您的浏览器禁用了JavaScript(一种计算机语言,用以实现您与网页的交互),请解除该禁用,或者联系我们。[中泰证券]:电子行业存储:他山为鉴,上行周期弹性极佳 - 发现报告

电子行业存储:他山为鉴,上行周期弹性极佳

电子设备2023-05-09中泰证券望***
AI智能总结
查看更多
电子行业存储:他山为鉴,上行周期弹性极佳

以美光为例,总结上行周期存储板块股价和估值演绎规律。大陆存储厂商上市时间相对较短,而海外存储IDM厂商已在存储周期浪潮中发展多年,本篇报告以美光为例,复盘历史,寻找在上行周期时股价、估值、盈利性的一般性规律。重点分析美光股价和财务数据,主要是因美光全球第三大存储原厂,DRAM+NAND营收占比达95%+,具有代表意义,同时因采用美国财年口径,季报发布时间较韩国和中国台湾厂商早一个月。 上行周期,股价从低点到高点涨幅超200%,股价和估值极具弹性。1)股价较基本面提前启动:在库存达高点前,股价提前启动,库存达高点后,股价继续反弹,接着存储合约价微跌或者横盘、基本企稳,后存储价格慢慢抬升,在此期间,股价一直处于上行区间。美光23年3月底展望Q1库存达峰值,但股价在2 2H2 就已提前进入新一轮上行周期,从22H2的低点计算,截止4/21,股价已反弹26%。2)股价规律:季度营收同比增速先达周期高点,后股价达周期高点。美光23Q1营收触底,展望Q2营收环比持平,距离季度营收同比增速高点仍有较长时间,股价仍处于周期底部位臵。复盘历史可见,存储IDM厂商股价从低点到高点涨幅200%+,从高点到低点跌幅40%+。以4/21股价计算,存储IDM厂商股价从22H2低点已反弹20%-40%,根据过往规律,股价上涨空间依然较大。3)估值规律:在周期底部,美光PB估值仅1倍,而在周期上行时,最高可达3-4倍。4)盈利弹性:存储IDM毛利率、净利率从低点到高点有20pcts的提升空间。 存储现货价涨跌互现,部分型号出现涨价,部分型号跌幅收窄,出现积极信号。存储厂商毛利率波动大,主要是因存储价格波动剧烈,跟踪存储价格变化是判断行业景气的重要指标,存储价格分为合约价和现货价,合约价每月更新,现货价每日更新,对市场供需更为敏感。参考集邦存储价格数据,本轮周期中DRAM芯片中的DDR4、DDR3合约价从高点跌幅约60%,现货价从高点跌幅约70%,均已创历史新低,复盘上轮存储价格反弹,合约价涨幅40%-90%不等,现货价涨幅80%-170%不等,预期上行周期存储价格反弹力度大、反弹时的价格上涨速度快。4月合约价处于下行通道,DRAM月环比跌幅5%~20%,NAND月环比跌幅0%~3%。4月中旬DRAM部分型号价格在本轮下行周期首次出现上涨,从5/2-5/5的最新现货价格变化看,DRAM的周变化-1%~+3%,DDR5涨价,大容量DDR4止跌,NAND的周变化-3%~0%。具体来看:1)DRAM:主流DDR5 16Gb现货价格周涨幅2.28%,自4/21,DDR5已上涨3%,主流DDR4 16Gb(2Gx8)、D DR4 8Gb(1GX8)较上周五现货价无变化,利基DDR4、DDR3周变化-1%~0%,基本止跌。2)NAND:MLC周变化-0.09~0%,3D TLC周变化0%,SLC周变化-2.17%~0%。 投资建议:从半导体细分赛道看,存储板块有望较早复苏,23Q1海力士、美光、三星半导体部门创近十年最大亏损,各家厂商降低产出、推动供需情况改善,且行业具备量价齐升逻辑,叠加AI强驱动,存储厂商有望迎业绩与估值的戴维斯双击,建议重点关注大陆存储赛道标的:兆易创新(全球nor第三、大陆存储龙头,Nor+DRAM+NAND全覆盖,DRAM加速布局)、东芯股份(大陆SLC NAND龙头,Nor+DRAM+NAND全覆盖)、北京君正(大陆车载存储龙头)、深科技(大陆存储封测龙头,配套长鑫长存存储需求)、普冉股份(强阿尔法,Nor从小容量向大容量拓展、MCU新增量)、江波龙(大陆存储模组龙头)等。 