机械设备 2024年12月10日 ——行业点评报告 投资评级:看好(维持) 孟鹏飞(分析师)mengpengfei@kysec.cn证书编号:S0790522060001 孙垲林(联系人)sunkailin@kysec.cn证书编号:S0790123040044 BIS最新出口管制落地,旨在加大中国建设先进半导体产业的复杂度和成本 2024年12月2日,美国商务部工业与安全局(BIS)针对中国半导体行业发布了两项重要的出口管制新规,贯彻新规最核心的思路是限制中国半导体自主可控产业链的建成。新规内容包括:(1)针对特定先进制程芯片和实体清单企业新增两个外国直接产品规则(“FDPR”)和配套最终用户和最终用途管制措施;2)修订与最新FDP规则相关的最低含量标准、新设许可例外(RFF)即受限半导体生产设施许可例外,新增8条“警示红旗”;(3)新增HBM管控及许可例外HBM;(4)软件秘钥说明;(5)新修及新增8个ECCNs监管变更。 136家中国企业进入实体清单,新增两项FDPR条款以扩大美国长臂管辖范围 相关研究报告 BIS新规中的《最终规则》将136家中国半导体行业实体(半导体设备和EDA企业为主)加入到实体清单之中。其中设备领域除中微公司以外几乎全部被列入实体清单。新增两项FDPR(SME FDPR和FN5 FDPR)指出,只要产品中含有任一满足相关FDPR要求的零件或组件,即使相关零件或组件并非重要部件,也将直接导致整个设备落入FDPR的管控范围内。被标注FN5的公司被认为具备生产先进IC的能力,包括武汉新芯、张江实验室等16家公司和科研机构。 《军工有 望成为机器人优先落地场景,四足 机器狗领衔—行业周报》-2024.12.8 《钻石散热:高算力时代的终极方案,打开AI潜力的钥匙—行业深度报告》-2024.12.8 新增HBM管控、先进半导体设备及软件技术管控与“红旗警示” (1)为限制中国AI产业发展,BIS通过存储单元面积和存储带宽密度等性能指标来全面覆盖对HBM的管控。(2)BIS通过3B993、3B994编码对同时可用于先进制程和成熟制程的半导体设备实施管控,旨在全方位限制中国获得先进IC生产设备。同时,进一步细化薄膜沉积、光刻、刻蚀、检测等受管制设备的品类并且对上游软件及相关技术做出管控,利好具备更强的先进工艺设备研发能力的国产龙头公司。薄膜沉积:管控沉积钼和钌等新金属材料的设备、创建纯钨金属触点的沉积设备以及先进DRAM芯片MIM结构中沉积绝缘材料的>50:1高深宽比沉积设备。3D DRAM对光刻机性能要求降低,是国内DRAM产业追上全球先进水平的重要路径之一,BIS对具备3D DRAM技术特征的>200:1超高深宽比沉积设备做出管制。光刻环节新增管制能够生产先进IC的纳米压印光刻设备。(3)针对一系列与出口设备相关的模糊行为,设置“警示红旗”条例。 《特斯拉机器人灵巧手重大进展:驱控接近定型,量产将近—行业周报》-2024.12.1 自主可控势不可挡,重点看好国产半导体设备及零部件机遇 BIS公布相关出口管制新规后,中方四大行业协会齐发声呼吁/建议国内企业审慎选择采购美国芯片作为回应。我们认为这体现出2019Q1以来美国对华出口管制从限制芯片上升到限制先进IC生产能力的背景下,中国半导体产业链自主可控的能力已经大大增强。2023年中国大陆芯片自给化率仍然较低,芯片国产化趋势之下,上游设备及零部件作为基石产业有望迎接确定性增长,不断升级的出口管制政策有望加速这一趋势。受益标的:(1)设备:中微公司、中科飞测、精智达、拓荆科技、北方华创。(2)零部件:英杰电气、新莱应材、茂莱光学等。 风险提示:国际形势变化、半导体设备及零部件国产替代进度不及预期。 目录 1、BIS最新出口管制落地,核心目标为加大中国建设先进半导体产业链的复杂度和成本..................................................31.1、新增136家中国半导体行业实体进入实体清单,半导体设备为重点......................................................................31.2、新增两项FDPR及“最低含量”条款以扩大美国长臂管辖范围..............................................................................31.3、新增ECCN 3A090.c以及许可例外实施对HBM的出口管控...................................................................................41.4、调整更新针对先进IC开发的生产设备、软件及相关技术的ECCN编码...............................................................51.5、新增“红旗警示”提示风险.........................................................................................................................................82、受益标的....................................................................................................................................................................................93、风险提示....................................................................................................................................................................................9 