兆易创新机构调研纪要

调研日期: 2025-10-28 兆易创新科技集团是一家成立于2005年的无晶圆厂半导体公司,致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。该公司在中国北京、上海、深圳、合肥、西安、成都、苏州、香港和台湾,美国、韩国、日本、英国、新加坡等多个国家和地区设有分支机构和办事处,为客户提供优质便捷的本地化支持服务。公司的核心管理团队由来自世界各地的高级管理人员组成,具有丰富的研发及管理经验,技术研发核心成员来自清华、北大、复旦、中科院等国内微电子领域顶尖院所,硕士及以上学历占比超过60%。公司的核心产品线包括FLASH、32位通用型MCU及智能人机交互传感器芯片及整体解决方案,产品以“高性能、低功耗”著称,为多个行业和领域的客户提供全方位服务。在中国市场,兆易创新是SPINORFLASH市场占有率较高、全球排名前三的供应商之一,已累计出货量超过130亿颗。公司的MCU是中国32位通用MCU领域的主流产品,累计出货量已超过4亿颗。公司的触控和指纹识别芯片广泛应用在国内外知名移动终端厂商,是国内仅有的两家的可量产供货的光学指纹芯片供应商。兆易创新在质量管理方面有严格的标准和要求,已获得ISO9001、ISO14001等国际质量体系认证。同时,公司积极推进产业整合,拓展战略布局,在微控制器、存储器基础上,布局物联网领域人机交互技术。 调研活动主要内容: 一、 开场致辞 本年第三季度,受益于旺季备货的拉动,以及存储周期的进一步改善,公司业绩表现亮眼。Q3单季度收入同比增长31.4%至26.8亿元,环比增长19.6%;单季度归母净利润同比增长61.1%至5.08亿元,环比增长49%。得益于存储产品涨价的拉动,第三季度单季毛利率环比提升3.7个百分点至40.72%。 以下为公司主要产品线三季度经营情况: (一)利基型DRAM及定制化存储业务 2024年第三季度结束时我们预计2025年中利基型DRAM价格有望出现反转,源于三大厂商退出利基市场,行业出现明显的供给紧缩。今年一季度末利基存储价格回暖,时间节点早于我们之前预期约一个季度。目前,我们对存储周期的看法相较今年上半年更加乐观,源于需求端进一步出现积极变化,海外科技巨头推动AI基建,算力增长对存储的需求量进一步显著提升,且科技巨头所宣布的产能需求相较于主要 存储厂商实际计划增加的量还要大。在此背景下,我们预期未来2年左右利基型DRAM市场仍将处于供应相对紧张的环境,价格有望在今年第四季度进一步上行,并在明年维持相对较好的水平。 2025年公司利基型DRAM业务营收有望超预期达成本年初计划同比增长50%的目标,本年下半年利基型DRAM收入有明显增长,有望超越MCU业务成为公司第二大产品线。今年亮眼的业绩背后,除了受益于行业周期改善以外,更得益于公司全面的料号布局和客户关系拓展与维护: (1)产品料号方面,公司今年新量产的DDR4 8Gb较快抢占份额,进入第三季度销量已经与DDR4 4Gb基本相当。明年我们将实现自研LPDDR4系列产品的量产,并着手规划LPDDR5小容量产品的研发。 (2)客户关系方面,在本轮供应紧张周期中,公司不单纯追求短期毛利率的提升,也积极与优质客户构建长久稳定的战略合作关系,包括:TV客户、工业类(如电力)客户、AI相关应用(如服务器中电源管理模块、RAID卡等利基领域的应用)等。展望未来5年,对于国内30~40亿美金的利基DRAM市场,我们的目标仍是取得至少三分之一的份额。 定制化存储解决方案进展顺利,进入年末,陆续有部分项目进入客户送样、小批量试产阶段,明年有望在汽车座舱、AIPC、机器人等领域实现芯片量产。长期来看,我们坚信这一技术路线在端侧AI会得到广泛应用,在AI大发展的时代,定制化存储的市场空间潜力非常大。在这一领域,公司凭借自身的研发实力和先发优势,有望占据重要地位。 (二)Flash业务 Flash同样受益于存储周期的改善,源于在AI基建中,对NAND Flash有源源不断的需求。NAND Flash主要用于存储温数据及冷数据,存储数据量巨大,同时擦写次数相对有限,对NAND Flash的需求量在不断加大。海外大厂都在将重心从2D NAND向3D NAND迁移,从而带来2DNAND相对明显的短缺。在此背景下,公司的SLC NAND产品开始涨价。 NOR Flash已经处于相对成熟发展阶段,行业的增长主要来源于代码量的提升,当前端侧AI的发展进一步推动NOR Flash容量需求的提升,近期三方咨询机构已经把行业CAGR从5~7%上调至8%。NOR Flash也处于为温和涨价周期中,源于产能端的紧缺,公司顺应市场需求变化对价格做出适当调整,9月开始陆续落地。本年初我们预计NOR Flash收入同比增长10%,目前看有信心实现目标。 长期来看,公司将继续推动NOR Flash市场份额的提升,我们优势和努力的方向包括: (1)Fabless的商业模式使我们在增加产能方面可以相对灵活。 (2)继续推动NOR Flash在工业、汽车、端侧AI和海外市场市占率的提升。 (3)坚持全球化布局,包括海外供应链的布局。 (三)MCU业务 今年上半年,MCU业绩表现亮眼,受益于国补和提前备货,消费在去年同期高基数的基础上进一步较快增长;网通也同比高增;工业弱复苏,收入同比实现高个位数增长。进入第三季度,随着消费类补贴走向深水区,相关需求边际有所走弱,工业依然延续弱复苏的节奏,因此MCU收入环比持平略增,依然保持了较好的水平。 今年,公司将产品料号从通用型向专用型扩展,重点耕耘工控、光伏、白电等领域,相应规划并研发了一些与海外厂商对标的料号,尽可能优化性能、做出差异化。 组织架构方面,公司于今年7月成立了Auto BU,有效推动了工作效率的提升。目前公司汽车MCU产品研发按照既定road map正常推进:(1)2024年公司推出第二代车规MCU A7系列,目前已经完成M7单核产品的研发,并锁定了一些优质Tier-1,跑通软硬件系统并取得了一些下游项目定点。预计明年将推出一对锁步核产品。 (2)第三代产品是用于底盘的多核产品,预计明年进行测试,期待2028年之后量产。 (四)其他业务 模拟、传感业务等方面,公司与赛芯的整合顺利推进。赛芯在维持其原有市场的基础上,在移动电源市场的大功率应用上亦取得了增长。AI眼镜方面,已在雷鸟、Rokid及字节等项目上实现量产,整体综合运营情况平稳,有望达成全年业绩承诺目标。 (五)2026年经营展望 2026年,我们将继续坚持以市占率为中心的目标,把握存储行业周期上行的机遇;同时积极拥抱AI,推动定制化存储解决方案逐步落地。 Flash业务方面,我们将努力把握端侧AI发展带来的机遇,同时积极提升公司在工业、汽车、海外市场的份额,预计收入将延续稳定增长的趋势,且增速相对快于行业。 利基型DRAM业务方面,我们预计明年行业仍将处于供应短缺状态,因此价格有望维持在相对较高的水平。产能方面,我们预计同比稳中有升,公司在产能合作方明年会有产线转换的过程。 MCU方面,我们将继续强化在汽车、工业、白电等领域的布局,拓展产品线,预计MCU能够延续良好的增长趋势,收入增速有望与今年相当。定制化存储解决方案明年也将迎来终端项目的陆续落地,在汽车座舱、AIPC、机器人等领域均有望看到芯片量产,从而给公司贡献一定体量的收入。 二、 问答环节 问题1、目前利基型DRAM行业供应紧张、价格上行,可能有一些客户尤其是SOC客户因受到存储芯片涨价影响,出货节奏会有一些调整。公司如何看待利基型DRAM涨价的持续性? 回答:利基型DRAM今年下半年以来处于持续缺货的状态,终端客户如果原物料配备不齐,其产品备货和生产都有一定影响。我们会积极加快产品研发和新产品推出的速度,和SOC友商做好产品的认证导入。同时这也是我们加强和行业SOC友商形成长期稳定合作关系的好机会,我们将携手SOC友商共同服务好下游客户。 