风险提示:下游需求复苏不及预期、竞争加剧风险、大陆厂商技术迭代不及预期、中美贸易摩擦风险、第三方数据库数据信息可信性风险、历史规律失效风险、研报信息的更新不及时等。 正文 存储大市场、强周期,复苏量价齐升逻辑最佳。 1)市场规模:22/21/20全球存储市场规模为1392/1534/1175亿美金,占半导体规模的比例为24%/28%/27%,是全球第二大细分品类。其中DRAM第一大,占比50%+,NAND第二大,占比35%+,Nor第三大,占比稳定维持2%左右,EEPROM、SRAM等占比1%。 2)周期波动:存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致,但波动性远大于其他细分品类。 图表1:2022年存储在半导体占比24% 图表2:存储同比增速波动最大 图表3:DRAM+NAND占存储市场97% 图表4:存储芯片市场集中度高(2021年) 在上行周期,股价从低点涨幅200%+。存储IDM厂商的股价走势基本一致,随着半导体周期波动。从2016-2019年的周期看,存储IDM股价从低点到高点涨幅200%-600%(旺宏涨幅2786%),从高点到低点股价跌幅40%-80%。从2019-2023年的本轮周期看,股价从低点到高点涨幅150%-270%,从高点到低点跌幅40%-60%。截止4/21股价,存储IDM厂商股价从22H2低点反弹20%-40%,根据过往规律,上涨空间依然巨大。 图表5:存储IDM厂商的股价走势基本一致 图表6:存储IDM近两轮周期股价涨跌幅 以美光为例,复盘历史寻找规律。我们重点分析美光股价和财务数据,原因有二:1)美光的会计年度是10/1~下一年9/30,韩系、中国台湾厂商会计年度是1/1~12/31,如美光一季报实际覆盖的是12月、次年1月、次年2月,一季报发布时间较韩国和中国台湾厂商早一个月。2)美光全球第三大原厂,DRAM+NAND营收占比达95%+,具有代表意义。 股价较基本面提前启动:美光展望Q1库存达峰值,但股价在22H2就已开始反弹。 事件:3月29日,美光发布一季报,公司预期Q1库存已达峰值。但股价在22H2就已开始反弹,截止4/21,股价从低点已反弹26%。 1)市场供需关系:周期下行,原厂降低产能稼动率和缩减资本开支,减少供应。在库存达峰前,生产量大于需求量,处于库存增加阶段,而当库存达峰值后,生产量小于需求量,库存开始消化,当库存消化完毕,需求复苏、供不应求时,存储价格开启反弹。 2)股价、库存高点、存储价格之前的反弹先后顺序:在库存达高点前,股价提前启动,库存达高点后,股价继续反弹,接着存储合约价微跌或者横盘、基本企稳,后存储价格慢慢抬升,在此期间,股价一直处于上行区间,而当存储价格下跌时,股价同步回落。 图表7:美光股价(美元,LHS)、存储合约价(美元/颗,RHS)、美光库存(RHS) 股价规律:季度营收与股价走势高度拟合,季度营收同比增速先达高点,股价再达高点,若季度营收环比增长强劲,则股价有望再创新高。 美光Q1营收触底,展望Q2营收环比持平,距离季度营收同比增速高点仍有较长时间,股价远未见顶。美光季度营收与股价的波峰波谷高度重合,季度营收同比增速高点早于股价高点,提前三到四个季度。 3月29日,美光发布一季报,Q1营收触底,yoy-52%,展望Q2营收环比持平,Q2营收yoy-57%,距离季度营收同比增速达高点仍有较长时间,截止4/21从低位反弹20%+,股价仍未见顶。从营收环比增速看,通常环比持续为正时,股价持续上涨。 图表8:美光季度营收(LHS)、季度营收yoy(RHS)、股价(RHS) 图表9:美光季度营收qoq(LHS)、股价(RHS) 估值规律:估值呈现周期波动,估值最高可达低点时的2-4倍。三星、海力士、美光、华邦、旺宏、南亚均是存储IDM,重资产同时周期性明显,通常采用PB估值。在周期底部时,美光PB估值仅1倍,而在存储周期上行时,最高可达2-4倍。 图表10:美光季度营收(LHS)、季度营收yoy(RHS)、PB估值(RHS)(绿色数字表示PB低点,红色数字表示PB高点) 盈利弹性:存储IDM厂商毛利率、净利率走势一致,与周期波动同步、波动性大,从低点到高点毛利率有20pcts的提升空间。