电子行业事件点评：CoWoS供给约束凸显，EMIB-T打开先进封装新路径

TSMC CoWoS封装订单排期至2027年，导致高端2.5D封装供给紧张。由于CoWoS技术成本较高，客户开始关注Intel的EMIB-T技术作为备选方案。EMIB-T通过在封装内部集成硅桥互联单元，实现局部硅桥替代整片硅中介层，大幅降低成本并提升效率。这种技术路线的转变将推动市场形成多技术路线并行的格局，为行业带来新的发展机遇。

EMIB-T技术相比CoWoS具有显著的成本和效率优势。首先，EMIB-T最大支持120×180mm封装尺寸，链路能效达0.25pJ/bit，适配多代高带宽内存标准。其次，EMIB-T封装成本较CoWoS降低约50%，这对于需要控制成本的高端AI应用尤为重要。此外，EMIB-T通过集成硅桥互联单元，简化了封装工艺，提高了生产效率。这些优势使得EMIB-T成为高端封装市场的一个重要发展方向。

先进封装行业未来将呈现多技术路线并行的格局。随着EMIB-T等新技术的出现，市场不再单一依赖CoWoS技术。未来，不同技术路线将根据应用需求和市场变化，形成差异化竞争。同时，供应链安全也将成为行业关注的重点。云厂商和AIASIC厂商将更加关注供应链的稳定性和成本控制，推动供应链多元化发展。此外，成本侧的竞争也将加剧，EMIB-T的成熟将重构2.5D封装的议价体系，带动先进封装赛道成本中枢下行。

当前先进封装市场正经历一个技术变革的时期。CoWoS技术虽然性能优异，但其高成本和有限的产能导致供给紧张。这促使客户寻求替代方案，EMIB-T技术应运而生。目前，EMIB-T封装总良率近90%，但硅桥嵌入基板环节良率仅约50%，基板工艺是主要瓶颈。预计2027年EMIB-T将在中高端AIASIC、多栈HBM集成场景完成样品验证并小批量交付。市场正逐步从单一技术路线向多元化发展。

本报告提示的风险主要包括：先进封装良率爬坡不及预期、地缘政治与供应链安全风险、AI应用商业化进度不及预期。首先，EMIB-T技术虽然前景广阔，但其良率爬坡仍面临挑战，尤其是硅桥嵌入基板环节的良率问题。其次，地缘政治和供应链安全问题始终是行业需要关注的重点，任何突发事件都可能对供应链稳定造成影响。最后，AI应用的商业化进度也直接影响先进封装技术的市场需求，如果商业化进度不及预期，可能会影响技术的推广和应用。