图表目录 图1:HBM封装核心设备为深硅刻蚀、键合、量检测、电镀等.............................................................................................4 表1:对3B001的新增和修订涵盖多种用于先进IC制造的核心刻蚀/薄膜沉积设备以及部分清洗设备.............................5表2:3B993、3B994条例管控物项为既可用于先进制程半导体生产,又可用于成熟制程半导体生产的相关设备。......6表3:BIS新增对先进IC生产所需的软件及技术的管控,从更上游限制国内先进集成电路产业发展...............................7表4:BIS新增“红旗警示”,堵上其认为存在出口先进设备到中国及D:5国家潜在风险的通道.......................................8 1、BIS最新出口管制落地,核心目标为加大中国建设先进半导 体产业链的复杂度和成本 2024年12月2日,美国商务部工业与安全局(BIS)针对中国半导体行业发布了两项重要的出口管制新规,即《补充外国直接生产规则以及修订先进计算和半导体制造物项管制措施》和《实体清单的新增和修改及移出经验证最终用户》。贯彻两项新规最核心的思路是限制中国半导体自主可控产业链的建成。 本次新增半导体相关监管措施,进一步加强并收紧了对中国使用先进计算、超算和半导体生产设备的监管,着重聚焦以下几点:(1)实际取消了所有位于中国且总部不位于外国的半导体相关企业的经验证合格用户(“VEU”)资质并配套大规模实体清单增列;(2)针对特定先进制程芯片和实体清单企业新增两个外国直接产品规则(“FDPR”)和配套最终用户和最终用途管制措施;(3)基于新的出口管制要求,新增两个特定的许可例外以及部分豁免机制;(4)包括高带宽内存芯片(“HBM”)出口管制要求在内的14个ECCN编码的新增和修订以及配套技术更新和澄清;(5)新增8个“红旗警示”示例用以加强对企业的合规警示。 1.1、新增136家中国半导体行业实体进入实体清单,半导体设备为重点 本次出口管制法案新增140家实体(半导体设备、EDA企业为主)进入实体清单、追加了部分原已进入实体清单的实体以脚注5(FN5)标识,并取消了现有全部三家中国半导体公司的经验证合格用户(“VEU”)资质。值得注意的是,国内存储大厂长鑫存储此次并未被列入实体清单。 国内半导体设备公司大多自成立以来就在持续推动自主可控供应链的建成,到目前已有很大成果。如,2024年8月中微公司董事长提到公司主要零部件自主可控率已达到90%以上,到2024年第三季度末可以达到100%。”基于此我们预计被列入实体清单对核心设备公司的影响并不大,并且有望进一步加速核心零部件国产化。 1.2、新增两项FDPR及“最低含量”条款以扩大美国长臂管辖范围 本次出口管制法案新增两项外国直接产品规则(FDPR): SME FDPR:根据金杜律师事务所于2024年12月3日发布的《半导体产业出口管制风波又起——美国1202新规锐评及136家清单企业分类解析》一文,该规则指出,针对某些在外国制造的半导体生产设备及其关联物品,若这些物品拟出口至中国澳门或EAR所列D:5组国家,则必须严格遵守美国的出口管制法规。此规则不仅管控那些直接利用美国技术、软件或工具生产出来的商品,还涵盖了那些含有由这些技术所生产的关键组件的商品,确保它们均符合美国的出口管制要求。 “最低含量条款”:根据金杜律师事务所于2024年12月3日发布的《半导体产业出口管制风波又起——美国1202新规锐评及136家清单企业分类解析》一文,在EAR的第734.4节中,新增了(a)(8)与(a)(9)两项条款,明确指出当特定半导体生产设备(SME)含有美国原产的集成电路,并且被运往指定目的地时,无论美国技术的占比大小,均不享受豁免,从而确保那些含有美国技术或软件的外国生产的SME同样受到严格的出口管控。 FN5 FDP:根据金杜律师事务所于2024年12月3日发布的《半导体产业出口管制风波又起——美国1202新规锐评及136家清单企业分类解析》一文,目前相关 实体被列入实体清单FN5的原因为支持中国开发生产先进制程半导体或具有支持中国开发生产先进制程半导体的潜力。针对被列入实体清单且标注FN5的实体,若外国生产的商品符合特定产品范围(如在相关ECCN描述范围内且为特定技术或软件的直接产品等)和最终用户范围(涉及FN5指定实体的相关交易),将受EAR管辖,出口、再出口或转让需许可证,许可证审查政策依具体实体而定。 根据上海国际经贸合规法律服务平台,此次FN5制裁的公司包括16家中国公司,包括武汉新芯、张江实验室等16家公司和科研机构。 1.3、新增ECCN 3A090.c以及许可例外实施对HBM的出口管控 HBM是高算力物项中重要的存储器类型。本次BIS在ECCN 3A090的技术参数下下新增c小节,将存储带宽密度大于每平方毫米2GB/秒的HBM纳入管控范围,目前生产的所有HBM堆栈均超过此阈值。BIS本次在EAR第772.1节中对属于先进制程的DRAM技术参数做了相应修订,将属于先进制程的DRAM的技术参数定为:“DRAM集成电路的存储单元面积小于0.0019平方微米(μm2);或存储密度大于每平方毫米0.288千兆位”。 对于HBM和逻辑芯片共同封装(co-packaging)后主要功能是进行计算处理的集成电路,原则上将被排除在3A0