环氧塑封料的性能提出更高要求。参考衡所华威数据，先进封装EMC单价是高性能EMC的5-6倍、是基础EMC价格的10倍以上。以存储为例，随着SK海力士从DRAM向HBM迭代，其HBM采用MR-MUF技术、在半导体芯片缝隙中注入液体EMC。 硅微粉：环氧塑封料关键原材料 环氧塑封料主要原材料为硅微粉、环氧树脂、酚醛树脂、添加等，其他辅料材料包括包材、备件等，其中无机填料起到有效降低环氧塑封料热膨胀系数的作用。参考华海诚科收购标的衡所华威数据，2023-2024年其第一大供应商均为联瑞新材（采购硅微粉及添加剂），2024年硅微粉、添加剂分别占衡所华威原材料采购金额的比重为29%、26%。 Low-α球铝可以很好解决在存储领域高密度叠层封装所遇到的问题，联瑞新材Low-α球铝系列产品放射性元素铀(U)和钍(Th)含量均低于5ppb级别，最低可低于1ppb级别，已稳定批量配套行业领先客户。 载板上游：Low-CTE电子布/载体铜箔 封装基板与PCB制造原理相近，具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特点，是芯片封装不可或缺的一部分，为主要应用于移动智能终端、服务器/存储等领域。 （1）Low-CTE电子布：终端主要应用场景包括存储、FC-BGA、5G高频通信等领域，目前已成为载板环节重要供给瓶颈。根据中国台湾工商时报消息，日商三菱化学发出通知，因Low-CTE玻纤布原料短缺、以及订单需求增加，导致其BT载板材料交期大幅拉长，部分Low-CTE玻纤布交期达16-20周。 （2）载体铜箔：主要应用于IC载板、类载板，当前带载体可剥离超薄铜箔的全球市场规模约50亿元，多年来基本被日本三井金属垄断。随着AI技术发展，对先进芯片需求（例如SLP）不断增加，将推动载体铜箔市场持续增长，日本企业扩产节奏及意愿偏弱，叠加国内供应链加速本地化，利于载体铜箔国产替代进程。风险提示 国产替代不及预期；进入海外供应链节奏不及预期；行业竞争格局恶化。 1、先进封装+HBM拉动封装材料产业链量价齐升 先进封装+存储需求拉动下，我们看好半导体封装材料产业链将迎来量价齐升。随着集成电路制程工艺已接近物理尺寸极限，“后摩尔时代”集成电路通过先进封装技术提升芯片整体性能已成为趋势，先进封装技术已成为延续摩尔定律的最佳选择之一,预计在封装市场的占比将逐步提升。 根据韩国BusinessKorea报道，SK海力士将其HBM4产品供应给英伟达，比其前代HBM产品单价高出50%以上。HBM4将用于英伟达下一代AI芯片Rubin，预计将于26H2问世。HBM4拥有2048条数据传输通道（I/O），是HBM3E的2倍（1024条），此外HBM4还在GPU与HBM的基片中集成了“逻辑工艺”，如计算效率和能源管理功能。 半导体封装材料包括引线框架、芯片粘结材料、键合金丝、包封材料、缝合剂、其他封装材料等。 来源：华海诚科招股说明书，国金证券研究所 1.1环氧塑封料 环氧塑封料属于半导体封装材料里的包封材料。根据封装材料的不同，电子封装分为塑料封装、陶瓷封装和金属封装3种： 陶瓷封装和金属封装为气密性封装,由于其工艺复杂、成本高,主要用于航空航天领域; 塑料封装由于其成本低廉、工艺简单、并适合于大批量生产,目前在全世界范围内占集成电路市场的95%以上，封装形式包括DIP、SOP、BGA、CSP等类型。 环氧塑封料（EMC），全称为环氧树脂模塑料，用于半导体封装的一种热固性材料，以环氧树脂为基体树脂，以高性能酚醛树脂为固化剂，加入硅微粉等填料，以及添加多种助剂加工而成，主要功能为保护半导体芯片不受外界环境（水汽、温度、污染等）的影响，并实现导热、绝缘、耐湿、耐压、支撑等复合功能。 