IPO专题：新股精要—国内领先的高性能功率器件厂商东微半导

公司核心看点及IPO发行募投：（1）公司是国内领先的高性能功率器件厂商，MOSFET功率器件尤其是高压超级结MOSFET产品技术可对标国际龙头企业，与上下游龙头企业建立了稳定的合作关系。公司积极布局IGBT领域，打造未来新的业绩增长点。下游5G基站以及充电桩等需求提升为功率半导体带来广阔市场空间，行业进口替代空间较大，公司业绩增长动力十足。（2）公司本次公开发行股票为不超过1684.4092万股，发行后总股本不超过6737.6367万股。募集资金将用于补充科技与发展储备资金和主要产品的升级及产业化，延展主营业务，有效增强公司竞争力。 主营业务分析：下游新能源、通信等领域需求提升带动公司业绩稳定增长，高压超级结MOSFET贡献主要收入。2018-2020年公司营收和归母净利润复合增长率分别达42.11%和46.07%，2021年1-6月，公司营收达32082.43万元，同比增加196.49%。受原料价格波动的影响，公司综合毛利率波动幅度较大，期间费用率逐年下降。 行业发展及竞争格局：功率半导体市场规模呈现稳健增长态势，预计到2024年全球及国内市场规模将分别达到522亿美元和206亿美元。现阶段国内功率半导体市场的主要参与者仍为欧美企业，本土单一企业规模较小，进口替代空间广阔。受疫情影响，MOSFET器件市场需求规模有所下降，预计未来将保持平稳回增，2024年全球及全国市场规模分别有望恢复至77.02亿美元和29.70亿美元，结构上高压MOSFET市场占比逐渐提高。 可比公司估值情况：公司所在行业“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”近一个月（截至2022年1月13日）静态市盈率为49.39倍。根据招股意向书披露，选择新洁能（605111.SH）、华微电子（600360.SH）、华润微（688396.SH）、扬杰科技（300373.SZ）、士兰微（600460.SH）作为可比公司。截至2022年1月14日，可比公司对应2020年平均PE（LYR）为142.92倍（剔除极端值士兰微）。 风险提示：1）供应商集中度较高的风险；2）产品结构较为单一的风险。 1.东微半导：国内领先的高性能功率器件厂商 公司是国内领先的高性能功率器件厂商，MOSFET功率器件尤其是高压超级结MOSFET产品技术可对标国际龙头企业，布局IGBT器件将打开新的业绩增长点。公司相对同业竞争对手更加专注于高压超级结MOSFET产品，根据Omdia统计数据，2019年公司的MOSFET销售收入位列国内本土企业第七位，其中高压超级结与超级硅产品全球市场份额为3.8%，国内市场份额约为8.6%。产品技术方面，公司掌握优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先核心技术，成功推出GreenMOS系列超级结MOSFET产品，打破国外巨头在充电桩功率器件领域的垄断局面，为国内充电桩的快速推广提供了强有力的支持。凭借领先的技术水平，公司拥有各行业诸多国际知名客户。 在工业及汽车相关应用领域，公司与英飞源、英可瑞、特锐德、永联科技等知名新能源汽车厂商建立了稳定的合作关系；在5G基站电源及通信电源领域，公司客户覆盖华为、维谛技术、麦格米特等业内巨头；在消费电子领域，公司是视源股份、美的、创维、康佳等大功率显示电源领域的终端用户的长期供应商。此外，公司积极布局IGBT领域，目前自主创新的Tri-gate结构IGBT器件已实现量产，并进入新能源领域IGBT供应链，打造未来新的业绩增长点。 下游5G基站以及充电桩等需求提升为功率半导体带来广阔市场空间，行业进口替代空间较大，公司业绩增长动力十足。受益于5G产业和新能源汽车的高速发展，5G通讯基站和充电桩等市场对于高性能功率器件的需求不断增加。5G基站近年新建数量呈现爆发式增长，截至2020年12月15日已累计建成5G基站71.8万个。伴随新能源汽车保有量的高速增长，充电桩作为其配套基础设施同样实现了快速增长，已由2015年1069座增加到2019年的35849座，复合年增长率为140.64%。此外，公司MOSFET产品应用于大功率照明电源、逆变器、消费电子设备、显示器电源等行细分市场，终端应用领域十分广泛。目前功率半导体市场仍由英飞凌、安森美、德州仪器等国际企业占据大多数市场份额，国内市场中国产化率不高，进口替代空间广阔。在此背景下，MOSFET产品需求增长态势明显，公司业绩规模增长迅速，营业收入及净利润2018-2020年三年复合增长率分别为42.11%和46.07%，2021年1-6月分别同比增长196.49%和580.71%。 2.主营业务分析及前五大客户 下游新能源、通信等领域需求提升带动公司业绩稳定增长，高压超级结MOSFET贡献主要收入。公司专注于高性能功率器件研发与销售，下游应用覆盖新能源汽车充电桩、5G通讯、快速充电器等迅速发展的新兴领域。受益于下游市场需求快速提升，公司业绩稳定增长，2018-2020年营收和归母净利润复合增长率分别达42.11%和46.07%。2021年1-6月，公司营收达32082.43万元，同比增加196.49%。2018-2020年三年期间，公司分产品品类的收入结构相对稳定，以高压超级结MOSFET为主，中 低压屏蔽栅MOSFET为辅。此外，公司超级硅MOSFET和TGBT分别于2019年和2021年开始小批量生产并实现销售，未来有望成为新的业绩增长点，带动公司业绩进一步增长。 图1：公司营收及利润规模迅速增长 图2：高压超级结MOSFET销售收入占比较高 受原料价格波动的影响，公司综合毛利率波动幅度较大，期间费用率逐年下降。