美光20261022

美光科技AI存储战略聚焦带宽、容量与能效，通过18节点与垂直HBM驱动算力突破。AI内存需求从训练向推理演进，内存成为算力瓶颈。

DRAM技术路线：美光已量产1节点，计划2027年H2量产18节点，位密度提升25%，适配HBM5及垂直堆叠。放弃4F2DRAM转向3DDRAM，认为4F2存在物理微缩瓶颈且成本复杂度过高。LP6功耗降低35%，DDR6带宽翻倍，计划推出1TBRDIMM。

HBM产品线：HBM4大规模量产，HBM4E规划中；垂直HBM通过混合键合与XPU堆叠实现极致带宽与散热优化。

NAND领域：通过增加Z轴堆叠层数与缩小单元尺寸双路径推进，G7至G9节点持续保持行业领先。

市场预测：未来两年内存供应持续短缺，供需难以平衡，定制化HBM与边缘推理内存（EIM）将成增长点。

美光AI战略布局：巩固核心技术领先地位，应用AI提升内部效率，聚焦长期研发投入，深化协同创新模式。

AI应用需求：美光产品组合覆盖数据中心（高性能HBM、高容量DDR、低功耗DRAM、AI级NAND、大容量SSD）和边缘计算（定制化存储解决方案）。

技术领先地位：美光在DRAM、HBM和NAND领域持续技术引领，分别实现四代、三代、三代节点领先。

技术路线图：DRAM持续推进平面工艺缩放，同时储备3DDRAM技术；NAND增加Z轴堆叠层数与缩小单元尺寸。

下一代DRAM产品：LP6功耗降低35%，DDR6带宽翻倍，推出1TBRDIMM。

HBM产品线布局：标准HBM、定制化HBM、垂直HBM。垂直HBM通过混合键合与XPU堆叠实现极致带宽，需应对热管理挑战，采用均热板等技术。

市场趋势：内存成本占比持续提升，但内存仍是AI算力核心支柱，将向特定工作负载定制化发展。

4F2DRAM技术挑战：光刻、蚀刻、电容器制造等环节存在重大技术难题，缺乏可行的规模化量产路径。

垂直HBM与EIM：EIM方案相比存内计算可实现更高性能，通过调整成本结构优化方案。垂直HBM核心要素是带宽，需权衡带宽与密度关系，最终将主要实现带宽显著提升。