国泰海通电子存储观点更新首先在大模型的三个步骤中同时需要

首先在大模型的三个步骤中，同时需要NAND/DRAM/HBM，所以这一轮大的AI周期对三者都有拉动 1）训练阶段：由于多次，高速读写大规模数据集，所以需要极低延迟和极高带宽，就需要高性能DRAM/HBM+SSD作为缓存 2）推理阶段（热数据阶段）：因为要频繁访问大模型的一部分数据／模型权重／KV-cache，这些数据放在更快存储（SSD）里可以显著减少延 【国泰海通电子】存储观点更新 首先在大模型的三个步骤中，同时需要NAND/DRAM/HBM，所以这一轮大的AI周期对三者都有拉动 1）训练阶段：由于多次，高速读写大规模数据集，所以需要极低延迟和极高带宽，就需要高性能DRAM/HBM+SSD作为缓存 2）推理阶段（热数据阶段）：因为要频繁访问大模型的一部分数据／模型权重／KV-cache，这些数据放在更快存储（SSD）里可以显著减少延迟，提升用户体验，同时也需要HBM来decode 3）冷数据归档：大模型同样需要备份，保存大量历史数据，所以HDD因为低成本（1/3-1/4与SSD的价格），稳定性高的特点无法被替代 这一轮的存储周期，大概率是历史最强周期。 因为存储是周期品，是大宗商品的属性，所以上去下去都会演绎得比较极致。 拿海力士举例，上一轮的基本面的周期顶部/底部是3Q21/1Q23，是毛利率48%/-32%，而CapEx也演绎比较极致，22/23分别为154/62亿美金。 这一轮的周期大逻辑是上一轮的周期回暖，加AI下游需求拉动，同时HBM新东西对于非HBM晶圆的产能挤出，带来的超级周期 HBM首先按照美光的说法，空间30年1000亿美金，跟去年的DRAM相当。 由于在同等容量下消耗4X的DRAM位元，明年供给仍然收到结构性约束。 但最近也由于竞争因素，三星过认证+产能开出，HBM3-12Hi（到26年上半年仍然是主流产品）价格出现了下降。 到了HBM4，NV要求提供每秒10Gbps的数据处理速度，海力士内部验证完成，进入客户送样，NV评估开始。 三星尽一切全力打入供应链，HBM产能大，但良率仅为35%。 美光业绩会讲26上半年出货，设计一个HBM 6个月，并没有像之前担忧的出局。 HBM去年毛利率为60%-70%，但后续虽然远高于平均，但会明显下降。 所以逻辑虽然很好，但也会有所受损 传统DRAM由于传统服务器复苏，以及AI驱动（美光口径），海力士口径明年已经售罄，且未来12个月都不会出现库存消化和下行趋势，仍远低于之前的峰值水平，相当乐观。 逻辑好，但DRAM就三家+CXMT，和HBM标的一致 而NAND或许是这轮存储投资的核心。 首先，NAND在经历极致的下行周期后，NAND产线出清给到DRAM和HBM，同时，几乎没有扩产，CapEx以wdc为例，从23年当时的guide2300，到最后只有807，且24/25年CapEx减到只有292/407。 当tokens极速拉升后，AI需求暴增，如果买不到HDD，要买贵3-4倍的SSD，行业缺口明显。 因为NAND格局比DRAM和HBM分散，除了三大家外，可选标的为铠侠/WDC/SNDK，估值一般用PB，或者设备LAM/AMAT