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这份研报主要分析了什么内容？
报告分析了功率半导体行业从产能扩张、价格下行转向供需改善、价格修复和产品结构升级的趋势。指出2023—2025年中价格持续下行，2025年下半年筑底并边际好转；2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速放缓甚至略降，而AIDC需求爆发挤压传统功率产能，供需趋紧推动涨价。2026年已出现两轮约8%—15%的涨价，四季度可能再有新一轮。报告还分析了材料上硅基MOS、IGBT仍主流，SiC、GaN加速渗透；晶圆向12英寸、SiC向8英寸升级等情况。全球功率器件市场约6000亿元，国内约2500亿元；英飞凌份额17.3%领先，中低端国产替代较快，中高端MOS、IGBT仍需突破。AIDC方面，单台AI服务器功率半导体价值量超200美元，机架功率提升及800V HVDC将带动SiC/GaN渗透。汽车方面，新能源渗透率约65%—70%，单车MOS约100—180个，800V平台提升功率器件价值量。建议关注IDM及碳化硅、氮化镓头部企业。
功率半导体行业未来发展趋势如何？
功率半导体行业未来将呈现供需改善、价格修复和产品结构升级的趋势。2023—2025年中价格持续下行，2025年下半年筑底并边际好转；2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速放缓甚至略降，而AIDC需求爆发挤压传统功率产能，供需趋紧推动涨价。2026年已出现两轮约8%—15%的涨价，四季度可能再有新一轮。材料上硅基MOS、IGBT仍主流，SiC、GaN加速渗透；晶圆向12英寸、SiC向8英寸升级。全球功率器件市场约6000亿元，国内约2500亿元；英飞凌份额17.3%领先，中低端国产替代较快，中高端MOS、IGBT仍需突破。AIDC方面，单台AI服务器功率半导体价值量超200美元，机架功率提升及800V HVDC将带动SiC/GaN渗透。汽车方面，新能源渗透率约65%—70%，单车MOS约100—180个，800V平台提升功率器件价值量。建议关注IDM及碳化硅、氮化镓头部企业。
报告重点分析了哪些方面？
报告重点分析了功率半导体行业从产能扩张、价格下行转向供需改善、价格修复和产品结构升级的趋势。指出2023—2025年中价格持续下行，2025年下半年筑底并边际好转；2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速放缓甚至略降，而AIDC需求爆发挤压传统功率产能，供需趋紧推动涨价。2026年已出现两轮约8%—15%的涨价，四季度可能再有新一轮。报告还分析了材料上硅基MOS、IGBT仍主流，SiC、GaN加速渗透；晶圆向12英寸、SiC向8英寸升级等情况。全球功率器件市场约6000亿元，国内约2500亿元；英飞凌份额17.3%领先，中低端国产替代较快，中高端MOS、IGBT仍需突破。AIDC方面，单台AI服务器功率半导体价值量超200美元，机架功率提升及800V HVDC将带动SiC/GaN渗透。汽车方面，新能源渗透率约65%—70%，单车MOS约100—180个，800V平台提升功率器件价值量。建议关注IDM及碳化硅、氮化镓头部企业。
当前功率半导体市场现状如何？
当前功率半导体市场呈现供需改善、价格修复和产品结构升级的趋势。2023—2025年中价格持续下行，2025年下半年筑底并边际好转；2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速放缓甚至略降，而AIDC需求爆发挤压传统功率产能，供需趋紧推动涨价。2026年已出现两轮约8%—15%的涨价，四季度可能再有新一轮。材料上硅基MOS、IGBT仍主流，SiC、GaN加速渗透；晶圆向12英寸、SiC向8英寸升级。全球功率器件市场约6000亿元，国内约2500亿元；英飞凌份额17.3%领先，中低端国产替代较快，中高端MOS、IGBT仍需突破。AIDC方面，单台AI服务器功率半导体价值量超200美元，机架功率提升及800V HVDC将带动SiC/GaN渗透。汽车方面，新能源渗透率约65%—70%，单车MOS约100—180个，800V平台提升功率器件价值量。建议关注IDM及碳化硅、氮化镓头部企业。
研报有哪些风险提示？
报告提示功率半导体行业存在供需关系变化带来的价格波动风险。2026年全球等效8英寸成熟制程产能增速放缓甚至略降，而AIDC需求爆发挤压传统功率产能，供需趋紧可能导致价格上涨，但长协锁价下顺价滞后约一个季度，Q3报表开始体现，Q4盈利改善更明显。材料上硅基MOS、IGBT仍主流，SiC、GaN加速渗透过程中技术突破和成本控制仍面临挑战。全球功率器件市场竞争激烈，英飞凌份额17.3%领先，中低端国产替代较快，中高端MOS、IGBT仍需突破。AIDC和汽车领域的技术升级对功率器件提出更高要求，需关注相关企业技术迭代和产能扩张能力。建议关注IDM及碳化硅、氮化镓头部企业，但需警惕行业周期性波动和技术路线不确定性带来的风险。