来源：华海诚科招股说明书，国金证券研究所 随着先进IC封装技术的不断发展，对EMC材料的综合性能提出越来越高的要求: （1）高耐热与低熔体黏度，随着汽车和电子等特种芯片产品的快速发展以及高熔点无铅焊料的广泛使用，EMC发展趋势为进一步提高耐温等级和高温尺寸稳定性； （2）高导热与高绝缘，随着IC芯片向高速高集成化和微型化方向发展，芯片工作时的放热问题越来越突出，EMC作为芯片的导热通道、需要具有更高热导率，方法有加入高导热填料，以及应用具有本征高导热特性的特种环氧树脂与酚醛固化剂； （3）低翘曲与高熔体流动性，为,适应大尺寸模塑封装工艺，需要EMC固化物具有尽可能低的翘曲率，同时在模塑过程中保持优良的熔体流动性，方法为提升现有EMC中的球型硅微粉含量(质量分数≥90%)； （4）低介电常数与介电损耗，为实现脉冲信号传递的高速化，要求所使用的介质材料应具有尽可能低的介电常数Dk和介电损耗Df，方法为应用含有脂环单元的特种环氧树脂； （5）适应大尺寸器件封装成型工艺。EMC目前主要是采用传递模塑工艺进行IC芯片封装，因此产品类型主要以固体柱状为主。后续为适应大尺寸模塑封装工艺、如板级FOWLP封装应用需求，需要采用压缩型模塑工艺，相应EMC也需由传统的固体柱状产品向固体颗粒状/液态形式发展。 来源：《IC封装环氧塑封料用商业化环氧树脂与酚醛固化剂的研究进展》（作者：王璐等），国金证券研究所 国产化率低、估计高性能EMC国产化率仅10-20%，先进封装国产化率更低，海外主要竞争对手包括住友电木、力森诺科等，国内企业有望重塑EMC行业竞争格局。根据共研咨询数据，2025年我国半导体用环氧塑封料产量为23.24万吨，国内主流环氧塑封料企业包括： 华海诚科，2024年环氧塑封料销售量为1.19万吨，同时收购国内另一家环氧塑封料企业衡所华威（目前已收购 30%股权，同时通过发行股份等方式收购剩余70%股权、尚处于落地阶段），收购落地后环氧塑封料年产销量有望超2.5万吨，稳居国内龙头地位，跃居全球出货量第二位； 飞凯材料子公司兴凯半导体，环氧塑封料前期优先保障在功率器件、电源分立适配、家电及光伏等成熟应用领域的市场份额，今年正投资建设一条专用于先进封装的高性能EMC产线。 随着国内封测向先进封装迭代，环氧塑封料存在产品结构迭代、单位价值量跃升的逻辑。先进封装类环氧塑封料相较传统封装类更高端，应用FOWLP/FOPLP的环氧塑封料需以颗粒状（GMC）的形态呈现，对环氧塑封料的导热性、吸水率、应力、粘接力、可靠性等性能提出了更高要求。参考华海诚科收购标的衡所华威数据，先进封装EMC单价是高性能EMC的5-6倍、是基础EMC价格的10倍以上。 来源：华海诚科公司公告，国金证券研究所 来源：华海诚科公司公告，国金证券研究所 以存储为例，随着SK海力士从DRAM向HBM迭代，其HBM技术是大规模回流成型底部填充(MR-MUF)技术,将半导体芯片堆叠,在其缝隙中注入液体EMC(LEMC)，并固化以保护芯片间电路。LEMC具有可中低温固化、低翘曲、模塑过程无粉尘、低吸水率及高可靠性等优点，是目前用WLCSP技术的主要塑封材料，在WLCSP技术以及HBM产品中得到广泛应用。 先进封装技术对MR-MUF型LEMC的性能需求主要体现在： 适宜的工艺黏度以保障在封装工艺操作过程中具有出色的流动性。由于填料含量高，LEMC在施胶过程中具有很高的黏度，需采用特定的点胶技术、以使流体能集成在全自动压缩成型机中。