复盘上一轮周期,海外存储IDM厂商的最低毛利率和最高毛利率差值平均达到20pcts,如美光2020Q4最低点毛利率30%,2021Q3毛利率达最高点49%,较低点提升19pcts。本轮下行周期因外围环境波动等原因,周期拉长、存储价格跌幅较深,存储厂商亏损严重。如美光23Q1毛利率-31.4%,同比-79pcts,环比-54pcts,展望23Q2,假设5亿美金存货减值,毛利率-23.5~-18.5%,中值-21%,已达历史较低水平;23Q1,三星半导体部门营收13.7万亿韩元,同比-49%,环比-32%,营业利润-4.6万亿韩元,22Q4为0.3万亿韩元,2014年来半导体部门首次亏损;23Q1,海力士毛利率-32%,同比-76pcts,环比-32pcts,,净利率-51%,同比-67%,环比-3pcts,是近12年最低值;23Q1,旺宏毛利率25.1%,同比-23pcts,环比-8pcts,净利率-5.0%,同比-30pcts,环比-12pcts,是近6年最低值。预期后续存储板块需求复苏,存储价格反弹,毛利率回升,存储厂商利润的边际变化大。 图表11:存储IDM厂商季度毛利率走势一致 图表12:上轮周期存储厂商的毛利率/净利率的低点和高点梳理 图表13:美光季度毛利率与净利率 图表14:海力士季度毛利率与净利率 图表15:华邦季度毛利率与净利率 图表16:旺宏季度毛利率与净利率 存储厂商毛利率波动大,主要是因存储芯片的价格波动大,跟踪存储价格变化是判断行业景气的重要指标,同时反映行业供需变化。 存储价格:DDR4、DDR3合约价从高点跌幅约60%,现货价从高点跌幅约70%,均已创历史新低,预期后续需求复苏、有望实现较大幅度的反弹。 1)合约价:主流DDR4、利基DDR4和DDR3合约价从高点跌幅达60%,基本创历史新低,主流DDR4如DDR4 8Gb 1Gx8价格在2021年7月达峰值4.1美金然后一路下跌,截止23年3月底,已下跌6个季度,价格较高点下滑56%,创历史新低。复盘上轮存储价格反弹,合约价从底部反弹,花费2-3个季度达价格最高点,涨幅40%-90%不等。 2)现货价:主流DDR4、利基DDR4和DDR3从高点跌幅近70%,创历史新低,主流DDR4 8Gb(1Gx8)在2021年3月达峰值然后开始下跌,2022年初市场表象乐观、价格微涨,在22年3月中旬达另一个小峰值,后一路下跌,截止2023/3/31,现货价较21年高点已下跌69%。复盘上轮存储价格反弹,现货价从底部反弹,花费2-3个季度达价格最高点,涨幅80%-170%不等,幅度远大于合约价涨幅,主要是因现货价对市场更敏感,在景气上行/下行时,涨幅/跌幅大于合约价。 图表17:DRAM芯片上一轮周期最低价格、最高价格梳理(价格单位:美元/颗) 图表18:主流DDR4现货价(美元/颗) 图表19:主流DDR4合约价(美元/颗) 图表20:利基DDR4现货价(美金/颗) 图表21:利基DDR4合约价(美金/颗) 图表22:DDR3现货价(美金/颗) 图表23:DDR3合约价(美金/颗) 风险提示 下游需求复苏不及预期、竞争加剧风险、大陆厂商技术迭代不及预期、中美贸易摩擦风险、第三方数据库数据信息可信性风险、历史规律失效风险、研报信息的更新不及时等。 附录 图表24:海力士季度营收yoy(LHS)、股价(RHS) 图表25:海力士季度营收qoq(LHS)、股价(RHS) 图表26:华邦季度营收yoy(LHS)、股价(RHS) 图表27:华邦季度营收qoq(LHS)、股价(RHS) 图表28:旺宏季度营收yoy(LHS)、股价(RHS) 图表29:旺宏季度营收qoq(LHS)、股价(RHS) 图表30:南亚季度营收yoy(LHS)、股价(RHS) 图表31:南亚季度营收qoq(LHS)、股价(RHS) 图表32:威刚季度营收yoy(LHS)、股价(RHS) 图表33:威刚季度营收qoq(LHS)、股价(RHS) 图表34:创见季