美联储加息落地后,科创板块呈现强势反弹,成长风格展现出结构性机会。9月月度宏观模型得分为-1分,历史上该分数后上涨概率为61.54%。技术择时方面,科创50、科创综指、万得双创等指数触发局部底右侧信号,显示短期底部形成。ETF资金流向也印证了这一趋势,科创半导体、半导体设备、科创50等ETF规模增加明显,表明资金正积极布局科技成长方向。但需注意,日度模型综合信号整体表现中性,且加息落地后短期风险偏好修复,但‘高利率更久’的中期压制未除,反弹的持续性仍需关注外部环境变化与国内资金面支持情况。
成长风格投资机会主要集中在对科技成长方向有明确布局的领域。报告建议关注算力、半导体等硬科技方向,并推荐通信ETF、半导体设备ETF、电网设备ETF、电力ETF、卫星ETF。从资金层面看,科创半导体、半导体设备等ETF规模增加居前,显示资金对科技成长的布局意愿强。此外,宽基ETF如中证500、上证50等规模亦增加,表明宽基方向亦有资金流入。整体来看,资金正从传统领域向科技成长赛道转移,成长风格呈现结构性机会。但需注意,这种结构性机会并非普涨行情,而是特定赛道的相对优势,投资时仍需结合具体行业基本面进行判断。
报告对市场短期和中期走势进行了分析。短期来看,美联储加息落地后,市场演绎‘利空出尽’而非二次下杀,风格出现翻转,成长/小盘全面占优,短期风险偏好有所修复。但从中期维度看,‘高利率更久’的压制依然存在,全球加息共振落地但中东地缘扰动未消,全球风险偏好先承压后修复。模型研判显示,9月月度宏观模型得分为-1分,历史上该分数后上涨概率为61.54%,但日度模型综合信号整体表现中性。因此,短期反弹的持续性取决于外部环境变化与国内资金面支持情况,需警惕反弹高度和持续时间的不确定性。
当前市场整体表现呈现风格分化,成长/小盘风格表现相对占优。美联储加息落地后,市场并未出现二次下杀,反而呈现‘利空出尽’的迹象,风格出现翻转,成长/小盘全面占优。技术择时方面,科创50、科创综指、万得双创等指数触发局部底右侧信号,显示短期底部形成。资金层面,科创半导体、半导体设备、科创50等ETF规模增加居前,显示资金正积极布局科技成长方向。但需注意,日度模型综合信号整体表现中性,且全球加息共振落地但中东地缘扰动未消,全球风险偏好先承压后修复,市场整体仍面临不确定性。
投资本报告主题需注意以下风险:首先,模型基于历史数据测算,未来存在失效风险,历史表现不代表未来收益。其次,宏观经济不及预期可能影响市场整体表现,需关注国内外经济政策变化对市场的影响。再次,中东地缘政治冲突可能再次升级,推升国际油价,影响全球风险偏好。此外,报告建议关注算力、半导体等硬科技方向,但这些领域也存在技术迭代快、竞争激烈等风险,需结合行业基本面进行判断。最后,双节临近可能发生避险回落效应,需关注短期资金流向变化。以上风险提示仅供参考,不构成投资建议。