LEMC的黏度值一般不超过1000Pa·s，随着填料含量增加，其热膨胀系数（CTE）降低，而黏度增加。因此在成型过程中，需使用平衡良好的材料，使黏度低于1000Pa·s的临界值； 成型温度下优良的流动性以实现窄间距（≤20μm）的填充。LEMC在成型过程中，良好的流动性可减少封装成型过程中填料堵塞造成的流痕等不良现象，尤其是在芯片与压缩机模具间距较小时； 良好的低温（≤100℃）固化性； 固化物具有低CTE和低热阻（高热导率），以防止封装体由于热应力而产生翘曲等。玻璃化转变温度Tg以下的CTE目标值应小于1×10-5K-1，而热阻值则尽可能低。 来源：《液体环氧塑封料的应用进展》（作者：肖思成等），国金证券研究所 1.2硅微粉 环氧塑封料主要原材料为硅微粉、环氧树脂、酚醛树脂、添加剂(包括催化剂、偶联剂、脱模剂、着色剂等助剂)等，其他辅料材料包括包材、备件等。 构成半导体集成电路器件的材料包括硅芯片、表面钝化膜、引线框架等,以上材料与环氧塑封料的热膨胀系数相差很大。加热固化时，因热膨胀系数差异而使器件内部产生热应力。应力的存在会导致几个方面的不良后果：①塑封料开裂，②表面钝化膜开裂,铝布线滑动,电性能变坏，③界面处形成裂缝,耐湿性变差，④封装器件翘曲。影响热应力大小的因素有弹性模量E、玻璃化转变温度、热膨胀系数，因此降低内应力一直是环氧塑封料行业中的关键问题。环氧树脂的热膨胀系数大约为6.0x10-5，而二氧化硅的热膨胀系数是6.0x10-7,两者相差100倍，使用无机填料可以有效地降低环氧塑封料的热膨胀系数。 参考华海诚科收购标的衡所华威数据，2023-2024年其第一大供应商均为联瑞新材（采购硅微粉及添加剂），2024年硅微粉、添加剂分别占衡所华威原材料采购金额的比重为29%、26%。 来源：华海诚科公司公告，国金证券研究所 1.3IC载板上游原材料——Low-CTE电子布/载体铜箔 封装基板与PCB制造原理相近，具有高密度、高精度、高性能、小型化及薄型化等特点，是芯片封装不可或缺的一部分，为芯片提供支撑、散热和保护作用，同时也为芯片与PCB母板之间提供电气连接。以深南电路为例，其生产的封装基板产品主要应用于移动智能终端、服务器/存储等领域。 （1）Low-CTE电子布 Low-CTE，通信产品、消费电子等对于内部芯片集成度与算力速度提升，芯片的尺寸由小变大，在PCB组装焊接时会发生焊点开裂等问题，采用Low CTE材料可降低热应力、提高焊点可靠性。目前终端主要应用场景包括存储、FC-BGA、5G高频通信等领域。 目前Low-CTE电子布已成为载板环节重要供给瓶颈。根据中国台湾工商时报消息，日商三菱化学发出通知，因Low-CTE玻纤布原料短缺、以及订单需求增加，导致其BT载板材料交期大幅拉长，目前部分Low-CTE玻纤布交期达16-20周。 （2）载体铜箔 极薄铜箔（亦称载体铜箔/可剥离铜箔），一般指厚度在9um及以下的PCB铜箔，极薄铜箔HDI基板主要为微细线路基板（高阶产品应用主要为手机与通讯类）、IC封装基板、类载板(SLP)、模块基板等产品领域。为极薄铜箔在PCB加工中便于操作，以及保证基材(一般为半固化片/树脂膜)成形加工的质量，在极薄铜箔制造过程中，在极薄铜的光面(即S面)一侧附上与介质基材有一定接合力的载体(大都用铜箔材，也有采用铝材)，因此构成的电解铜箔亦称为附载体极薄铜箔。 带载体可剥离超薄铜箔，具有厚度极薄、表面轮廓极低、载体层和可剥离层之间的剥离力稳定可控等特性，是制备芯片封装基板、HDI板的必需基材。目前IC载板、类载板的线宽线距已细至10/10-40/40um，传统减成法制程工艺无法制备，主要