本次利基型DRAM的供应短缺,主要原因还是主流应用(数据中心和AI应用等)对存储等芯片的大量需求,挤占了利基型DRAM的产能。行业头部厂商不同程度的停产或减产利基型DRAM产品,导致利基型DRAM产能缺口较大,我们预计涨价趋势会持续到今年第四季度,并在明年全年维持相对较高的价格水平。 问题2、公司定制化存储解决方案目前陆续在一些端侧应用场景落地,预计明年会贡献一定体量的营收。近期有海外厂商发布的推理机柜产品有提到采用了近存计算方案,公司对于定制化存储解决方案在云端推理的应用前景如何看待? 回答:我们对于该技术方案坚定看好,并作为行业的最早参与者积极进行技术和市场推广。公司定制化存储解决方案非常适用于推理应用场景,并聚焦在端侧推理应用,目前不同的下游厂商在推出基于公司定制化存储解决方案的产品。过去几年处于技术推广和早期项目研发的 过程,从2026年开始可以陆续看到该解决方案在不同领域的应用。 基于我们与客户签署的保密协议等原因,对具体的应用场景和客户信息负有保密义务,不方便对具体的客户及其产品进行评论。 问题3、就目前行业信息来看,DRAM及NAND的原厂以及模组厂处于暂停报价的状态,目前四季度的报价会是什么情况?NOR Flash产品今年四季度环比三季度价格的变化及明年的展望如何? 回答:利基型DRAM率先受到主流应用的产能挤压,今年第二季度行业头部大厂已经明确宣布停产或者减产利基型DRAM产品,价格出现快速上涨。目前相关厂商停止报价等情况,可以参考市场相关信息做判断。 2026年我们预计利基型DRAM整体仍处于供应相对偏紧的状态,但是价格是否继续上行还有待观察。存储芯片不同的产品线存在差异:利基型DRAM价格进入今年第四季度继续小幅上涨后,已经处于比较高的价位,后续主流型DRAM价格可能保持上涨的趋势,从而缩小和利基型DRAM的价格倒挂。 3D NAND 的供应短缺和价格上涨比DRAM晚了约2-3个季度,3D NAND对2D NAND的产能挤占效应也已经显现,2D NAND(包括MLC/ SLC)的供应也可能出现短缺,并导致价格持续上涨。 NOR Flash产品工艺制程、产能以及价格与主流存储产品的关联相对较弱,整体处于供需相对平衡的状态。但随着AI应用的推广,代码总量在不断上升,长期看对NOR Flash产品总的容量需求维持长期稳定增长的状态,预期NOR Flash会处于供需相对偏紧的状态,产品价格维持温和上涨。 问题4、在目前供应紧缺的状态下,公司对明年存储产品的产能如何规划?是否在成本上也会有变化? 回答:存储产品方面,目前境内主要的晶圆厂产能均处于持续满产并且供应紧张的状态,包括公司利基型DRAM的产能合作方,产能弹性均较小。 在DRAM产品上,公司明年在产能合作方还涉及产线转换的过程,预计产能稳中有升。具体情况还要看明年产线转换的节奏,以及公司DRAM新产品的推出及客户导入的节奏。在新产品上,公司LPDDR4预计在明年上半年推出产品,并在下半年实现量产。基于新产线的DDR4产品预计在明年下半年推出样品。NOR Flash产品的产能弹性不足。如果公司产品能取得更大的市占率,会与晶圆厂争取更多的产能支持。 在目前产能紧张的情况下,明年产品成本会有上升,公司会与核心供应商积极协商,争取得到产能和价格上的支持。 回答:公司DRAM产品中,今年DDR4产品的收入占比超过一半,前三季度收入占比持续上升。新产品DDR4 8Gb从今年第一季度开始量产,本年前两个季度营收占比较平稳,大约占整体DRAM收入的小双位数比例,从第三季度开始占比明显增加。 问题6、公司今年与关联方的采购金额达成情况如何?在利基型DRAM价格快速上涨的情况下,公司在成本端变化的节奏?回答:过往公司会在年底根据对下一年的预测,以及与关联方的协商沟通,对下一年的预计采购金额通过公告的形式进行披露。今年截至第三季度采购金额仍在预计金额之内。展望明年,随着公司DRAM业务的持续增长,预计采购金额会有相应的成