公司主要产品以大功率芯片为主，其成本中晶圆原材料的成本占比较高，因此晶圆代工市场短期供需关系变动对公司的影响较大。由于上游晶圆代工价格出现较大波动，2018-2020年公司综合毛利率分别为26.38%、14.93%、17.85%和26.75%，相应发生较大波动。2018-2020年及2021年1-6月，公司期间费用率分别为18.08%、10.94%、9.04%和6.84%，剔除股份支付影响后分别为10.22%、9.85%、9.04%和6.84%，呈现稳中下降的态势。随着业绩的大规模增长，公司研发费用年复合增长率达39.25%，2021年1-6月同比增幅达158.02%。 图3：受原材料价格波动影响公司毛利率波动较大 图4：公司期间费用率呈现下降趋势 表1:公司2020年前五大客户 场规模将分别达到522亿美元和206亿美元。在全球市场上，根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。 在国内市场上，我国是全球最大的功率半导体市场，随着产业链的完善以及技术的突破，市场规模逐年上升。根据Omdia预测，2019年市场规模达到177亿美元，占全球市场比例高达38%，预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。 受疫情影响MOSFET器件市场需求规模有所下降，预计未来将保持平稳回增，预计到2024年全球及全国市场规模分别有望恢复至77.02亿美元和29.70亿美元，高压MOSFET市场占比逐渐提高。在全球市场上，根据Omdia披露数据，2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响2020市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。在国内市场上，根据Omdia披露数据，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。消费电子以及汽车电子两领域日益增加的市场需求带动MOSFET器件市场的发展，未来发展应用市场及发展前景广阔。此外，从行业产品结构角度，由于超级结构的高压MOSFET相对于普通高压MOSFET具有更高的成长性，预计未来高压MOSFET市场占比逐渐提高。1）高压超级结MOSFET市场：根据Omdia，2020年度全球高压超级结MOSFET产品的市场规模为9.4亿美元，并将于2024年达到10.0亿美元。其中我国高压MOSFET的市场规模约为4.2亿美元，占全球高压MOSFET市场的比例为44.4%，2024年预计上升至4.4亿美元。2）中低压MOSFET市场：根据Omdia，2020年度，全球中低压MOSFET产品的市场规模为52.4亿美元，2024年预计下降至为49.2亿美元。其中，我国中低压MOSFET产品的市场规模为24.1亿美元，2024年预计为21.2亿美元，呈现下降趋势。 全球及国内IGBT分离器市场整体呈现上升趋势，预计到2024年市场规模分别达到16.82亿美元以及6.06亿美元。在全球市场上，根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。在国内市场上，IGBT产业起步较晚，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%，预计到2024年市场规模大约6.06亿美元。 3.2.国内功率半导体行业进口替代空间广阔 全球功率半导体行业集中度较高，现阶段国内市场的主要参与者仍为欧美企业，本土单一企业规模较小，进口替代空间广阔。纵观全球市场，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，行业集中度较高。依据Omdia披露的数据，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。在国内市场上，欧美日等企业占据主导地位，2019年中国市场销售额前十的厂商中，仅有吉林华微电子一家中国本土公司，英飞凌市场份额达12.99%。但随着国内集成电路市场的不断扩大，逐渐涌现出一匹优秀半导体功率器件企业，如华润微电子、扬杰科技、士兰微、新洁能等。 全球以及国内MOSFET器件市场均仍由国际厂商占主导地位，行业集中度较高。在全球市场上，根据Omdia有关数据，2019年全球MOSFET营收前十的厂商仍然以欧、美、日厂商为主，其中英飞凌以24.79%的市场份额遥遥领先，位居全球功率MOSFET市场第一，前十大公司营收之和占比高达74.42%。在国内市场上，根据Omdia有关数据，2019年英飞凌市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。 IGBT分立器件市场集中度较高，国际厂商依旧占主导地位。在全球市场上，根据Omdia数据，2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。在国内市场上，英飞凌依旧排名榜首，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。 3.3.公司高压超级结MOSFET产品市占率较高，成长潜力大 公司是国内领先的高性能功率器件厂商之一，在市场份额以及成长空间两方面有所体现： 1）市场份额：2019年度，公司MOSFET功率器件全球销售收入2843万美元，位列中国本土企业第七位，全球市场份额约为0.34%。公司相对于同业竞争对手更加专注于高压超级结MOSFET产品，根据Omdia数据显示，2020年实现的高压超级结与超级硅产品合计的销售收入约为