发布时间:2026-10-16
【GLMS电子| 存储 】长鑫4F²年底亮相:架构创新打开“去EUV”追赶路径】
1�� 份额追赶:4F²单元面积较主流6F²理论缩小约30%,若良率与服务器认证顺利,长鑫在DDR5及服务器市场有望加速上量。 国产DRAM
2�� 去EUV路径:4F²与阵列/外围分工键合(CBA)搭配,通过结构设计与堆叠获取密度收益,降低对最先进光刻节点的依赖——对受出口管制的长鑫,这是战略级“换道”而非普通工艺升级。 自主可控
3�� 设备材料增量:高深宽比刻蚀、薄膜沉积、CMP、键合与量检测价值量全面提升,国产设备材料迎来技术迭代+产线改造双轮驱动。 设备材料
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�4F²及CBA:长鑫科技、晶合集成等�设备:拓荆科技、华海清科、中科飞测、强一股份等�材料:鼎龙股份、上海新阳等